公开(公告)号：CN118782110A

公开(公告)日：2024-10-15

申请号：CN202410391704.X

申请日：2024-04-02

Applicant: 美光科技公司

Inventor： L·雷蒙多 ,  V·莫斯基亚诺 ,  S·S·瑞胡那森 ,  合田晃

IPC: G11C8/08 ,  G11C8/14 ,  G11C16/30

Abstract: 本申请涉及在对存储器装置进行编程操作期间的逐叠组升压。存储器装置中的控制逻辑发起对包括顶部叠组和底部叠组的存储器阵列的编程操作。在编程操作的种子设定阶段期间，控制逻辑使第一正电压被施加到存储器阵列的第一多个字线，其中第一多个字线与存储器阵列的底部叠组中处于已编程状态的存储器单元相关联，且使接地电压被施加到存储器阵列的第二多个字线，其中第二多个字线与存储器阵列的顶部叠组中的存储器单元相关联。在编程操作的种子设定阶段结束时，控制逻辑将顶部叠组与底部叠组电分离，且使编程电压在编程操作的抑制阶段期间被施加到存储器阵列的选定字线，其中选定字线与存储器阵列的顶部叠组中的相应存储器单元相关联。

公开(公告)号：CN118519576A

公开(公告)日：2024-08-20

申请号：CN202410163221.4

申请日：2024-02-05

Applicant: 美光科技公司

Inventor： T·阿吕 ,  N·乔基尼 ,  S·S·瑞胡那森 ,  胡广 ,  W·迪·弗朗西斯可 ,  U·西奇利亚尼 ,  V·莫斯基亚诺 ,  K·班纳吉

IPC: G06F3/06

Abstract: 本申请案涉及存储器装置中的稳定状态错误处置分档选择。一种方法包含：检测包含存储器块的存储器装置的存储器控制信号的改变；至少基于所述存储器控制信号的所述改变而确定所述存储器装置处于稳定状态中；及响应于确定所述存储器装置处于所述稳定状态中而将电压偏移分档与所述存储器装置的至少一个存储器块相关联。

公开(公告)号：CN118053482A

公开(公告)日：2024-05-17

申请号：CN202311523039.7

申请日：2023-11-15

Applicant: 美光科技公司

Inventor： 合田晃 ,  K·K·姆奇尔拉 ,  S·S·瑞胡那森 ,  L·雷蒙多 ,  辉俊胜 ,  罗贤钢 ,  A·马尔谢 ,  J·黄

IPC: G11C16/34

Abstract: 本公开涉及耦合到同一串的多个擦除块之间的干扰跟踪。一种设备可包括存储器阵列，所述存储器阵列包括存储器单元的多个串。所述多个串中的每一串可包括：第一存储器单元群组，其耦合到第一存取线群组且对应于第一擦除块；及第二存储器单元群组，其耦合到第二存取线群组且对应于第二擦除块。控制器耦合到所述存储器阵列，且经配置以：对所述第一擦除块的所述第一存储器单元群组执行编程操作；监测在所述第一存储器单元群组的所述编程之后对所述第二存储器单元群组执行的编程及/或擦除操作的数量；及响应于对所述第二存储器单元群组执行的编程及/或擦除操作的所述数量满足某一准则而对所述第一擦除块执行某一动作。

公开(公告)号：CN115527591A

公开(公告)日：2022-12-27

申请号：CN202210729702.8

申请日：2022-06-24

Applicant: 美光科技公司

Inventor： V·莫斯基亚诺 ,  S·S·瑞胡那森 ,  陈海欧 ,  W·迪·弗朗西斯可

IPC: G11C16/16 ,  G11C16/34

Abstract: 描述了用于执行部分块擦除操作的系统和方法。一种实例存储器装置包括：存储器阵列，其包括电耦合到多个字线的多个存储器单元；以及控制器，其耦合到所述存储器阵列，所述控制器执行包括以下各项的操作：在存储器装置中识别包括多个存储器单元的块；在所述块中估计具有预定义编程状态的页的数目；基于具有所述预定义编程状态的页的所述数目而确定待应用于所述块的擦除验证电压；致使相对于所述块执行擦除操作；以及致使使用所述擦除验证电压来相对于所述块执行擦除验证操作。

