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公开(公告)号：CN114078869A
公开(公告)日：2022-02-22
申请号：CN202110912453.1
申请日：2021-08-10
Applicant: 美光科技公司
IPC: H01L27/11524 , H01L27/11556 , H01L27/1157 , H01L27/11582
Abstract: 本申请涉及微电子装置以及相关存储器装置、电子系统和方法。所述微电子装置包括：堆叠结构，其包括布置成层的交替的导电结构和绝缘结构，所述层中的每一个分别包括导电结构和绝缘结构；存储器单元串，其竖直延伸穿过所述堆叠结构，所述存储器单元串包括竖直延伸穿过所述堆叠结构的沟道材料；及导电轨，其横向邻近于所述堆叠结构的所述导电结构。所述导电轨包括不同于所述堆叠结构的所述导电结构的材料组成的材料组成。
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公开(公告)号：CN110574161A
公开(公告)日：2019-12-13
申请号：CN201880027649.9
申请日：2018-04-02
Applicant: 美光科技公司
IPC: H01L27/11556 , H01L27/11524 , H01L27/11529 , H01L27/11582 , H01L27/1157 , H01L27/11573
Abstract: 一种存储器单元的竖向延伸串的阵列包括交替的绝缘层级与字线层级的垂直堆叠。所述字线层级具有对应于控制栅极区域的终端。个别存储器单元的电荷存储材料沿着所述字线层级的所述控制栅极区域中的个别者竖向延伸且并不沿着所述绝缘层级竖向延伸。所述个别存储器单元的电荷阻挡区域横向沿着所述字线层级的所述个别控制栅极区域竖向延伸，通过所述电荷阻挡区域阻挡所述个别控制栅极区域与所述电荷存储材料之间的电荷迁移。沟道材料沿着所述堆叠竖向延伸且通过绝缘电荷通路材料与所述电荷存储材料横向间隔开。存储器单元的所述竖向延伸串中的个别者的所有所述电荷存储材料从存储器单元的所述个别竖向延伸串的所有所述绝缘电荷通路材料横向向外。本发明揭示包含方法实施例的其它实施例。
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公开(公告)号：CN118448454A
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202410548688.0
申请日：2019-08-12
Applicant: 美光科技公司
IPC: H01L29/778 , H01L21/335
Abstract: 本发明涉及包括二维材料的晶体管及相关半导体装置、系统及方法。所述晶体管包括材料上的沟道区域。所述沟道区域包括二维材料，其包括对置侧壁且定向为垂直于所述材料。栅极电介质位于所述二维材料上且栅极位于所述栅极电介质上。本发明公开包含至少一个晶体管的半导体装置及系统，以及形成半导体装置的方法。
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公开(公告)号：CN113755825A
公开(公告)日：2021-12-07
申请号：CN202110608421.2
申请日：2021-06-01
Applicant: 美光科技公司
Abstract: 本专利申请涉及材料沉积系统，以及相关方法和微电子装置。一种材料沉积系统包括前体源以及与所述前体源选择性流体连通的化学气相沉积设备。所述前体源经配置以含有呈液态和固态中的一或多者的至少一种含金属前体材料。所述化学气相沉积设备包括壳体结构、分配歧管和衬底固持器。所述壳体结构经配置和定位以接收包括所述至少一种含金属前体材料的至少一个馈送流体流。所述分配歧管在所述壳体结构内，且与信号发生器电连通。所述衬底固持器在所述壳体结构内，与分配组件间隔开，且与额外信号发生器电连通。还描述了一种微电子装置和形成微电子装置的方法。
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公开(公告)号：CN113257668B
公开(公告)日：2024-12-10
申请号：CN202110067202.8
申请日：2021-01-19
Applicant: 美光科技公司
IPC: H01L21/285 , H01L29/423
Abstract: 本申请案涉及用于在导电材料沉积期间抑制线路弯曲的方法及有关设备。形成结构的方法包括形成从基础结构垂直地延伸的细长特征的图案。在所述细长特征上形成导电材料。在完成形成细长特征的所述图案之后，使所述细长特征、所述导电材料或两者暴露于至少一种表面处理气体。所述至少一种表面处理气体包括至少一个物种，所述至少一个物种经配制以减少所述导电材料的表面处的吸引或内聚力。还描述设备及额外方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112640126B
