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公开(公告)号：CN113127254B
公开(公告)日：2024-12-17
申请号：CN202011603068.0
申请日：2020-12-30
Applicant: 美光科技公司
IPC: G06F11/10
Abstract: 本申请涉及存储器子系统中多平面奇偶校验数据的存储管理。接收待写入到包含存储器装置的一组多个平面的存储区域的主机数据。基于所述主机数据的所述一组多个平面的一部分执行第一奇偶校验生成操作以生成一组多平面奇偶校验数据。将所述一组多平面奇偶校验数据存储在存储器子系统的控制器的高速缓冲存储器中。基于所述主机数据的所述一组所述多个平面执行第二奇偶校验生成操作以生成一组多页面奇偶校验数据。将所述一组多页面奇偶校验数据存储在所述存储器子系统的所述控制器的所述高速缓冲存储器中。基于所述一组多平面奇偶校验数据和所述一组多页面奇偶校验数据执行数据恢复操作。
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公开(公告)号：CN112997254B
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN201980074189.X
申请日：2019-10-01
Applicant: 美光科技公司
Abstract: 各种应用可包含用于抢先检测存储器装置中的容易出现缺陷的存储器块并且在这些存储器块发生故障并触发数据丢失事件之前处理这些存储器块的设备及/或方法。基于存储器操作的度量可用于促进所述存储器块的检查。可跟踪与存储器块上的存储器操作相关联的一或多个度量并且可产生每个度量的Z分数。响应于度量的Z分数与所述度量的Z分数阈值的比较，可执行操作以控制从所述比较开始的所述存储器块的可能引退。公开了另外的设备、系统及方法。
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公开(公告)号：CN116529693A
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN202180075850.6
申请日：2021-10-21
Applicant: 美光科技公司
IPC: G06F1/3203
Abstract: 一种方法包含：检测与包括具有与其相关联的存储器单元块的多个存储器单元块的存储器子系统相关联的加电事件；响应于检测到所述加电事件且在接收指示主机启动序列的信令之前，确定与所述多个存储器单元块当中的相应块相关联的存储器单元块是开放虚拟存储器单元块；确定与所述开放虚拟存储器单元块相关联的所述相应块展现大于阈值的健康特性值；以及响应于所述相应块展现大于所述阈值的健康特性值的所述确定而选择性地执行与所述开放虚拟存储器单元块相关联的相应存储器单元块的媒体管理操作。
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公开(公告)号：CN113168358B
公开(公告)日：2022-10-21
申请号：CN201980075676.8
申请日：2019-10-02
Applicant: 美光科技公司
Abstract: 各种申请案可包含向扩散于存储器系统的多个存储器装置上的数据提供奇偶校验保护的设备和/或方法。奇偶校验存储在缓冲器中，其中所述奇偶校验从写入到页的数据的部分产生，所述页在所述多个存储器装置的一或多个平面中的每一平面的一部分中具有所述页的不同部分。对于每一页，奇偶校验存储在所述缓冲器中。响应于确定满足传送准则，将所述缓冲器中的所述奇偶校验数据从所述缓冲器传送到临时块。在将数据编程到所述块中以关闭所述块之后，关于数据错误进行所述块的验证。响应于通过所述验证，所述临时块可经释放以用于下一数据写入操作。公开了额外的设备、系统以及方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115083454A
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202210223101.X
申请日：2022-03-09
Applicant: 美光科技公司
IPC: G11C5/14
Abstract: 本公开涉及用于减小存储器装置开销的电压校准扫描。起始电压校准扫描。接收基于与指定为当前仓的块的第一仓相关联的读取电压偏移集合而针对存储器装置的样本块测量的数据状态度量的第一值。所述第一值指定为最小值。基于与具有高于所述当前仓的索引值的块的第二仓相关联的读取电压偏移集合而测量所述样本块的数据状态度量的第二值。响应于确定所述第二值超过所述第一值，将所述第一仓维持为所述当前仓并且停止所述电压校准扫描。
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公开(公告)号：CN112817519A
公开(公告)日：2021-05-18
申请号：CN202011268691.5
申请日：2020-11-13
Applicant: 美光科技公司
Abstract: 本申请案涉及存储器装置的温度管理。本文中揭示的技术可用于改进存储器装置的交叉温度覆盖率，并在交叉温度状况下改进存储器装置可靠性。更具体地说，在执行存储器操作(例如存储器写入操作)时，基于所述存储器装置的温度度量及P/E循环度量，可从多个候选存储器修剪集选择存储器修剪集。所述候选存储器修剪集包含用于执行所述存储器操作的多个相应存储器修剪值(例如，存储器配置参数，例如编程电压阶跃大小、编程脉冲宽度、编程验证电平等，如上文所论述)。所述温度度量可以指示所述存储器装置的至少一区域(例如，所述整个装置、存储器平面、存储器块等)的温度，且所述P/E循环度量可以指示由所述存储器装置在选定时间间隔内执行的P/E循环的数目。
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公开(公告)号：CN112445722B
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN202010914970.8
申请日：2020-09-03
Applicant: 美光科技公司
IPC: G06F12/02
Abstract: 本申请案涉及一种具有可配置的性能及缺陷管理的存储器装置。存储器装置包括存储器控制单元，所述存储器控制单元包含处理器，所述处理器经配置以控制所述存储器阵列的操作；监视所述存储器阵列对所述P/E周期、错误管理操作、DWPD及功耗的操作条件；确定何时满足用于所述多个操作条件中的一个的边界条件；及响应于确定满足第一监视操作条件的第一边界条件，改变所述第一存储器管理协议的一或多个操作条件以建立用于所述存储器存取操作的第二存储器管理协议，所述第二存储器管理协议包含第二监视操作条件的改变边界条件。
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公开(公告)号：CN118053481A
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202311529461.3
申请日：2023-11-15
Applicant: 美光科技公司
Abstract: 本申请涉及用于耦合到同一串的多个擦除块当中的读取干扰跟踪的设备及方法。一种设备可包括存储器阵列，所述存储器阵列包括存储器单元的多个串，每一串包括：第一存储器单元群组，其耦合到第一存取线群组且对应于第一擦除块；及第二存储器单元群组，其耦合到第二存取线群组且对应于第二擦除块。控制器经配置以通过监测所述第一擦除块因以下操作而经历的读取干扰应力来确定由所述第一擦除块经历的读取干扰应力的积累量：对所述第一擦除块执行的读取操作；对所述第二擦除块执行的读取操作；及对所述第二擦除块执行的编程验证操作。所述控制器可响应于由所述第一擦除块经历的读取干扰应力的所述积累量满足某一准则而对所述第一擦除块执行某一动作。
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