公开(公告)号：CN118053481A

公开(公告)日：2024-05-17

申请号：CN202311529461.3

申请日：2023-11-15

Applicant: 美光科技公司

Inventor： 合田晃 ,  K·K·姆奇尔拉 ,  S·S·瑞胡那森 ,  L·雷蒙多 ,  辉俊胜 ,  罗贤钢 ,  A·马尔谢 ,  J·黄

IPC: G11C16/16 ,  G11C16/08

Abstract: 本申请涉及用于耦合到同一串的多个擦除块当中的读取干扰跟踪的设备及方法。一种设备可包括存储器阵列，所述存储器阵列包括存储器单元的多个串，每一串包括：第一存储器单元群组，其耦合到第一存取线群组且对应于第一擦除块；及第二存储器单元群组，其耦合到第二存取线群组且对应于第二擦除块。控制器经配置以通过监测所述第一擦除块因以下操作而经历的读取干扰应力来确定由所述第一擦除块经历的读取干扰应力的积累量：对所述第一擦除块执行的读取操作；对所述第二擦除块执行的读取操作；及对所述第二擦除块执行的编程验证操作。所述控制器可响应于由所述第一擦除块经历的读取干扰应力的所述积累量满足某一准则而对所述第一擦除块执行某一动作。

公开(公告)号：CN116343855A

公开(公告)日：2023-06-27

申请号：CN202211657120.X

申请日：2022-12-22

Applicant: 美光科技公司

Inventor： V·莫斯基亚诺 ,  S·S·瑞胡那森 ,  W·迪·弗朗西斯可

IPC: G11C8/08

Abstract: 本公开是针对字线或立柱状态检测以实现更快读取存取时间。存储器装置包含配置成子块的存储器胞元阵列。子块的存储器胞元耦合到所述阵列的立柱，且与多个字线相关联。为执行读取操作，与所述阵列耦合的控制逻辑执行操作，所述操作包含：跟踪选定字线在能够从与所述选定字线相关联的存储器胞元读取数据之前达到通过电压所花费的时间长度；响应于所述时间长度满足第一阈值准则，致使在读取所述数据之前经过第一延迟时间；及响应于所述时间长度满足比所述第一阈值准则长的第二阈值准则，致使在读取所述数据之前经过第二延迟时间，所述第二延迟时间比所述第一延迟时间长。

公开(公告)号：CN115240745A

公开(公告)日：2022-10-25

申请号：CN202210429938.X

申请日：2022-04-22

Applicant: 美光科技公司

Inventor： K·K·姆奇尔拉 ,  G·普齐利 ,  V·P·拉亚普鲁 ,  A·马尔谢 ,  J·菲兹帕特里克 ,  S·S·瑞胡那森 ,  V·莫斯基亚诺 ,  T·吉拉尔迪

IPC: G11C16/26 ,  G11C16/34

Abstract: 本申请案涉及将高读取数据存储在存储器装置的低影响读取干扰页面处。存储器装置的高读取数据管理器接收在存储器装置的多个字线中的第一字线上执行数据重定位操作的请求，所述存储器装置包括多个多电平存储器单元，其中每一多电平存储器单元包括多个页面；确定所述第一字线包括存储在所述多个页面中的一或多个高读取干扰页面处的数据；确定所述数据是否包括满足与存储在所述多个字线中的额外字线上的额外数据有关的阈值准则的特性；响应于确定所述数据包括满足所述阈值准则的所述特性，识别用于重定位所述数据的目标字线的所述多个页面中的一或多个低读取干扰页面；及响应于识别所述目标字线的所述一或多个低读取干扰页面，将所述数据的至少一部分存储在所述目标字线的所述一或多个低读取干扰页面处。