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公开(公告)号：CN115732007A
公开(公告)日：2023-03-03
申请号：CN202210990808.3
申请日：2022-08-18
Applicant: 美光科技公司
Abstract: 本公开涉及存储器平面存取管理。方法包含识别非易失性存储器阵列中的存储器裸片的相应平面中的目标平面，且从所述目标平面中的耦合到共同位线的非易失性存储器单元块识别所述目标平面中的至少一个目标块。所述方法进一步包含执行停用与所述至少一个目标块相关联的至少一个栅极的操作以防止对耦合到所述目标平面中的所述共同位线的所述非易失性存储器单元块的存取。
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公开(公告)号：CN115295047A
公开(公告)日：2022-11-04
申请号：CN202210481161.1
申请日：2022-05-05
Applicant: 美光科技公司
Abstract: 本公开涉及存储器子系统中的间歇式动态开始电压和编程验证采样。存储器装置中的控制逻辑识别与将被编程的存储器单元集的第一存储器单元子集相关联的第一字线群组。在所述第一存储器单元子集的第一部分上执行包含第一编程脉冲集和第一编程验证操作集的第一动态开始电压操作以识别第一动态开始电压电平，所述第一动态开始电压操作的所述执行包含致使所述第一编程脉冲集施加到所述第一字线群组的至少一部分。致使包含具有所述第一动态开始电压电平的至少一个编程脉冲的第二编程脉冲集施加于所述第一字线群组以编程所述存储器单元集的所述第一存储器单元子集的第二部分。
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公开(公告)号：CN114694722A
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN202111635918.X
申请日：2021-12-29
Applicant: 美光科技公司
Abstract: 本申请涉及用于暂时中止和恢复操作的存储器装置。存储器装置可包含存储器单元阵列和配置成存取所述存储器单元阵列的控制器。所述控制器可进一步配置成：接收进行擦除操作的命令；和响应于进行所述擦除操作的所述命令，开始所述擦除操作的执行。所述控制器可进一步配置成：在执行所述擦除操作时，接收进行编程操作的命令；响应于进行所述编程操作的所述命令，暂时中止所述擦除操作的所述执行；和在所述擦除操作的所述执行暂时中止的情况下，执行所述编程操作。
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公开(公告)号：CN113990875A
公开(公告)日：2022-01-28
申请号：CN202110844079.6
申请日：2021-07-26
Applicant: 美光科技公司
IPC: H01L27/11519 , H01L27/11524 , H01L27/11551 , H01L27/11565 , H01L27/1157 , H01L27/11578 , G11C5/06 , G11C16/04
Abstract: 本申请涉及在存储器阵列下方具有后侧接合垫的存储器装置。提供了一种设备，其包括：衬底，其具有前侧和与所述前侧相对的后侧；控制电路系统，其安置在所述衬底的所述前侧上方；存储器阵列，其安置在所述控制电路系统上方并且电耦合到所述控制电路系统；穿硅通孔TSV，其安置在所述存储器阵列下方，所述TSV穿过所述衬底从所述控制电路系统延伸到所述衬底的所述后侧；以及接合垫，其安置在所述衬底的所述后侧上并且经由所述TSV电耦合到所述控制电路系统。
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公开(公告)号：CN111341368A
公开(公告)日：2020-06-26
申请号：CN201911227090.7
申请日：2019-12-04
Applicant: 美光科技公司
Inventor： E·N·李
Abstract: 本申请案涉及用于使用多步阶编程脉冲对存储器单元进行编程的设备及方法。操作存储器的方法及经配置以执行类似方法的存储器可包含：将特定多步阶编程脉冲施加到编程操作的所选择存取线；及将下一后续多步阶编程脉冲施加到所述所选择存取线，其中所述特定多步阶编程脉冲包含具有第一电压电平的第一步阶及具有不同于所述第一电压电平的第二电压电平的第二步阶，且其中所述下一后续多步阶编程脉冲包含具有第三电压电平的第一步阶及具有不同于所述第三电压电平并高于所述第一电压电平的第四电压电平的第二步阶。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119580804A
