公开(公告)号：CN113795918B

公开(公告)日：2024-05-28

申请号：CN202080033542.2

申请日：2020-04-07

Applicant: 美光科技公司

Inventor： I·V·恰雷 ,  C·E·卡特 ,  A·查杜鲁 ,  J·B·德胡特 ,  房骏 ,  M·J·金 ,  B·D·洛 ,  M·帕克 ,  J·D·谢泼德森

IPC: H10B43/27 ,  H10B43/35 ,  H10B41/35 ,  H10B41/27 ,  H01L23/522 ,  H01L21/311

Abstract: 一种用于形成存储器阵列和导电阵列通孔(TAV)的方法包括形成包括竖直交替的绝缘层和字线层的堆叠。在所述堆叠上方形成包括水平伸长的沟槽开口和操作性TAV开口的掩模。通过所述掩模中的所述沟槽开口和所述操作性TAV开口对所述堆叠的未掩蔽部分进行蚀刻以在所述堆叠中形成水平伸长的沟槽开口且在所述堆叠中形成操作性TAV开口。在所述堆叠中的所述操作性TAV开口中形成导电材料以在所述堆叠中的所述操作性TAV开口中的个别者中形成个别操作性TAV。在所述堆叠中的所述沟槽开口中的个别者中形成字线介入结构。

公开(公告)号：CN113924644A

公开(公告)日：2022-01-11

申请号：CN202080041691.3

申请日：2020-05-06

Applicant: 美光科技公司

Inventor： 胡怡 ,  M·L·卡尔森 ,  A·查杜鲁 ,  I·V·恰雷 ,  D·戴寇克 ,  H·N·贾殷 ,  M·J·金 ,  李健 ,  B·D·洛 ,  P·R·莫赫纳·劳 ,  徐丽芳

IPC: H01L27/11519 ,  H01L21/02 ,  H01L21/28 ,  H01L21/311 ,  H01L21/3213 ,  H01L27/11526 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/11565 ,  H01L27/11573 ,  H01L27/11575 ,  H01L27/11582

Abstract: 一种用于形成包括存储器单元串及可操作直通阵列通孔(TAV)的存储器阵列的方法包括形成包括垂直交替的绝缘层级及导电层级的堆叠。所述堆叠包括TAV区及可操作存储器单元串区。所述TAV区包括间隔的可操作TAV区域。在所述堆叠中在所述可操作存储器单元串区中形成可操作通道材料串且在所述堆叠中在所述TAV区中在所述可操作TAV区域的横向外部且未在所述可操作TAV区域内形成虚设通道材料串。在所述TAV区中的所述间隔的可操作TAV区域中的个别者中形成可操作TAV。公开其它方法及独立于方法的结构。

公开(公告)号：CN116671274A

公开(公告)日：2023-08-29

申请号：CN202180084278.X

申请日：2021-11-18

Applicant: 美光科技公司

Inventor： 罗双强 ,  B·D·洛

IPC: H10B43/27

Abstract: 一种微电子装置包括：堆叠结构，其包括布置成阶层的导电结构及绝缘结构的垂直交替序列，所述堆叠结构经划分成通过狭槽结构而彼此分离的块结构；楼梯结构，其在所述堆叠结构内，所述楼梯结构具有包括所述阶层的水平边缘的阶状部；导电接触结构，其与所述楼梯结构的所述阶状部接触；支撑柱结构，其延伸穿过所述堆叠结构；及额外狭槽结构，其在所述块结构中的一者内部分地延伸穿过所述堆叠结构，所述额外狭槽结构中的一者在水平邻近的支撑柱结构之间延伸且与所述水平邻近的支撑柱结构中的额外者相比更靠近所述水平邻近的支撑柱结构中的一者。还描述相关的微电子装置、存储器装置及电子系统。

公开(公告)号：CN108962895B

公开(公告)日：2020-08-21

申请号：CN201810514781.4

申请日：2018-05-25

Applicant: 美光科技公司

Inventor： R·W·林赛 ,  M·A·史密斯 ,  B·D·洛

IPC: H01L27/115 ,  H01L27/11524 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/1157 ,  H01L27/11582 ,  H01L21/768 ,  H01L21/027 ,  H01L21/033 ,  H01L23/528

