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公开(公告)号：CN119300351A
公开(公告)日：2025-01-10
申请号：CN202411429387.2
申请日：2020-03-03
Applicant: 美光科技公司
Abstract: 本公开涉及包含具有至少部分地环绕第二含金属材料并且具有不同于第二含金属材料的结晶度的结晶度的第一含金属材料的字线的组合件。一些实施例包含存储器阵列，所述存储器阵列具有交替的绝缘层级与字线层级的竖直堆叠。沟道材料沿着所述堆叠竖直延伸。所述字线层级包含具有第一含金属材料和第二含金属材料的导电区。所述第一含金属材料至少部分地环绕所述第二含金属材料。所述第一含金属材料具有不同于所述第二含金属材料的结晶度的结晶度。在一些实施例中，所述第一含金属材料为大致非晶型，且所述第二含金属材料具有在从大于或等于约5nm到小于或等于约200nm的范围内的均值晶粒大小。
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公开(公告)号：CN117501825A
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN202280042428.5
申请日：2022-04-14
Applicant: 美光科技公司
Abstract: 一种包括具有存储器单元串的存储器阵列的集成电路包括个别地包括具有交错绝缘阶层及导电阶层的第一竖直堆叠的横向间隔存储器块。存储器单元串包括延伸穿过所述绝缘阶层及所述导电阶层的沟道材料串。所述导电阶层个别地包括水平伸长导电线。第二竖直堆叠位于所述第一竖直堆叠旁边。所述第二竖直堆叠包括上部及下部。所述上部包括相对于彼此为不同组合物的竖直交错第一阶层及第二绝缘阶层。所述下部包括上含多晶硅层、下含多晶硅层、竖直介于所述上与下含多晶硅层之间的中介材料层。上中间层竖直介于所述上含多晶硅层与所述中介材料层之间。下中间层竖直介于所述下含多晶硅层与所述中介材料层之间。所述下中间层及所述上中间层包括(a)、(b)及(c)中的至少一者，其中(a)：氧化铪；(b)：双层，其包括氮化硅且包括二氧化硅，二者相对于彼此竖直定位，相较于所述双层中的所述二氧化硅，所述双层中的所述氮化硅更接近所述中介材料层；及(c)：SiOxNy，其中“x”及“y”中的每一者是所述SiOxNy中的Si、O及N的总和的1原子百分比到90原子百分比。还公开方法。
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公开(公告)号：CN112652627B
公开(公告)日：2024-01-09
申请号：CN202011050056.X
申请日：2020-09-29
Applicant: 美光科技公司
Abstract: 本申请案涉及存储器阵列及形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法，方法包括形成包括垂直交替第一层及第二层的堆叠。使水平伸长沟槽形成到堆叠中以形成横向间隔存储器块区域。跨横向地在存储器块区域中的横向紧邻者之间且纵向地沿着横向紧邻者的沟槽形成桥材料。桥材料包括纵向交替第一及第二区域。使桥材料的第一区域不同于桥材料的第二区域而离子植入以在蚀刻过程中改变第一或第二区域中的一者相对于另一者的相对蚀刻速率。使第一及第二区域经受蚀刻过程以相对于第一及第二区域中的一者选择性地蚀除另一者以形成跨横向地在横向紧邻存储器块区域之间且沿着横向紧邻存储器块区域纵向间隔的沟槽延伸的桥。揭示独立于方法的其它实施例及结构。
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公开(公告)号：CN116940118A
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN202310277418.6
申请日：2023-03-20
Applicant: 美光科技公司
IPC: H10B43/10 , H10B43/35 , H10B43/40 , H10B43/50 , H01L23/528 , H01L23/532
Abstract: 本申请涉及包括存储器单元串的存储器阵列和用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法。一种用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法包括直接在包括含硅材料的导体层上方形成包括竖直交替的第一层和第二层的堆叠。所述堆叠包括横向间隔开的存储器块区和阵列穿孔TAV区。所述堆叠在所述存储器块区中包括延伸穿过所述第一层和所述第二层的沟道材料串。所述堆叠在所述TAV区中包括延伸到所述导体层的所述含硅材料的TAV开口。使金属卤化物与所述含硅材料的所述硅反应以将所述金属卤化物的所述金属沉积在所述导体层中。在沉积所述金属之后，在所述TAV开口中直接抵靠所述所沉积金属形成导电材料，且由此在所述TAV开口中的个别者中形成包括所述导电材料和所述所沉积金属的TAV。公开了结构实施例。
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公开(公告)号：CN116744684A
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN202310033412.4
申请日：2023-01-10
Applicant: 美光科技公司
