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公开(公告)号：CN118733128A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410767822.6
申请日：2015-08-20
申请人： 美光科技公司
IPC分类号： G06F9/4401 , G11C7/20 , G11C16/20
摘要： 本发明的实施例涉及从NAND媒体快速引导的固态存储装置。在一个实施例中，存储器装置可包含可操作地耦合到所述存储器媒体的控制器。所述控制器经配置以：确定在所述存储器媒体的区域处所存储的所述初始化信息是否有效；当有效时，至少部分地基于所述初始化信息而将所述存储器装置初始化；及通过在不首先擦除所述存储器媒体的所述区域的情况下对所述存储器媒体的所述区域进行写入来使在所述存储器媒体的所述区域处所存储的所述初始化信息失效。
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公开(公告)号：CN117636978A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202311087474.X
申请日：2023-08-28
申请人： 美光科技公司
摘要： 描述与存储器块擦除协议有关的系统和方法。示例系统包含存储器装置，所述存储器装置具有包含多个存储器单元的存储器阵列。所述系统进一步包含耦合到所述存储器装置的处理装置。所述处理装置用于确定与所述存储器阵列相关联的度量的值。响应于确定所述度量的所述值低于预定阈值，所述处理装置进一步用于发起所述存储器装置的擦除协议。所述处理装置进一步用于擦除与所述存储器阵列的一或多个存储器块相关联的存储器单元集合。所述处理装置进一步用于接收针对所述存储器单元第一集合的编程命令。所述处理装置进一步用于响应于接收到所述编程命令，对存储器单元集合执行编程操作。
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公开(公告)号：CN116391179A
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN202180050367.2
申请日：2021-08-05
申请人： 美光科技公司
IPC分类号： G06F12/02
摘要： 本发明描述用于多级存储器装置性能通知的方法、系统和装置。存储器系统可包含与第一性能等级相关联的第一类型的第一存储器单元集和与第二性能等级相关联的第二类型的第二存储器单元集。所述存储器系统可具有接口和与所述第一存储器单元集和所述第二存储器单元集耦合的控制电路。所述控制电路可配置成确定与所述第一性能等级和所述第二性能等级之间的转换相关联的第一参数。所述控制电路还可配置成至少部分地基于确定所述第一参数而将所述第一参数存储在第一寄存器中。
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公开(公告)号：CN115904221A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202210941759.4
申请日：2022-08-08
申请人： 美光科技公司
摘要： 本申请涉及高速缓存块预算技术。在一些存储器系统中，控制器可用高速缓存配置存储器装置。所述高速缓存可包含配置成在第一模式下静态操作的第一块子集和配置成在所述第一模式下操作与在第二模式下操作之间动态切换的第二块子集。在所述第二模式下操作的块可配置成比在所述第一模式下操作的块每存储器单元存储相对更多的位。所述控制器可对于所述第二块子集中的每个块跟踪并存储在所述第一模式下执行的循环与在所述第二模式下执行的循环的相应比率。所述控制器可从所述第二块子集中选择块以响应于触发器且基于所述块的所述相应比率而在模式之间进行切换。
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公开(公告)号：CN115705165A
公开(公告)日：2023-02-17
申请号：CN202210965882.X
申请日：2022-08-12
申请人： 美光科技公司
IPC分类号： G06F3/06
摘要： 本申请案是针对用于引退存储器系统的块的技术。在一些实例中，存储器系统或存储器装置的方面可被配置成确定存储器单元块的错误。在确定发生所述错误之后，所述存储器系统可即刻识别与所述块相关联的一或多个操作条件。举例来说，所述存储器系统可确定所述块的温度、所述块的循环计数、所述块经历错误的次数、所述块的位错误率和/或相关联系统中的可用块的数量。取决于是否满足与相应操作条件相关联的准则，可启用或引退所述块。
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公开(公告)号：CN114270303B
