-
公开(公告)号：CN110387535B
公开(公告)日：2021-08-24
申请号：CN201910313620.3
申请日：2019-04-18
Applicant: 美光科技公司
IPC: C23C16/34 , C23C16/44 , H01L21/28 , H01L27/11524 , H01L27/11556 , H01L27/1157 , H01L27/11582
Abstract: 本发明涉及一种可编程电荷存储晶体管、存储器单元和形成绝缘体材料的方法。一种形成Si3Nx的方法，其中“x”小于4且至少为3，所述方法包括将包括Si的前体分子分解为彼此不同的至少两个分解物质，所述至少两个不同分解物质中的至少一个包括Si。使外部衬底表面与所述至少两个分解物质接触。包括Si的所述分解物质中的至少一个附着到所述外部衬底表面以包括附着物质。使所述附着物质与包括N的前体接触，所述包括N的前体与所述附着物质反应以形成包括Si3Nx的反应产物，其中“x”小于4且至少为3。公开其它实施例，其包含根据本发明的方法实施例制造的构造和独立于制造方法的构造。
-
公开(公告)号：CN110858594B
公开(公告)日：2023-11-28
申请号：CN201910786749.6
申请日：2019-08-23
Applicant: 美光科技公司
Abstract: 一种用于形成竖向延伸的存储器单元串的阵列的方法包括形成包括竖直交替的绝缘层和字线层的下部堆叠。下部沟道开口在下部堆叠中。覆盖下部沟道开口中的个别者的桥接件经外延生长。下部空隙空间在个别下部沟道开口中在桥接件中的个别者之下。上部堆叠形成于下部堆叠上方。上部堆叠包括竖直交替的绝缘层和字线层。上部沟道开口形成于上部堆叠中形成到个别桥接件以单独地形成包括个别下部沟道开口和上部沟道开口中的个别者中的一个的互连沟道开口。互连沟道开口单独地具有跨越互连沟道开口的个别桥接件中的一个。穿透个别桥接件以露出下部空隙空间中的个别者。晶体管沟道材料竖向地沿着上部堆叠中的竖直交替的层形成于互连沟道开口的上部部分中。
-
公开(公告)号：CN110890374A
公开(公告)日：2020-03-17
申请号：CN201910844251.0
申请日：2019-09-06
Applicant: 美光科技公司
IPC: H01L27/11519 , H01L27/11529 , H01L27/11531 , H01L27/11556 , H01L27/11565 , H01L27/11573 , H01L27/11582
Abstract: 本申请案涉及竖向延伸存储器单元串的阵列及用于形成竖向延伸存储器单元串的阵列的方法。一种用于形成竖向延伸存储器单元串的阵列的方法包括形成包括垂直交替绝缘层及字线层的堆叠。堆叠包括堆叠的第一层与第二层之间的蚀刻停止层。蚀刻停止层具有与绝缘层及字线层的组合物不同的组合物。进行到蚀刻停止层上方的绝缘层及字线层中直到蚀刻停止层的蚀刻，以形成具有包括蚀刻停止层的个别基底的沟道开口。穿透蚀刻停止层以使沟道开口中的个别者延伸穿过蚀刻停止层。在使个别沟道开口延伸穿过蚀刻停止层之后，进行到蚀刻停止层下方的绝缘层及字线层中且穿过绝缘层及字线层的蚀刻，以使个别沟道开口更深地延伸到蚀刻停止层下方的堆叠中。
-
公开(公告)号：CN110387535A
公开(公告)日：2019-10-29
申请号：CN201910313620.3
申请日：2019-04-18
Applicant: 美光科技公司
IPC: C23C16/34 , C23C16/44 , H01L21/28 , H01L27/11524 , H01L27/11556 , H01L27/1157 , H01L27/11582
Abstract: 本发明涉及一种可编程电荷存储晶体管、存储器单元和形成绝缘体材料的方法。一种形成Si3Nx的方法，其中“x”小于4且至少为3，所述方法包括将包括Si的前体分子分解为彼此不同的至少两个分解物质，所述至少两个不同分解物质中的至少一个包括Si。使外部衬底表面与所述至少两个分解物质接触。包括Si的所述分解物质中的至少一个附着到所述外部衬底表面以包括附着物质。使所述附着物质与包括N的前体接触，所述包括N的前体与所述附着物质反应以形成包括Si3Nx的反应产物，其中“x”小于4且至少为3。公开其它实施例，其包含根据本发明的方法实施例制造的构造和独立于制造方法的构造。
-
公开(公告)号：CN110858594A
公开(公告)日：2020-03-03
申请号：CN201910786749.6
申请日：2019-08-23
Applicant: 美光科技公司
IPC: H01L27/11556 , H01L27/11529 , H01L27/11582 , H01L27/11573 , H01L27/11531