Abstract: 本申请案涉及包括存储器单元串的存储器阵列和用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法，其中所述方法包括形成分别包括竖直堆叠的存储器块，所述竖直堆叠包括交替的绝缘层面和导电层面。所述导电层面分别包括横向外边缘，所述横向外边缘包括水平地沿着其存储器块延伸的含钼金属导电材料。沟道材料串延伸穿过所述绝缘层面和所述导电层面。形成水平地沿着所述存储器块从所述横向外边缘横向向外延伸的导电或半导电材料中的至少一种，所述横向外边缘包括水平地沿着其存储器块延伸的含钼金属导电材料。形成水平地沿着所述存储器块从所述导电材料或半导电材料中的所述至少一种横向向外延伸的绝缘体材料，所述导电材料或半导电材料从包括所述含钼金属导电材料的所述横向外边缘横向向外。还公开了其它实施例，包含独立于方法的结构。
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公开(公告)号：CN116364154A
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN202211665200.X
申请日：2022-12-23
Applicant: 美光科技公司
IPC: G11C16/24
Abstract: 本发明公开具有高导电率及低互电容的位线以及相关设备、计算系统及方法。一种设备包含：位线，其包含铜；低k介电材料，其在所述位线之间；及气隙，其在所述位线之间。所述低k介电材料机械地支撑所述位线。一种制造存储器装置的方法包含：在电绝缘材料的位线沟槽中形成第一导电材料；移除所述位线沟槽之间的所述电绝缘材料的部分；在所述第一导电材料及所述电绝缘材料的剩余部分上保形地形成低k介电材料；及形成亚保形介电材料以在所述位线沟槽之间形成气隙。所述方法还包含：使所述第一导电材料凹进；及用第二导电材料替换所述第一导电材料的移除部分。
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公开(公告)号：CN113130387B
公开(公告)日：2023-01-03
申请号：CN202011499891.1
申请日：2020-12-18
Applicant: 美光科技公司
IPC: H01L21/768
Abstract: 本申请案涉及钨结构及形成所述结构的方法。描述用于在例如半导体衬底的衬底上方形成钨导电结构的方法。所描述实例包含在支撑结构上方形成含硅材料，例如经掺杂的含硅材料。随后，接着将所述含硅材料转化为含有所述掺杂剂材料的钨晶种材料。接着，将在所述钨晶种材料上方形成较低电阻的钨填充物材料。
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公开(公告)号：CN114649342A
公开(公告)日：2022-06-21
申请号：CN202111526448.3
申请日：2021-12-14
Applicant: 美光科技公司
IPC: H01L27/11524 , H01L27/11529 , H01L27/11531 , H01L27/11548 , H01L27/11556 , H01L27/1157 , H01L27/11573 , H01L27/11575 , H01L27/11582
Abstract: 本申请案涉及集成式组合件和形成集成式组合件的方法。一些实施例包含具有第一存储器区域、第二存储器区和处于所述第一存储器区和第二存储器区之间的中间区的集成式组合件。所述中间区具有邻近所述第一存储器区的第一边缘并且具有邻近所述第二存储器区的第二边缘。沟道材料柱布置于所述第一存储器区和第二存储器区内。导电柱布置于所述中间区内。经掺杂半导体材料处于所述中间区内并且被配置成具有沿着所述第一边缘的第一支脚区、沿着所述第二边缘的第二支脚区和与所述面板相邻的带状区的大体H形结构。一些实施例包含形成集成式组合件的方法。
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公开(公告)号：CN114078869A
公开(公告)日：2022-02-22
申请号：CN202110912453.1
申请日：2021-08-10
Applicant: 美光科技公司
IPC: H01L27/11524 , H01L27/11556 , H01L27/1157 , H01L27/11582
Abstract: 本申请涉及微电子装置以及相关存储器装置、电子系统和方法。所述微电子装置包括：堆叠结构，其包括布置成层的交替的导电结构和绝缘结构，所述层中的每一个分别包括导电结构和绝缘结构；存储器单元串，其竖直延伸穿过所述堆叠结构，所述存储器单元串包括竖直延伸穿过所述堆叠结构的沟道材料；及导电轨，其横向邻近于所述堆叠结构的所述导电结构。所述导电轨包括不同于所述堆叠结构的所述导电结构的材料组成的材料组成。
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公开(公告)号：CN114078758A
公开(公告)日：2022-02-22
申请号：CN202110907474.4
申请日：2021-08-09
Applicant: 美光科技公司
IPC: H01L21/768 , H01L27/11524 , H01L27/11551
Abstract: 本申请涉及微电子装置以及相关存储器装置、电子系统和方法。所述微电子装置包括：导柱结构，其竖直延伸穿过隔离材料；导电线，其电耦合到所述导柱结构；所述导柱结构和所述导电线之间的接触结构；以及所述导电线和所述接触结构之间的互连结构。所述导电线包括钛、钌、铝和钼中的一或多个。所述互连结构包括不同于所述接触结构的材料组成和所述导电线的材料组成中的一或多个的材料组成。
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