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公开(公告)号：CN110858594B
公开(公告)日：2023-11-28
申请号：CN201910786749.6
申请日：2019-08-23
Applicant: 美光科技公司
Abstract: 一种用于形成竖向延伸的存储器单元串的阵列的方法包括形成包括竖直交替的绝缘层和字线层的下部堆叠。下部沟道开口在下部堆叠中。覆盖下部沟道开口中的个别者的桥接件经外延生长。下部空隙空间在个别下部沟道开口中在桥接件中的个别者之下。上部堆叠形成于下部堆叠上方。上部堆叠包括竖直交替的绝缘层和字线层。上部沟道开口形成于上部堆叠中形成到个别桥接件以单独地形成包括个别下部沟道开口和上部沟道开口中的个别者中的一个的互连沟道开口。互连沟道开口单独地具有跨越互连沟道开口的个别桥接件中的一个。穿透个别桥接件以露出下部空隙空间中的个别者。晶体管沟道材料竖向地沿着上部堆叠中的竖直交替的层形成于互连沟道开口的上部部分中。
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公开(公告)号：CN112133704A
公开(公告)日：2020-12-25
申请号：CN202010500009.4
申请日：2020-06-04
Applicant: 美光科技公司
IPC: H01L27/11551 , H01L27/11556 , H01L27/11578 , H01L27/11582
Abstract: 本申请案涉及存储器阵列及用于形成存储器阵列的方法。一种用于形成存储器阵列的方法包括形成包括导体层次的衬底，所述导体层次包括上部导体材料、下部金属材料及垂直地位于所述上部导体材料与所述下部金属材料之间的介入金属材料。所述介入金属材料、所述上部导体材料及所述下部金属材料为相对彼此不同的组成。所述介入金属材料的还原电位与所述上部导体材料的还原电位偏离不到0.7V。在所述导体层次上面形成包括垂直交替的绝缘层次与导电层次的堆叠。穿过所述绝缘层次及所述导电层次形成沟道材料。穿过所述堆叠形成水平伸长的沟槽直到所述导体层次。在所述堆叠中形成存储器单元的竖向延伸的串。
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公开(公告)号：CN116762486A
公开(公告)日：2023-09-15
申请号：CN202280011771.3
申请日：2022-01-25
Applicant: 美光科技公司
IPC: H10B43/35
Abstract: 一种微电子装置包含堆叠结构，其包括按层级布置的绝缘与导电结构的竖直交替序列。包括通道材料的至少一个支柱延伸穿过所述堆叠结构。所述堆叠结构下方的源极区包括掺杂材料，其具有突出到与接近至少一个源极侧GIDL区的标高处的所述通道材料的界面的竖直延伸部。狭缝结构延伸穿过所述堆叠结构以将所述结构划分成支柱阵列块。沿着所述狭缝结构的基底包含一系列间隔开的离散底座结构。形成所述微电子装置结构可包含形成穿过所述支柱的单元材料的横向开口、使所述通道材料竖直凹入及在加宽的凹部中形成所述掺杂材料之前使所述支柱的其它材料横向凹入。还公开额外微电子装置、相关方法及电子系统。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115720447A
公开(公告)日：2023-02-28
申请号：CN202210979039.7
申请日：2022-08-16
Applicant: 美光科技公司
Abstract: 本申请涉及包括存储器单元串的存储器阵列和用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法。一种用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法包括形成将包括竖直交替的第一层和第二层的堆叠的下部部分。所述堆叠包括横向间隔开的存储器块区。所述第一层的材料具有与第二层的材料不同的组合物。所述下部部分包括包括绝缘材料的上部第二层。在所述下部部分上方形成所述堆叠的上部部分的所述竖直交替的第一层和第二层。形成延伸穿过所述上部部分到所述下部部分的沟道材料串。纵向沿着所述存储器块区的相对横向边缘在所述上部第二层中形成水平伸长线。所述线的材料具有与所述上部第二层中的横向位于所述线之间的所述绝缘材料的组合物不同的组合物。将水平伸长沟槽形成到所述堆叠中，所述水平伸长沟槽个别地在横向紧邻的所述存储器块区之间且延伸穿过所述上部部分到所述下部部分。公开了包含独立于方法的结构的其它实施例。