Abstract: 本申请案涉及半导体装置、电子系统及形成半导体装置结构的方法。一种形成半导体装置结构的方法包括形成包括堆叠层的堆叠结构。所述堆叠层中的每一者包括包含第一材料的第一结构及与所述第一结构纵向相邻的包含第二不同材料的第二结构。在所述堆叠结构上形成图案化硬掩模结构。在所述图案化硬掩模结构中的开口内形成电介质结构。在所述电介质结构及所述图案化硬掩模结构上形成光致抗蚀剂结构。使所述光致抗蚀剂结构、所述电介质结构及所述堆叠结构经受一系列材料去除过程以形成在所述堆叠结构内延伸到不同深度的孔隙。在所述孔隙内的所述堆叠结构的侧表面上形成电介质结构。形成导电接触结构以纵向延伸到所述孔隙的底部。还描述半导体装置结构、半导体装置及电子系统。

公开(公告)号：CN113795918A

公开(公告)日：2021-12-14

申请号：CN202080033542.2

申请日：2020-04-07

Applicant: 美光科技公司

Inventor： I·V·恰雷 ,  C·E·卡特 ,  A·查杜鲁 ,  J·B·德胡特 ,  房骏 ,  M·J·金 ,  B·D·洛 ,  M·帕克 ,  J·D·谢泼德森

IPC: H01L27/11582 ,  H01L27/1157 ,  H01L27/11524 ,  H01L27/11556 ,  H01L23/522 ,  H01L21/311

Abstract: 一种用于形成存储器阵列和导电阵列通孔(TAV)的方法包括形成包括竖直交替的绝缘层和字线层的堆叠。在所述堆叠上方形成包括水平伸长的沟槽开口和操作性TAV开口的掩模。通过所述掩模中的所述沟槽开口和所述操作性TAV开口对所述堆叠的未掩蔽部分进行蚀刻以在所述堆叠中形成水平伸长的沟槽开口且在所述堆叠中形成操作性TAV开口。在所述堆叠中的所述操作性TAV开口中形成导电材料以在所述堆叠中的所述操作性TAV开口中的个别者中形成个别操作性TAV。在所述堆叠中的所述沟槽开口中的个别者中形成字线介入结构。

公开(公告)号：CN110235246A

公开(公告)日：2019-09-13

申请号：CN201880009394.3

申请日：2018-02-01

Applicant: 美光科技公司

Inventor： D·戴寇克 ,  R·J·希尔 ,  C·拉森 ,  金吴熙 ,  J·B·德胡特 ,  B·D·洛 ,  J·D·霍普金斯 ,  陶谦 ,  B·L·凯西

IPC: H01L27/11519 ,  H01L27/11524 ,  H01L27/11529 ,  H01L27/11565 ,  H01L27/11568 ,  H01L27/1157

Abstract: 一些实施例包含存储器阵列，所述存储器阵列具有交替的绝缘层级和字线层级的竖直堆叠。所述字线层级具有对应于控制栅极区的终端。电荷捕集材料沿着所述字线层级的所述控制栅极区而非沿着所述绝缘层级。所述电荷捕集材料通过电荷阻挡材料与所述控制栅极区间隔开。沟道材料沿着所述堆叠竖直地延伸且通过电介质材料与所述电荷捕集材料横向间隔开。一些实施例包含形成NAND存储器阵列的方法。

公开(公告)号：CN108962895A

公开(公告)日：2018-12-07

申请号：CN201810514781.4

申请日：2018-05-25

Applicant: 美光科技公司

Inventor： R·W·林赛 ,  M·A·史密斯 ,  B·D·洛

IPC: H01L27/115 ,  H01L27/11524 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/1157 ,  H01L27/11582

Abstract: 本申请案涉及半导体装置、电子系统及形成半导体装置结构的方法。一种形成半导体装置结构的方法包括形成包括堆叠层的堆叠结构。所述堆叠层中的每一者包括包含第一材料的第一结构及与所述第一结构纵向相邻的包含第二不同材料的第二结构。在所述堆叠结构上形成图案化硬掩模结构。在所述图案化硬掩模结构中的开口内形成电介质结构。在所述电介质结构及所述图案化硬掩模结构上形成光致抗蚀剂结构。使所述光致抗蚀剂结构、所述电介质结构及所述堆叠结构经受一系列材料去除过程以形成在所述堆叠结构内延伸到不同深度的孔隙。在所述孔隙内的所述堆叠结构的侧表面上形成电介质结构。形成导电接触结构以纵向延伸到所述孔隙的底部。还描述半导体装置结构、半导体装置及电子系统。