Abstract: 一种用于形成竖向延伸的存储器单元串的阵列的方法包括形成包括竖直交替的绝缘层和字线层的下部堆叠。下部沟道开口在下部堆叠中。覆盖下部沟道开口中的个别者的桥接件经外延生长。下部空隙空间在个别下部沟道开口中在桥接件中的个别者之下。上部堆叠形成于下部堆叠上方。上部堆叠包括竖直交替的绝缘层和字线层。上部沟道开口形成于上部堆叠中形成到个别桥接件以单独地形成包括个别下部沟道开口和上部沟道开口中的个别者中的一个的互连沟道开口。互连沟道开口单独地具有跨越互连沟道开口的个别桥接件中的一个。穿透个别桥接件以露出下部空隙空间中的个别者。晶体管沟道材料竖向地沿着上部堆叠中的竖直交替的层形成于互连沟道开口的上部部分中。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110858593A
公开(公告)日：2020-03-03
申请号：CN201910786746.2
申请日：2019-08-23
Applicant: 美光科技公司
IPC: H01L27/11529 , H01L27/11531 , H01L27/11556 , H01L27/11573 , H01L27/11582
Abstract: 一种形成存储器单元的竖向延伸串阵列的方法包括形成和移除横跨个别下部沟道开口中的个别基底的下部堆叠存储器单元材料的一部分。覆盖材料形成于所述个别下部沟道开口的最低部分中以覆盖所述个别下部沟道开口的所述个别基底。上部沟道开口形成于上部堆叠中到达所述下部沟道开口以形成互连的沟道开口，所述互连的沟道开口分别包括所述个别下部沟道开口和所述上部沟道开口中的个别上部沟道开口中的一个。形成和移除横跨个别上部沟道开口中的个别基底的上部堆叠存储器单元材料的一部分。在所述上部堆叠存储器单元材料的所述部分的所述移除之后，从所述互连的沟道开口移除所述覆盖材料。
-
-
公开(公告)号：CN110890374B
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN201910844251.0
申请日：2019-09-06
Applicant: 美光科技公司
Abstract: 本申请案涉及竖向延伸存储器单元串的阵列及用于形成竖向延伸存储器单元串的阵列的方法。一种用于形成竖向延伸存储器单元串的阵列的方法包括形成包括垂直交替绝缘层及字线层的堆叠。堆叠包括堆叠的第一层与第二层之间的蚀刻停止层。蚀刻停止层具有与绝缘层及字线层的组合物不同的组合物。进行到蚀刻停止层上方的绝缘层及字线层中直到蚀刻停止层的蚀刻，以形成具有包括蚀刻停止层的个别基底的沟道开口。穿透蚀刻停止层以使沟道开口中的个别者延伸穿过蚀刻停止层。在使个别沟道开口延伸穿过蚀刻停止层之后，进行到蚀刻停止层下方的绝缘层及字线层中且穿过绝缘层及字线层的蚀刻，以使个别沟道开口更深地延伸到蚀刻停止层下方的堆叠中。
-
公开(公告)号：CN111799214A
公开(公告)日：2020-10-20
申请号：CN202010097266.8
申请日：2020-02-17
Applicant: 美光科技公司
IPC: H01L21/762 , H01L27/108 , H01L21/8242
Abstract: 本发明描述与半导体结构形成相关的方法、设备和系统。一种实例方法包含形成穿过形成于半导体衬底上方的硅Si材料中到第一深度的开口以形成Si材料的支柱。所述实例方法进一步包含将隔离材料沉积在所述开口内以填充所述Si支柱之间的所述开口。所述实例方法进一步包含从所述支柱之间移除所述隔离材料的部分到第二深度以在所述支柱之间产生第二开口且界定所述支柱之间的内侧壁。所述实例方法进一步包含在所述支柱的顶部表面上方且沿着所述支柱的所述内侧壁向下到所述隔离材料的顶部部分沉积增强材料。
-
公开(公告)号：CN110556382A
公开(公告)日：2019-12-10
申请号：CN201910450899.X
申请日：2019-05-28
Applicant: 美光科技公司
IPC: H01L27/11524 , H01L27/11556 , H01L27/1157 , H01L27/11582
Abstract: 本申请涉及竖向延伸的存储器单元串的阵列和形成竖向延伸的存储器单元串的阵列的方法。一种竖向延伸的存储器单元串的阵列包括交替的绝缘层与字线层的竖直堆叠。所述字线层具有对应于个别存储器单元的控制栅极区的末端。所述控制栅极区个别地包括所述字线层中的个别字线层中的字线的部分。所述个别存储器单元的电荷阻挡区竖向地沿着所述个别控制栅极区延伸。所述个别存储器单元的电荷存储材料竖向地沿着所述电荷阻挡区中的个别电荷阻挡区延伸。沟道材料竖向地沿着所述竖直堆叠延伸。绝缘电荷传递材料横向地位于所述沟道材料与所述电荷存储材料之间。竖向延伸的壁横向地分离所述字线中的横向紧邻的字线。所述壁包括横向外部绝缘材料和横向地横跨所述横向外部绝缘材料之间的含硅材料。所述含硅材料包括至少30原子％的元素形式硅或含硅合金中的至少一种。还公开了其它方面，包含方法。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
10
records
(took 0.026 seconds)