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN201980056821.8
申请日：2019-08-12
Applicant: 美光科技公司
IPC: H01L29/778 , H01L29/66 , H01L21/8234 , H01L21/02
Abstract: 本申请案涉及包括二维材料的晶体管及相关半导体装置、系统及方法。所述晶体管包括材料上的沟道区域。所述沟道区域包括所述二维材料，其包括对置侧壁且定向为垂直于所述材料。栅极电介质位于所述二维材料上且栅极位于所述栅极电介质上。本发明公开包含至少一个晶体管的半导体装置及系统，以及形成半导体装置的方法。
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公开(公告)号：CN109256325A
公开(公告)日：2019-01-22
申请号：CN201810771083.2
申请日：2018-07-13
Applicant: 美光科技公司
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明涉及在半导体构造中的开口内形成材料的方法和半导体构造。一些实施例包含具有在半导体构造上方的碳氟化合物材料的水平延伸层的构造。一些实施例包含填充延伸到半导体构造中的开口的方法。所述方法可包含例如将所述材料印刷到所述开口中或将所述材料按压到所述开口中。所述构造可经处理使得所述开口内的表面粘附设置于所述开口内的所述材料，而所述开口外部的表面并不粘附所述材料。在一些实施例中，所述开口外部的所述表面经处理以减少所述材料的粘合。
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公开(公告)号：CN111164755B
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN201880063923.8
申请日：2018-10-11
Applicant: 美光科技公司
Abstract: 本发明的实施例包括一种形成晶体管的方法，其包括：形成具有导电栅极材料的竖向最外表面的栅极构造，所述竖向最外表面低于所述栅极构造的两侧旁及所述两侧上方的半导体材料的竖向外表面。使用屏蔽材料来覆盖所述半导体材料及所述导电栅极材料的顶部，所述半导体材料的两对两个相对侧壁表面横向暴露于所述栅极构造的所述两侧上方。在所述覆盖之后，所述栅极构造的所述两侧上方的所述半导体材料经受通过所述两对中的每一者的所述两个横向暴露的相对侧壁表面中的每一者的单层掺杂且由此在所述栅极构造的所述两侧上方形成掺杂源极/漏极区域。
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公开(公告)号：CN112640126A
公开(公告)日：2021-04-09
申请号：CN201980056821.8
申请日：2019-08-12
Applicant: 美光科技公司
IPC: H01L29/778 , H01L29/66 , H01L21/8234 , H01L21/02
Abstract: 本发明公开一种晶体管，其包括材料上的沟道区域。所述沟道区域包括二维材料，其包括对置侧壁且定向为垂直于所述材料。栅极电介质位于所述二维材料上且栅极位于所述栅极电介质上。本发明公开包含至少一个晶体管的半导体装置及系统，以及形成半导体装置的方法。
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公开(公告)号：CN111863813A
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN202010091028.6
申请日：2020-02-13
Applicant: 美光科技公司
IPC: H01L27/108 , H01L21/8242
Abstract: 本申请涉及一种用于形成集成电路的方法，所述方法包括形成衬底，所述衬底包括导线结构，所述导线结构包括相对的纵向侧，所述相对的纵向侧分别地包括横向地在绝缘体材料之间的牺牲材料。所述牺牲材料包括金属氧化物。所述牺牲材料中的至少一些被移除以形成在所述导线结构的所述相对的纵向侧上横向地在所述绝缘体材料之间的向上开口的空隙空间。所述空隙空间覆盖有绝缘材料以在所述导线结构的所述相对的纵向侧上在所述绝缘材料下方留下密封的空隙空间。公开了其它实施例。
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