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公开(公告)号：CN114911722B
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202210106320.X
申请日：2022-01-28
申请人： 美光科技公司
摘要： 本申请涉及存储器系统中的基于拓扑的弃用。在一些实例中，存储器系统或存储器装置可配置成评估关于存储器阵列的物理或电气组织的错误条件，其可支持推断存储器装置的一或多个结构中是否存在缺陷。举例来说，基于检测到的错误的各种评估，存储器系统或存储器装置可能够推断可与随时间推移而磨损或劣化相关的存储器阵列的短路、开路、介质击穿或其它缺陷的存在，且基于此类推断弃用存储器阵列的一部分。
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公开(公告)号：CN115223637A
公开(公告)日：2022-10-21
申请号：CN202210404517.1
申请日：2022-04-18
申请人： 美光科技公司
摘要： 本申请案涉及基于电压阈值预测的存储器管理。一种方法包含：使用第一电压执行涉及一组存储器单元的第一读取操作；基于所述第一读取操作确定与所述组存储器单元相关联的位的数量；当所述位的数量高于所述组存储器单元的阈值位数量时，使用大于所述第一电压的第二电压执行涉及所述组存储器单元的第二读取操作；及当所述位的数量低于所述组存储器单元的所述阈值位数量时，使用小于所述第一单元的第三电压执行涉及所述组存储器单元的所述第二读取操作。
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公开(公告)号：CN118538267A
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN202410192724.4
申请日：2024-02-21
申请人： 美光科技公司
摘要： 本申请案涉及混合动态字线起始电压。控制器可将一或多个编程命令传达到NAND存储器装置。所述存储器装置可执行对应于由所述控制器传达的所述编程命令的编程操作。所述存储器装置可使用字线起始电压执行所述编程操作。一旦所述编程操作完成，所述存储器装置就可将与执行所述编程操作相关联的最低字线起始电压偏移传达到所述控制器。
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公开(公告)号：CN115705909A
公开(公告)日：2023-02-17
申请号：CN202210960791.7
申请日：2022-08-11
申请人： 美光科技公司
摘要： 本申请针对用于管理存储器系统的暂时弃用的块的技术。在一些实例中，存储器系统或存储器装置的各方面可配置成确定存储器单元块的错误。举例来说，控制器可确定所述错误的存在且可暂时弃用所述块。可对暂时弃用的块执行媒体管理操作，且取决于所述错误的一或多个特性，可启用或弃用所述暂时弃用的块。
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公开(公告)号：CN115588456A
公开(公告)日：2023-01-10
申请号：CN202210781648.1
申请日：2022-07-04
申请人： 美光科技公司
摘要： 本公开涉及存储器装置中的功率行为检测。一种方法包含：由处理装置接收指示到存储器装置MD的功率循环PC的信令，所述信令具有指示通电操作的第一信号和指示断电操作的第二信号；以及至少部分基于预定时间间隔PTI内到所述MD的功率循环数量(n)以及针对所述PTI内的每一PC的所述第一信号和所述第二信号的接收之间的时间量确定所述MD的平均通电时间APOT。所述PTI内所述第一信号和所述第二信号的接收之间的所述时间量中的每一个的总和提供到所述MD的总通电时间(T)，且所述APOT等于T/n。当所述APOT小于(
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公开(公告)号：CN115249506B
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN202210457036.7
申请日：2022-04-27
申请人： 美光科技公司
摘要： 本申请案涉及基于经编程存储器单元的数目的近接干扰修复。描述一种方法，其包含由存储器装置的存储器子系统控制器确定一组存储器单元中处于经编程状态的存储器单元的数目。所述存储器子系统控制器进一步比较所述一组存储器单元中处于所述经编程状态的存储器单元的所述数目与近接干扰阈值，且响应于确定所述数目满足所述近接干扰阈值而对存储于所述一组存储器单元中的用户数据执行修复操作。
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公开(公告)号：CN116364136A
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN202211696014.2
申请日：2022-12-28
申请人： 美光科技公司
IPC分类号： G11C8/12
摘要： 本申请涉及用于在保持损失后增强系统性能的技术。存储器系统可响应于接收到断电通知而对存储器单元页进行编程。作为所述编程的一部分，所述存储器系统可记录所述页的电压阈值的指示，并在一段时间内断电，在此期间所述存储器系统可能经历保持损失。通电时，所述存储器装置可将所述页的所述电压阈值与断电之前存储的所述指示进行比较，并确定所述存储器系统的一或多个块的电压偏移。在一些情况下，所述存储器系统可使用所述电压偏移来确定起始块组，并且可发起块组扫描以确定所述一或多个块的最终块组。
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公开(公告)号：CN115114075A
公开(公告)日：2022-09-27
申请号：CN202210267561.2
申请日：2022-03-17
申请人： 美光科技公司
摘要： 本申请涉及冗余阵列管理技术。一种存储器系统可包含易失性存储器装置、非易失性存储器装置和一或多个独立节点冗余阵列。所述存储器系统可包含独立节点冗余阵列的第一冗余阵列控制器和第二冗余阵列控制器。所述存储器系统可接收与将数据写入到一种类型的存储器单元相关联的写入命令。基于所述类型的存储器单元，所述存储器系统可使用所述第一冗余阵列控制器和所述第二冗余阵列控制器中的一或两者生成对应于所述数据的奇偶校验数据。在一些实例中，所述第一冗余阵列控制器可经配置以生成与第一类型故障相关联的奇偶校验数据，且所述第二冗余阵列控制器可经配置以生成与第二类型故障相关联的奇偶校验数据。
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公开(公告)号：CN114911722A
公开(公告)日：2022-08-16
申请号：CN202210106320.X
申请日：2022-01-28
申请人： 美光科技公司
摘要： 本申请涉及存储器系统中的基于拓扑的弃用。在一些实例中，存储器系统或存储器装置可配置成评估关于存储器阵列的物理或电气组织的错误条件，其可支持推断存储器装置的一或多个结构中是否存在缺陷。举例来说，基于检测到的错误的各种评估，存储器系统或存储器装置可能够推断可与随时间推移而磨损或劣化相关的存储器阵列的短路、开路、介质击穿或其它缺陷的存在，且基于此类推断弃用存储器阵列的一部分。
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