公开(公告)号：CN118737230A

公开(公告)日：2024-10-01

申请号：CN202410350865.4

申请日：2024-03-26

Applicant: 美光科技公司

Inventor： W·C·菲利皮亚克 ,  曾怀远

IPC: G11C16/08 ,  G11C16/12 ,  G11C16/24 ,  G11C16/34 ,  G06F7/523

Abstract: 本申请案涉及使用字线校准进行矩阵向量乘法的存储器装置。本发明涉及与使用存储器胞元执行乘法的存储器装置相关的系统、方法及设备。在一种方法中，存储器胞元阵列具有用于基于加总来自存储器胞元的输出电流来执行矩阵向量乘法的所述存储器胞元。所述存储器胞元阵列的上下文由控制器(例如在具有所述阵列的存储器芯片内部或外部的存储器控制器)确定。例如，所述上下文可包含与数据保留应力、快速电荷损失、反向模式效应及/或交叉温度变化相关的存储器胞元条件。基于所述经确定上下文，所述控制器动态确定对在所述乘法期间使用的字线及/或其它存储器胞元偏压电压的调整。

公开(公告)号：CN119580804A

公开(公告)日：2025-03-07

申请号：CN202411241456.7

申请日：2024-09-05

Applicant: 美光科技公司

Inventor： 曾怀远 ,  X·唐 ,  E·N·李 ,  H·李 ,  K·K·姆奇尔拉 ,  合田晃

IPC: G11C16/16 ,  G11C16/04 ,  G11C16/34

Abstract: 本公开涉及针对存储器装置的区段的多写编程。存储器装置能够包含包括布置于一或多个页中的存储器单元的存储器阵列。所述存储器阵列能够耦合到控制逻辑以接收将第一数据写入到所述一或多个页中的页的第一请求且响应于接收到所述第一请求而在第一时间将所述第一数据编程到所述一或多个页中的所述页。所述控制逻辑进一步用于接收将第二数据写入到所述一或多个页中的所述页的第二请求，响应于接收到所述第二请求而在第二时间读取所述一或多个页中的所述页且将所述第二数据编程到所述一或多个页中的所述页。所述控制逻辑还能够在所述第二时间之后接收擦除所述一或多个页的擦除请求。

公开(公告)号：CN117636971B

公开(公告)日：2025-01-14

申请号：CN202311013373.8

申请日：2023-08-11

Applicant: 美光科技公司

Inventor： K·K·姆奇尔拉 ,  曾怀远 ,  G·M·鲍路西 ,  D·S·埃布森 ,  J·菲兹帕特里克 ,  合田晃 ,  J·S·麦克尼尔 ,  U·西奇利亚尼 ,  D·J·哈伯德 ,  W·迪·弗朗西斯可 ,  M·因卡尔纳蒂

IPC: G11C16/10

Abstract: 本申请案涉及一种用于校正性编程及功率损耗管理的方法、系统及非暂时性计算机可读存储媒体。包含用于控制将数据位写入到存储器装置的编程管理器的示范性方法、设备及系统。所述编程管理器接收用于编程到存储器的第一组数据位。在第一遍次编程期间，编程管理器将数据位的第一子集写入到第一字线。所述编程管理器将所述第一组数据位中的数据位的第二子集写入到缓冲器。所述编程管理器接收用于编程的第二组数据位。所述编程管理器响应于接收到所述第二组数字位而在第二遍次编程期间将所述第一组数据位中的数据位的所述第二子集写入到所述第一字线以增加所述第一字线中的存储器单元的位密度。

公开(公告)号：CN118899008A

公开(公告)日：2024-11-05

申请号：CN202410539681.2

申请日：2024-04-30

Applicant: 美光科技公司

Inventor： R·W·梅森 ,  P·舒克拉 ,  曾怀远 ,  合田晃 ,  K·K·姆奇尔拉

IPC: G11C5/14 ,  G11C7/04 ,  G11C16/30 ,  G11C16/10 ,  G11C16/34 ,  G11C16/04

Abstract: 本申请案涉及用于管理电压恢复操作的技术。在一些情况中，作为执行将数据存储到一组存储器单元的写入命令的部分，存储器系统可存储写入操作发生的初始时间的指示、所述一组存储器单元在所述初始时间的温度或两者。所述存储器系统随后可基于从所述初始时间起的持续时间及所述一组存储器单元在所述持续时间期间的温度来管理累加值。如果所述累加值超过累加阈值，那么所述存储器系统可识别所述一组存储器单元的降级指示。如果所述指示超过降级阈值，那么所述存储器系统可执行电压恢复操作以修改所述一组存储器单元的电压。

公开(公告)号：CN117636971A

公开(公告)日：2024-03-01

申请号：CN202311013373.8

申请日：2023-08-11

Applicant: 美光科技公司

Inventor： K·K·姆奇尔拉 ,  曾怀远 ,  G·M·鲍路西 ,  D·S·埃布森 ,  J·菲兹帕特里克 ,  合田晃 ,  J·S·麦克尼尔 ,  U·西奇利亚尼 ,  D·J·哈伯德 ,  W·迪·弗朗西斯可 ,  M·因卡尔纳蒂

IPC: G11C16/10

Abstract: 本申请案涉及一种用于校正性编程及功率损耗管理的方法、系统及非暂时性计算机可读存储媒体。包含用于控制将数据位写入到存储器装置的编程管理器的示范性方法、设备及系统。所述编程管理器接收用于编程到存储器的第一组数据位。在第一遍次编程期间，编程管理器将数据位的第一子集写入到第一字线。所述编程管理器将所述第一组数据位中的数据位的第二子集写入到缓冲器。所述编程管理器接收用于编程的第二组数据位。所述编程管理器响应于接收到所述第二组数字位而在第二遍次编程期间将所述第一组数据位中的数据位的所述第二子集写入到所述第一字线以增加所述第一字线中的存储器单元的位密度。