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公开(公告)号：CN118782110A
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202410391704.X
申请日：2024-04-02
Applicant: 美光科技公司
Abstract: 本申请涉及在对存储器装置进行编程操作期间的逐叠组升压。存储器装置中的控制逻辑发起对包括顶部叠组和底部叠组的存储器阵列的编程操作。在编程操作的种子设定阶段期间，控制逻辑使第一正电压被施加到存储器阵列的第一多个字线，其中第一多个字线与存储器阵列的底部叠组中处于已编程状态的存储器单元相关联，且使接地电压被施加到存储器阵列的第二多个字线，其中第二多个字线与存储器阵列的顶部叠组中的存储器单元相关联。在编程操作的种子设定阶段结束时，控制逻辑将顶部叠组与底部叠组电分离，且使编程电压在编程操作的抑制阶段期间被施加到存储器阵列的选定字线，其中选定字线与存储器阵列的顶部叠组中的相应存储器单元相关联。
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公开(公告)号：CN118053483A
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202311527465.8
申请日：2023-11-15
Applicant: 美光科技公司
Abstract: 本申请案涉及使用统一准则进行媒体管理扫描以减轻快速及潜在读取干扰。一种系统可包含：存储器装置，其包括多个存储器块；及处理装置，其用于：响应于接收到从所述存储器装置读取存储器块的请求，确定当前时间与相关联于所述存储器块的时间戳之间的时间差；确定所述时间差是否满足第一阈值增量准则；响应于确定所述时间差满足所述第一阈值增量准则，将与所述存储器块相关联的读取计数器递增与所述第一阈值增量准则相关联的第一增量值；确定与所述存储器块相关联的所述读取计数器满足阈值扫描准则；及响应于确定所述读取计数器满足所述阈值扫描准则，执行关于所述存储器块的媒体扫描。
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公开(公告)号：CN118053482A
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202311523039.7
申请日：2023-11-15
Applicant: 美光科技公司
IPC: G11C16/34
Abstract: 本公开涉及耦合到同一串的多个擦除块之间的干扰跟踪。一种设备可包括存储器阵列，所述存储器阵列包括存储器单元的多个串。所述多个串中的每一串可包括：第一存储器单元群组，其耦合到第一存取线群组且对应于第一擦除块；及第二存储器单元群组，其耦合到第二存取线群组且对应于第二擦除块。控制器耦合到所述存储器阵列，且经配置以：对所述第一擦除块的所述第一存储器单元群组执行编程操作；监测在所述第一存储器单元群组的所述编程之后对所述第二存储器单元群组执行的编程及/或擦除操作的数量；及响应于对所述第二存储器单元群组执行的编程及/或擦除操作的所述数量满足某一准则而对所述第一擦除块执行某一动作。
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公开(公告)号：CN117435519A
公开(公告)日：2024-01-23
申请号：CN202310686137.6
申请日：2023-06-09
Applicant: 美光科技公司
IPC: G06F12/0802 , G06F12/0808 , G06F13/16
Abstract: 本公开涉及用于减少块转移损失的缓冲器分配。方法、系统及设备包含接收包含用户数据的写入命令。所述写入命令指向包含第一块及第二块的存储器的一部分。将用于执行所述写入命令的缓冲器分配给所述第一块。所述缓冲器包含多个缓冲器层面且所述缓冲器保存被写入到所述第一块的所述用户数据。将用户数据编程到所述第一块中达到阈值百分比。所述阈值百分比小于所述第一块的百分之百。响应于将所述第一块编程到所述阈值百分比而使所述缓冲器层面无效。将所述缓冲器层面重新分配给第二块以用于将所述用户数据编程到所述第二块中。所述缓冲器层面保存被写入到所述第二块的用户数据。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115732008A
公开(公告)日：2023-03-03
申请号：CN202211027555.6
申请日：2022-08-25
