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公开(公告)号：CN113795918B
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202080033542.2
申请日：2020-04-07
Applicant: 美光科技公司
IPC: H10B43/27 , H10B43/35 , H10B41/35 , H10B41/27 , H01L23/522 , H01L21/311
Abstract: 一种用于形成存储器阵列和导电阵列通孔(TAV)的方法包括形成包括竖直交替的绝缘层和字线层的堆叠。在所述堆叠上方形成包括水平伸长的沟槽开口和操作性TAV开口的掩模。通过所述掩模中的所述沟槽开口和所述操作性TAV开口对所述堆叠的未掩蔽部分进行蚀刻以在所述堆叠中形成水平伸长的沟槽开口且在所述堆叠中形成操作性TAV开口。在所述堆叠中的所述操作性TAV开口中形成导电材料以在所述堆叠中的所述操作性TAV开口中的个别者中形成个别操作性TAV。在所述堆叠中的所述沟槽开口中的个别者中形成字线介入结构。
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公开(公告)号：CN115707239A
公开(公告)日：2023-02-17
申请号：CN202210930837.0
申请日：2022-08-04
Applicant: 美光科技公司
Abstract: 本公开涉及集成包括含有存储器单元串的存储器阵列的集成电路系统，并且涉及用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法。所述方法包括形成将包括竖直交替的导电层和绝缘层的堆叠的下部部分。所述堆叠包括横向间隔开的存储器块区。所述下部部分包括所述导电层中的多个下部导电层和所述绝缘层中的多个下部绝缘层。所述下部绝缘层包括绝缘材料。所述下部导电层包括具有与所述绝缘材料的组合物不同的组合物的牺牲性材料。所述牺牲性材料被替换为传导材料。在所述牺牲性材料的所述替换之后，所述堆叠的上部部分的所述竖直交替的导电层和绝缘层形成在所述下部部分上方。
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公开(公告)号：CN117641928A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202311067226.9
申请日：2023-08-23
Applicant: 美光科技公司
Abstract: 本申请涉及具有导电结构、绝缘结构和部分牺牲结构的分层堆叠的微电子装置，以及相关系统和方法。微电子装置包含具有分层堆叠的区，分层堆叠包含按层布置的绝缘结构、导电结构和非导电结构。绝缘结构与导电结构和非导电结构两者竖直交替。导电结构中的每一个通过非导电结构中的至少一个和绝缘结构中的至少两个与导电结构中的另一个竖直间隔开。非导电结构的组成不同于绝缘结构的组成。在制造方法中，前体堆叠形成为包含与第一非导电结构和第二非导电结构竖直交替的绝缘结构。在前体堆叠的区中，去除第一非导电结构，从而在多结构层组之间形成空隙。导电结构形成于空隙中。本发明还公开了电子系统。
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公开(公告)号：CN115942751A
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202211012180.6
申请日：2022-08-23
Applicant: 美光科技公司
Abstract: 本公开涉及包括存储器单元串的存储器阵列及用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法。存储器单元串包括延伸穿过绝缘层及导电层的沟道材料串。所述沟道材料串通过传导材料与导体层的导体材料直接电耦合，所述传导材料在最下部的所述导电层中并且直接抵靠多个所述沟道材料串。穿阵列通孔TAV区包括个别地延伸穿过所述最下部导电层并进入所述导体层的TAV。所述最下部导电层中的各个所述TAV包括导电芯，所述导电芯具有周向地围绕其的环形区。所述环形区中的掺杂剂的总掺杂剂浓度为0.01至30原子％。所述最下部导电层中的绝缘材料周向地围绕所述环形区并且在紧邻的所述TAV之间。公开包含方法的其它实施例。
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公开(公告)号：CN113795918A
公开(公告)日：2021-12-14
申请号：CN202080033542.2
申请日：2020-04-07
Applicant: 美光科技公司
IPC: H01L27/11582 , H01L27/1157 , H01L27/11524 , H01L27/11556 , H01L23/522 , H01L21/311
Abstract: 一种用于形成存储器阵列和导电阵列通孔(TAV)的方法包括形成包括竖直交替的绝缘层和字线层的堆叠。在所述堆叠上方形成包括水平伸长的沟槽开口和操作性TAV开口的掩模。通过所述掩模中的所述沟槽开口和所述操作性TAV开口对所述堆叠的未掩蔽部分进行蚀刻以在所述堆叠中形成水平伸长的沟槽开口且在所述堆叠中形成操作性TAV开口。在所述堆叠中的所述操作性TAV开口中形成导电材料以在所述堆叠中的所述操作性TAV开口中的个别者中形成个别操作性TAV。在所述堆叠中的所述沟槽开口中的个别者中形成字线介入结构。
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公开(公告)号：CN115702607A
公开(公告)日：2023-02-14
申请号：CN202180043872.4
申请日：2021-05-19
Applicant: 美光科技公司
Abstract: 一种微电子装置包括：第一组阶层，所述第一组阶层的每一阶层包括导电材料及绝缘材料的交替层级且具有第一阶层间距；邻近于所述第一组阶层的第二组阶层，所述第二组阶层的每一阶层包括所述导电材料及所述绝缘材料的交替层级且具有小于所述第一阶层间距的第二阶层间距；邻近于所述第二组阶层的第三组阶层，所述第三组阶层的每一阶层包括所述导电材料及所述绝缘材料的交替层级且具有小于所述第二阶层间距的第三阶层间距；及存储器单元串，其延伸穿过所述第一组阶层、所述第二组阶层及所述第三组阶层。还描述了相关微电子装置、电子系统及方法。
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公开(公告)号：CN112103295A
公开(公告)日：2020-12-18
申请号：CN202010349656.X
申请日：2020-04-28
Applicant: 美光科技公司
IPC: H01L27/1157 , H01L27/11578
Abstract: 本申请涉及具有沿沟槽的底部的含金属衬垫的集成组合件及形成集成组合件的方法。一些实施例包括形成集成组合件的方法。传导结构被形成以在含金属材料上方包含含半导体材料。开口被形成以延伸到所述传导结构中。沿所述开口的底部形成传导材料。在形成所述传导材料之前或之后，在所述传导结构上方形成交替的第一和第二材料的层叠。形成绝缘材料和/或沟道材料以延伸穿过所述层叠以接触所述传导材料。一些实施例包含集成组合件。
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