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公开(公告)号：CN112640126B
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN201980056821.8
申请日：2019-08-12
申请人： 美光科技公司
IPC分类号： H01L29/778 , H01L29/66 , H01L21/8234 , H01L21/02
摘要： 本申请案涉及包括二维材料的晶体管及相关半导体装置、系统及方法。所述晶体管包括材料上的沟道区域。所述沟道区域包括所述二维材料，其包括对置侧壁且定向为垂直于所述材料。栅极电介质位于所述二维材料上且栅极位于所述栅极电介质上。本发明公开包含至少一个晶体管的半导体装置及系统，以及形成半导体装置的方法。
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公开(公告)号：CN116326234A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202180066457.0
申请日：2021-07-08
申请人： 美光科技公司
IPC分类号： H10B12/00
摘要： 本发明提供用于水平存取装置的外延单晶硅生长的系统、方法和设备。一个示例方法包含：沉积第一电介质材料、半导体材料和第二电介质材料的层以形成竖直堆叠；形成第一竖直开口以在所述竖直堆叠中形成具有第一竖直侧壁的细长的竖直柱列；以及穿过所述竖直堆叠形成第二竖直开口以暴露第二竖直侧壁。此外，所述示例方法包含：从所述第二竖直开口选择性地去除所述半导体材料的第一部分以形成水平开口，其中所述半导体材料的其余第二部分在所述水平开口的远离所述第二竖直开口的远端；以及在所述水平开口内从所述水平开口的所述远端朝向所述第二竖直开口外延地生长单晶硅，以填充所述水平开口。
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公开(公告)号：CN114068424A
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN202110654935.1
申请日：2021-06-11
申请人： 美光科技公司
IPC分类号： H01L21/8242 , H01L27/108
摘要： 本公开涉及一种用于形成竖直堆叠式存储器单元的阵列的方法，阵列具有水平取向的存取装置和竖直取向的存取线，其包括：在重复迭代中沉积电介质材料和牺牲材料的交替层以形成竖直堆叠，其中牺牲材料的第一部分位于竖直堆叠的、在其中形成通过沟道区域横向分隔开的第一和第二源/漏区域的第一区域中；使用蚀刻剂工艺形成第一竖直开口，暴露出竖直堆叠中与牺牲材料的第一部分相邻的竖直侧壁；选择性地蚀刻牺牲材料的第一部分以形成第一水平开口，从而去除第一区域中从第一竖直开口向后第一水平距离的牺牲材料；以及在第一水平开口中沉积第一和第二源/漏材料和沟道材料，以在竖直堆叠式存储器单元的阵列之中形成用于存储器单元的三节点存取装置。
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公开(公告)号：CN111492463B
公开(公告)日：2021-07-27
申请号：CN201880081564.9
申请日：2018-12-12
申请人： 美光科技公司
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/324 , H01L21/3065
摘要： 形成半导体装置的实例可包含：通过将包含图案化特征的硅结构暴露于含氟化氢HF溶液而在所述硅结构上形成硅氢Si‑H封端表面；及通过将所述Si‑H封端表面暴露于烯烃及/或炔烃而经由氢化硅烷化执行表面改性。
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公开(公告)号：CN112420839A
公开(公告)日：2021-02-26
申请号：CN202010836620.4
申请日：2020-08-19
申请人： 美光科技公司
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/06 , H01L27/11524 , H01L27/11551
摘要： 本申请涉及包含二维材料的晶体管，并且涉及相关的微电子装置、存储器装置和电子系统。晶体管包括2D材料结构和栅极结构。所述2D材料结构在第一水平方向上平行延伸的介电鳍结构的表面上并且在其之间共形地延伸，并且包括源极区、漏极区和在所述第一水平方向上定位在所述源极区和所述漏极区之间的沟道区。所述栅极结构覆盖所述2D材料结构的所述沟道区，并且在与所述第一水平方向正交的第二水平方向上延伸。所述栅极结构在所述第一水平方向上在所述2D材料结构的所述沟道区的水平边界内。
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公开(公告)号：CN111968990A
公开(公告)日：2020-11-20
申请号：CN202010391450.3
申请日：2020-05-11
申请人： 美光科技公司
IPC分类号： H01L27/1157 , H01L27/11582 , H01L27/11524 , H01L27/11556
摘要： 本申请涉及存储器阵列及形成集成组件的方法。一些实施例包含具有交替的绝缘层级和字线层级的垂直堆叠的存储器阵列。沟道材料沿所述堆叠垂直延伸。所述沟道材料包含半导体组合物并且具有与第二区段交替的第一区段。所述第一区段与所述字线层级相邻，并且所述第二区段与所述绝缘层级相邻。所述第一区段具有第一掺杂剂分布，并且所述第二区段具有与所述第一掺杂剂分布不同的第二掺杂剂分布。一些实施例包含形成集成组件的方法。
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公开(公告)号：CN110383459A
公开(公告)日：2019-10-25
申请号：CN201880016743.4
申请日：2018-03-02
申请人： 美光科技公司
IPC分类号： H01L21/768 , H01L21/027
摘要： 一种形成半导体装置结构的方法包括形成初步结构，所述初步结构包括衬底、在所述衬底上方的光致抗蚀剂材料，及纵向地延伸通过所述光致抗蚀剂材料且至少部分地延伸至所述衬底中的多个结构。将所述初步结构暴露至朝向所述光致抗蚀剂材料及所述多个结构的上部表面以非正交于所述上部表面的角度引导的电磁辐射以形成经图案化光致抗蚀剂材料。显影所述经图案化光致抗蚀剂材料以相对于所述经图案化光致抗蚀剂材料的其它区域选择性地移除所述经图案化光致抗蚀剂材料的一些区域。使用所述经图案化光致抗蚀剂材料的所述其它区域来形成大致上与所述多个结构中的至少一些结构横向地对齐的线性结构。本发明还描述形成半导体装置结构的额外方法。
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公开(公告)号：CN109256325A
公开(公告)日：2019-01-22
申请号：CN201810771083.2
申请日：2018-07-13
申请人： 美光科技公司
IPC分类号： H01L21/02
摘要： 本发明涉及在半导体构造中的开口内形成材料的方法和半导体构造。一些实施例包含具有在半导体构造上方的碳氟化合物材料的水平延伸层的构造。一些实施例包含填充延伸到半导体构造中的开口的方法。所述方法可包含例如将所述材料印刷到所述开口中或将所述材料按压到所述开口中。所述构造可经处理使得所述开口内的表面粘附设置于所述开口内的所述材料，而所述开口外部的表面并不粘附所述材料。在一些实施例中，所述开口外部的所述表面经处理以减少所述材料的粘合。
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公开(公告)号：CN118234226A
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202410316844.0
申请日：2018-11-19
申请人： 美光科技公司
摘要： 本申请涉及包括存储器单元的存储器阵列。一些实施例包含一种存储器阵列，所述存储器阵列具有沿竖直方向延伸的数位线和沿水平方向延伸的字线。所述存储器阵列包含存储器单元，其中所述存储器单元中的每个存储器单元由所述数位线之一和所述字线之一的组合唯一地寻址。所述存储器单元中的每个存储器单元包含具有GaP沟道材料的晶体管。所述晶体管中的每个晶体管具有通过所述GaP沟道材料彼此间隔开的第一源极/漏极区和第二源极/漏极区。所述第一源极/漏极区与所述数位线耦合，并且所述存储器单元中的每个存储器单元包含与所述相关联的晶体管的所述第二源极/漏极区耦合的电容器。公开了其它实施例。
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