公开(公告)日：2023-01-03
申请号：CN202080058090.3
申请日：2020-08-20
申请人： 美光科技公司
摘要： 处理装置将电子装置中的存储装置的驱动强度值初始化到第一水平。所述处理装置检测要对所述存储装置执行的操作且执行所述操作。所述处理装置监测由于执行所述操作而在所述存储装置中发生的位错误率，且确定所述位错误率是否满足阈值。响应于确定所述位错误率满足所述阈值，所述处理装置将所述存储装置的所述驱动强度值增大到第二水平，且在所述存储装置的增大的所述驱动强度值下重新执行所述操作。
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公开(公告)号：CN114078547A
公开(公告)日：2022-02-22
申请号：CN202110947433.8
申请日：2021-08-18
申请人： 美光科技公司
IPC分类号： G11C16/34
摘要： 本申请涉及使用多个错误控制操作的存储器数据校正。可接收单个命令以校正在由存储器阵列存储的数据中检测到的错误。可基于所述单个命令实施第一错误控制操作和第二错误控制操作。可使用一或多个不同参考电压读取所述数据对由所述存储器阵列存储的所述数据进行所述第一错误控制操作。可在进行所述第一错误控制操作之后确定所述错误仍在所述数据中。可接着对由所述存储器阵列存储的所述数据进行所述第二错误控制操作。所述第二错误控制操作可使用与所述存储器阵列的存储器单元相关联的一或多个电压分布。
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公开(公告)号：CN108701491A
公开(公告)日：2018-10-23
申请号：CN201780012194.9
申请日：2017-02-01
申请人： 美光科技公司
CPC分类号： G06F11/1068 , G06F11/08 , G11C29/52 , G11C2029/0411 , H03M13/1102 , H03M13/13 , H03M13/1515 , H03M13/152 , H03M13/29 , H03M13/2936 , H03M13/2966 , H03M13/353 , H03M13/356 , H03M13/618 , H03M13/6356 , H04L1/0057 , H04L1/0066 , H04L1/007 , H04L2001/0098
摘要： 本发明包含用于错误率降低的设备及方法。一种实例性方法包括：将错误率降低ERR数据量增加到经接收用户数据量；及将所述用户数据量连同所述ERR数据量一起写入到存储器。
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公开(公告)号：CN108139917A
公开(公告)日：2018-06-08
申请号：CN201580083941.9
申请日：2015-08-20
申请人： 美光科技公司
IPC分类号： G06F9/445
CPC分类号： G06F3/0632 , G06F3/0604 , G06F3/0659 , G06F3/0679 , G06F9/4406 , G06F11/1068 , G11C29/52
摘要： 本发明揭示存储器装置及用于基于初始化信息而将这些存储器装置初始化的相关方法的数个实施例，所述初始化信息存储于基于NAND的存储器媒体中。在一个实施例中，存储器装置可包含可操作地耦合到所述存储器媒体的控制器。所述控制器经配置以：确定在所述存储器媒体的区域处所存储的所述初始化信息是否有效；当有效时，至少部分地基于所述初始化信息而将所述存储器装置初始化；及通过在不首先擦除所述存储器媒体的所述区域的情况下对所述存储器媒体的所述区域进行写入来使在所述存储器媒体的所述区域处所存储的所述初始化信息失效。
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公开(公告)号：CN114691031B
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202111652224.7
申请日：2021-12-30
申请人： 美光科技公司
IPC分类号： G06F3/06
摘要： 本申请涉及基于分片操作的存储器系统的存取。所述存储器系统可以接收第一消息，所述第一消息指示所述存储器系统将使用基于分片操作的写入过程来存储的数据集合。所述存储器系统可以基于所述第一消息而确定存储器装置的满足分片操作阈值的块。在确定所述块之后，所述存储器系统可以向所述主机系统传输第二消息，所述第二消息指示所述存储器系统准备好接收所述第一消息中指示的所述数据集合。所述存储器系统接着可以基于传输所述第二消息而将所述数据集合存储在所确定的块中。
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