Applicant: 美光科技公司
Abstract: 本申请涉及存储器装置中用于检测读取干扰的牺牲串。存储器装置中的控制逻辑确定对所述存储器装置的存储器阵列的块中的多个存储器串中的第一存储器串起始串读取操作，所述块包括多个字线，其中所述多个存储器串中的每一者包括与所述多个字线相关联的多个存储器单元，且其中所述第一存储器串被指定为牺牲串。所述控制逻辑进一步使读取电压同时施加到所述存储器阵列的所述多个字线中的每一者，且在所述读取电压施加到所述多个字线中的每一者时，感测流动通过指定为所述牺牲串的所述第一存储器串的电流电平。另外，所述控制逻辑基于流动通过指定为所述牺牲串的所述第一存储器串的所述电流电平而识别所述块上是否已发生阈值水平的读取干扰。
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公开(公告)号：CN114930535A
公开(公告)日：2022-08-19
申请号：CN202080092053.4
申请日：2020-12-20
Applicant: 美光科技公司
IPC: H01L27/11582 , H01L27/1157 , H01L27/11573 , H01L27/11575 , H01L25/065
Abstract: 一些实施例包含一种形成存储器装置的方法。将组合件形成为具有延伸通过交错绝缘及导电层级的堆叠并延伸到所述堆叠下方的第一材料中的沟道结构。反转所述组合件，使得所述第一材料在所述堆叠上方，且使得所述沟道结构的第一区域在所述堆叠下方。将所述第一区域中的至少一些与控制电路系统电耦合。移除所述第一材料中的至少一些，且暴露所述沟道结构的第二区域。邻近所述沟道结构的所述经暴露第二区域形成导电掺杂半导体材料。将掺杂剂从所述导电掺杂半导体材料向外扩散到所述沟道结构中。一些实施例包含存储器装置(例如NAND存储器组合件)。
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公开(公告)号：CN108461500B
公开(公告)日：2022-04-29
申请号：CN201810309077.5
申请日：2014-03-05
Applicant: 美光科技公司
Inventor： 查尔斯·H·丹尼森 , 合田晃 , 约翰·霍普金斯 , 法蒂玛·雅逊·席赛克-艾吉 , 克里希纳·K·帕拉
IPC: H01L27/11556 , H01L27/11578
Abstract: 本发明涉及垂直存储器中的浮动栅极存储器单元。控制栅极形成于第一电介质材料叠层与第二电介质材料叠层之间。浮动栅极形成于所述第一电介质材料叠层与所述第二电介质材料叠层之间，其中所述浮动栅极包含朝向所述控制栅极延伸的突出部。电荷阻挡结构形成于所述浮动栅极与所述控制栅极之间，其中所述电荷阻挡结构的至少一部分包覆所述突出部。
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公开(公告)号：CN112119382A
公开(公告)日：2020-12-22
申请号：CN201980032753.1
申请日：2019-05-16
Applicant: 美光科技公司
Abstract: 以第一组扫描中的每个扫描之间的第一时间间隔对存储器系统中的存储器装置执行所述第一组扫描，以检测所述存储器装置上的错误，通过执行所述第一组扫描，确定在所述存储器装置上检测到的错误率在改变，以及响应于确定在所述存储器装置上检测到的所述错误率在改变，以第二组扫描中的每个扫描之间的第二时间间隔执行所述第二组扫描，以检测所述存储器装置上的错误，其中，所述第二时间间隔不同于所述第一时间间隔。
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公开(公告)号：CN112103293A
公开(公告)日：2020-12-18
申请号：CN202010325900.9
申请日：2020-04-23
Applicant: 美光科技公司
IPC: H01L27/11563 , H01L27/11568
Abstract: 本申请案涉及存储器单元及集成结构。一种存储器单元按以下次序包括：沟道材料、电荷通路结构、可编程材料、电荷阻挡区域及控制栅极。所述电荷通路结构包括距离所述沟道材料最近的第一材料、距离所述沟道材料最远的第三材料及位于所述第一材料与所述第三材料之间的第二材料。所述第一材料及所述第三材料包括SiO2。所述第二材料具有0.4纳米到5.0纳米的厚度且包括SiOx，其中“x”小于2.0且大于0。本发明揭示其它实施例。
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