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公开(公告)号：CN113903748A
公开(公告)日：2022-01-07
申请号：CN202110760906.3
申请日：2021-07-06
Applicant: 美光科技公司
IPC: H01L27/1157 , H01L27/11582
Abstract: 一种用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法包括形成堆叠，堆叠包括竖直交替的包括除掺杂二氧化硅以外的材料的第一层和包括掺杂二氧化硅的第二层。堆叠包括横向间隔开的存储器块区。沟道材料串构造延伸穿过存储器块区中的第一层和第二层。沟道材料串构造个别地包括延伸穿过存储器块区中的第一层和第二层的沟道材料串。选择性地相对于第一层中的其它材料且选择性地相对于并暴露作为个别沟道材料串构造的一部分的电荷阻挡材料的含未掺杂二氧化硅的串蚀刻第二层中的掺杂二氧化硅。穿过第二层中因对掺杂二氧化硅的蚀刻而留下的空隙空间蚀刻含未掺杂二氧化硅的串，以将个别含未掺杂二氧化硅的串划分成未掺杂二氧化硅的竖直隔开段。
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公开(公告)号：CN113257830A
公开(公告)日：2021-08-13
申请号：CN202110135995.2
申请日：2021-02-01
Applicant: 美光科技公司
IPC: H01L27/1157 , H01L27/11565
Abstract: 本申请案涉及包括存储器单元串的存储器阵列和用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法。用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法包括：在衬底上方形成包括竖直交替的第一层和第二层的堆叠。在所述堆叠中形成水平拉长的沟槽以形成横向间隔开的存储器块区。在所述沟槽中的个别沟槽的底部区中形成催化材料。将金属材料无电沉积到所述催化材料的催化表面上以个别地填充所述个别沟槽的至少大部分剩余体积。沟道材料串形成且延伸穿过所述第一层和所述第二层。公开了包含独立于方法的结构的其它实施例。
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公开(公告)号：CN112970113A
公开(公告)日：2021-06-15
申请号：CN201980072392.3
申请日：2019-10-21
Applicant: 美光科技公司
IPC: H01L27/11582 , H01L27/11573 , H01L27/1157 , H01L29/792 , H01L29/66
Abstract: 一种存储器阵列，其包括竖直堆叠，所述竖直堆叠包括交替的绝缘层和字线层。所述字线层包括各个存储器单元的栅极区。所述栅极区分别包括各个所述字线层中的字线的部分。沟道材料竖向地延伸穿过所述绝缘层和所述字线层。所述各个存储器单元包括横向位于所述栅极区与所述沟道材料之间的存储器结构。各个所述字线包括横向外侧纵向边缘部分和横向邻近各个所述横向外侧纵向边缘部分的相应横向内侧部分。所述各个横向外侧纵向边缘部分相对于其横向邻近的横向内侧部分向上和向下突出。公开了方法。
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公开(公告)号：CN112970112A
公开(公告)日：2021-06-15
申请号：CN201980071837.6
申请日：2019-10-21
Applicant: 美光科技公司
IPC: H01L27/11582 , H01L27/1157 , H01L27/11565 , H01L29/792 , H01L29/66
Abstract: 一种存储器阵列，其包括竖直堆叠，所述竖直堆叠包括交替的绝缘层和字线层。所述字线层包括个别存储器单元的栅极区。所述栅极区个别地包括所述字线层中的个别者中的字线的部分。沟道材料竖向延伸穿过所述绝缘层和所述字线层。所述个别存储器单元包括横向地位于所述栅极区与所述沟道材料之间的存储器结构。所述字线中的个别者包括相对的横向外侧纵向边缘。所述纵向边缘个别地包括横向延伸到所述相应个别字线中的纵向拉长的凹槽。公开了方法。
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