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公开(公告)号：CN116543814A
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN202310048876.2
申请日：2023-02-01
申请人： 美光科技公司
摘要： 本申请涉及用于字线群组的参考电压调整。在一些实例中，存储器系统的一或多个组件可确定数据已存储到一或多个存储器单元的持续时间。基于所述持续时间，可相应地调整一或多个参考电压的电压值。举例来说，可基于所述持续时间调整一或多个参考电压的电压值。此外，相对于已存储数据相对较短持续时间的存储器单元，可响应于所述存储器单元已存储数据相对较长持续时间而不同地调整所述参考电压值。可在后续读取操作期间使用调整后的参考电压。举例来说，可逐字线群组地在字线群组上调整所述一或多个参考电压的所述电压值。
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公开(公告)号：CN115223637A
公开(公告)日：2022-10-21
申请号：CN202210404517.1
申请日：2022-04-18
申请人： 美光科技公司
摘要： 本申请案涉及基于电压阈值预测的存储器管理。一种方法包含：使用第一电压执行涉及一组存储器单元的第一读取操作；基于所述第一读取操作确定与所述组存储器单元相关联的位的数量；当所述位的数量高于所述组存储器单元的阈值位数量时，使用大于所述第一电压的第二电压执行涉及所述组存储器单元的第二读取操作；及当所述位的数量低于所述组存储器单元的所述阈值位数量时，使用小于所述第一单元的第三电压执行涉及所述组存储器单元的所述第二读取操作。
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公开(公告)号：CN117636978A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202311087474.X
申请日：2023-08-28
申请人： 美光科技公司
摘要： 描述与存储器块擦除协议有关的系统和方法。示例系统包含存储器装置，所述存储器装置具有包含多个存储器单元的存储器阵列。所述系统进一步包含耦合到所述存储器装置的处理装置。所述处理装置用于确定与所述存储器阵列相关联的度量的值。响应于确定所述度量的所述值低于预定阈值，所述处理装置进一步用于发起所述存储器装置的擦除协议。所述处理装置进一步用于擦除与所述存储器阵列的一或多个存储器块相关联的存储器单元集合。所述处理装置进一步用于接收针对所述存储器单元第一集合的编程命令。所述处理装置进一步用于响应于接收到所述编程命令，对存储器单元集合执行编程操作。
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公开(公告)号：CN114639413A
公开(公告)日：2022-06-17
申请号：CN202111459690.3
申请日：2021-12-02
申请人： 美光科技公司
摘要： 本申请涉及错误恢复操作。一种方法包含确定与存储器单元的集合相关联的数据可靠性参数是否大于阈值数据可靠性参数和响应于确定所述数据可靠性参数大于所述阈值数据可靠性参数，进行错误恢复操作。所述方法进一步包含在进行所述错误恢复操作之后，确定与存储器单元的所述集合相关联的所述数据可靠性参数是否小于所述阈值数据可靠性参数和响应于确定所述数据可靠性参数小于所述阈值数据可靠性参数，将与所述错误恢复操作相关联的偏移设置为存储器单元的所述集合的默认读取电压。
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公开(公告)号：CN115525215A
公开(公告)日：2022-12-27
申请号：CN202210705426.1
申请日：2022-06-21
申请人： 美光科技公司
摘要： 本申请案是针对存储器存取模式选择。一种方法包含确定存储器装置的存储器单元的一或多个质量属性，接收涉及写入到所述存储器单元的至少一部分的数据的存储器存取请求，以及确定所述存储器存取请求是对应于随机读取操作还是顺序读取操作。所述方法进一步包含响应于确定所述存储器存取请求对应于随机读取操作或响应于确定存储器单元的所述一或多个质量属性大于阈值质量水平或这两者，选择读取模式用于执行所述随机读取操作，且使用所述选择的读取模式执行所述随机读取操作。
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