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202411241456.7
申请日：2024-09-05
Applicant: 美光科技公司
Abstract: 本公开涉及针对存储器装置的区段的多写编程。存储器装置能够包含包括布置于一或多个页中的存储器单元的存储器阵列。所述存储器阵列能够耦合到控制逻辑以接收将第一数据写入到所述一或多个页中的页的第一请求且响应于接收到所述第一请求而在第一时间将所述第一数据编程到所述一或多个页中的所述页。所述控制逻辑进一步用于接收将第二数据写入到所述一或多个页中的所述页的第二请求，响应于接收到所述第二请求而在第二时间读取所述一或多个页中的所述页且将所述第二数据编程到所述一或多个页中的所述页。所述控制逻辑还能够在所述第二时间之后接收擦除所述一或多个页的擦除请求。
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公开(公告)号：CN110854122B
公开(公告)日：2024-01-16
申请号：CN201910768465.4
申请日：2019-08-20
Applicant: 美光科技公司
Inventor： E·N·李
Abstract: 本申请涉及装置、存储器装置和电子系统。一种半导体装置结构包括：块，其具有贯穿第一区、与所述第一存储器区侧向相邻的第二区和与所述第二区侧向相邻的第三区侧向延伸的基本上均匀的节距；存储器串，其纵向延伸穿过位于所述第一区中的所述块的第一部分；柱结构，其纵向延伸穿过位于所述第二区中的所述块的第二部分；导电触点，其纵向延伸穿过位于所述第三区中的所述块的第三部分；以及导电线结构，其电耦合到所述存储器串和所述导电触点且在所述存储器串与所述导电触点之间侧向延伸。所述块中的每一个包括层，每一层包括导电结构和与所述导电结构纵向相邻的绝缘结构。还描述了半导体装置和电子系统。
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公开(公告)号：CN116206655A
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202211514486.1
申请日：2022-11-29
Applicant: 美光科技公司
Abstract: 本申请涉及一种用于多层级单元存储器装置中的编程验证配对的方法和设备。存储器装置中的控制逻辑起始编程操作的第一循环，所述第一循环包括(a)其中将与存储器阵列的块中的选定字线相关联的多个存储器单元编程到多个编程电平中的相应者的编程阶段，及(b)对应编程验证阶段。所述控制逻辑进一步标识所述多个存储器单元中与待在所述编程验证阶段期间验证的所述多个编程电平的第一子集相关联的存储器单元，所述第一子集包括两个或更多个动态选择的编程电平，所述两个或更多个动态选择的编程电平至少包括所述多个编程电平中的所述相应者的最低编程电平和第二低编程电平。所述控制逻辑进一步使得在所述编程验证阶段期间将第一编程验证电压施加到所述选定字线，并且对所述多个存储器单元中与所述多个编程电平的所述第一子集相关联的所标识存储器单元执行并行感测操作，以确定所述所标识存储器单元是否在所述编程操作的所述第一循环的所述编程阶段期间被编程到对应于所述多个编程电平的所述第一子集的相应编程验证阈值电压。
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公开(公告)号：CN114639408A
公开(公告)日：2022-06-17
申请号：CN202111545041.5
申请日：2021-12-16
Applicant: 美光科技公司
Abstract: 本申请案涉及一种用于多个读取操作的存储器装置。存储器装置可包含存储器单元阵列、多个存取线和控制逻辑。所述存储器单元阵列包含多个串联连接的存储器单元串。所述多个存取线中的每一存取线连接到所述多个串联连接的存储器单元串中的每一串联连接的存储器单元串的相应存储器单元的控制栅极。所述控制逻辑配置成：打开所述存储器单元阵列以用于多个读取操作；从耦合到所述多个存取线中的所选存取线的相应存储器单元读取第一页数据；从耦合到所述所选存取线的所述相应存储器单元读取第二页数据；且在读取所述第一页数据和所述第二页数据之后关闭所述存储器单元阵列。
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