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公开(公告)号：CN115206378B
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202210329227.5
申请日：2022-03-30
Applicant: 美光科技公司
Abstract: 本申请案涉及降低相变存储器阵列中的短位的影响的系统及方法。一种存储器装置包含包括多个存储器元件的存储器阵列及耦合到所述存储器阵列的存储器控制器。所述存储器控制器在处于操作中时接收所述存储器阵列中的缺陷的指示，当所述缺陷正影响所述多个存储器元件中的仅一个存储器元件时，确定所述缺陷的第一位置，当所述缺陷正影响所述多个存储器元件中的两个或更多个存储器元件时，确定所述缺陷的第二位置，及当所述缺陷正影响所述多个存储器元件中的两个或更多个存储器元件时，在所述第二位置处对有缺陷存储器元件执行熔断操作。
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公开(公告)号：CN117636980A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202311099526.5
申请日：2023-08-29
Applicant: 美光科技公司
Abstract: 本申请涉及部分块读取电压偏移。一种存储器装置可包含存储器及控制器。所述控制器可经配置以接收与所述存储器的块相关联的读取命令。所述控制器可经配置以确定与所述块相关联的块类型。所述控制器可经配置以基于所述块类型，识别与所述块相关联的读取操作的一或多个读取电压偏移。所述控制器可经配置以基于所述一或多个读取电压偏移来执行所述读取操作。
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公开(公告)号：CN114530177A
公开(公告)日：2022-05-24
申请号：CN202111190762.9
申请日：2021-10-13
Applicant: 美光科技公司
IPC: G11C13/00
Abstract: 本申请案涉及动态提升存储器装置的读取电压。与动态确定存储器装置中使用的读取电压有关的系统、方法和设备。在一个方法中，存储器装置具有包含存储器单元的存储器阵列。一或多个电阻器形成为所述存储器阵列的部分。在对所述存储器单元执行写入操作时，存储器控制器使计数器递增。当所述计数器达到限制时，对所述电阻器执行写入操作。所述写入操作将电压以类似于在正常操作期间随时间推移施加到所述存储器单元的方式施加到所述电阻器。当执行读取操作时，将电流施加到所述电阻器中的一或多者以确定升压电压。当读取所述存储器单元时，基于所述升压电压而调整读取电压。使用经调整读取电压来读取所述存储器单元。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118053483A
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202311527465.8
申请日：2023-11-15
Applicant: 美光科技公司
Abstract: 本申请案涉及使用统一准则进行媒体管理扫描以减轻快速及潜在读取干扰。一种系统可包含：存储器装置，其包括多个存储器块；及处理装置，其用于：响应于接收到从所述存储器装置读取存储器块的请求，确定当前时间与相关联于所述存储器块的时间戳之间的时间差；确定所述时间差是否满足第一阈值增量准则；响应于确定所述时间差满足所述第一阈值增量准则，将与所述存储器块相关联的读取计数器递增与所述第一阈值增量准则相关联的第一增量值；确定与所述存储器块相关联的所述读取计数器满足阈值扫描准则；及响应于确定所述读取计数器满足所述阈值扫描准则，执行关于所述存储器块的媒体扫描。
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公开(公告)号：CN117612589A
公开(公告)日：2024-02-27
申请号：CN202310511123.0
申请日：2023-05-08
Applicant: 美光科技公司
Abstract: 本公开涉及非易失性存储器装置中的部分块处理。存储器子系统中的处理装置启动用于存储器装置的锁闭块的部分块处理协议，所述块包括多个字线。所述处理装置进一步将第一编程命令发送到所述存储器装置以将所述块的一或多个字线编程为具有含第一数据模式的第一填充数据，其中所述一或多个字线邻近于在所述块锁闭之前编程的所述块的最后一个字线。此外，所述处理装置将第二编程命令发送到所述存储器装置以将所述块的所有其余字线集合编程为具有含第二数据模式的第二填充数据，所述第二数据模式每单元包括比所述第一数据模式更少的数据位。
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公开(公告)号：CN119170061A
公开(公告)日：2024-12-20
申请号：CN202410784502.1
申请日：2024-06-18
Applicant: 美光科技公司
Abstract: 本公开涉及字线群组的阈值电压偏移的动态调整。一种系统包含：存储器装置；及处理装置，其与所述存储器装置可操作地耦合以执行包含以下的操作：接收对所述存储器装置的一组存储器单元执行读取操作的请求；识别耦合到所述存储器装置的所述一组存储器单元的字线群组；识别与所述一组存储器单元相关联的阈值电压偏移仓；确定与所述一组存储器单元相关联的当前温度；基于所述阈值电压偏移仓及所述当前温度来确定与所述一组存储器单元相关联的读取掩码标识符；基于所述读取掩码标识符及所述字线群组来确定与所述一组存储器单元相关联的一组阈值电压偏移；及使用所述一组阈值电压偏移来执行所述读取操作。
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公开(公告)号：CN118471296A
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202410173364.3
申请日：2024-02-07
Applicant: 美光科技公司
Abstract: 一种存储器子系统具有：存储器装置，其具有多个单元；及处理装置，其可操作地耦合到所述存储器装置，所述处理装置用于执行以下操作：响应于检测到断电事件，将所述多个单元的虚设子集编程到预定义逻辑状态；响应于检测到加电事件，确定与所述多个单元的所述虚设子集相关联的电压移位；及基于所述电压移位，识别对应于与所述多个单元的指定子集相关联的电压偏移仓的电压偏移仓移位。
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公开(公告)号：CN117321606A
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202280034407.9
申请日：2022-04-05
Applicant: 美光科技公司
IPC: G06N3/063 , G06N3/0464
Abstract: 设备及方法可涉及在存储器中实施二进制神经网络。可利用电阻式存储器阵列来实施二进制神经网络。所述存储器阵列可包括可编程存储器单元，所述可编程存储器单元可经编程且用于存储所述二进制神经网络的权重且执行与所述二进制神经网络一致的操作。所述二进制神经网络的所述权重可对应于非零值。
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