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公开(公告)号：CN118072777A
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202311558586.9
申请日：2023-11-21
申请人： 美光科技公司
摘要： 本公开涉及使用部分块处置的功率损耗错误检测。在一些实施方案中，一种存储器装置可确定已发生功率损耗。所述存储器装置可确定与所述存储器装置的存储器的块的最后写入页面LWP相关联的LWP位置。所述存储器装置可确定以下中的一者：与所述LWP位置相关联的字线群组WLG及与所述WLG相关联的至少一个WLG相关偏移；或与所述LWP位置相关联的部分块PB填充比及与所述PB填充比相关联的至少一个PB填充比相关偏移。所述存储器装置可通过将所述至少一个WLG相关偏移或所述至少一个PB填充比偏移中的一者施加到至少一个读取参考电压来基于所述至少一个WLG相关偏移或所述至少一个PB填充比偏移中的所述一者执行功率损耗错误检测程序。
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公开(公告)号：CN117957521A
公开(公告)日：2024-04-30
申请号：CN202280062184.7
申请日：2022-09-19
申请人： 美光科技公司
摘要： 将多个码字编程到存储器子系统的一或多个存储器页。所述存储器子系统的每一存储器页与所述存储器子系统的多个逻辑单元中的逻辑单元和所述存储器子系统的多个平面中的平面或所述存储器子系统的多个块中的块中的至少一个相关联。所述多个码字中的每一码字包括主机数据和基础奇偶校验位。将多个额外奇偶校验位编程到所述存储器子系统的所述一或多个存储器页，其中所述多个额外奇偶校验位中的每一额外奇偶校验位与多个标准码字中的码字相关联。产生与所述额外奇偶校验位中的每一个相对应的第一冗余元数据集。将所述第一冗余元数据集编程到存储器页，所述存储器页与存储所述额外奇偶校验位的任何存储器页分开。
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公开(公告)号：CN113272905A
公开(公告)日：2021-08-17
申请号：CN201980088355.1
申请日：2019-12-10
申请人： 美光科技公司
IPC分类号： G11C29/12
摘要： 本文描述了与具有时变位错误率的存储器系统的存储器组件中的缺陷检测相关的实施例。处理装置进行错误恢复流程(ERF)以恢复数据单元，所述数据单元包括数据和指示何时写入所述数据单元的写入时间戳。所述处理装置使用对应于所述读取操作的位错误率(BER)和所述数据单元中的所述写入时间戳来确定是否进行缺陷检测操作以检测所述存储器组件中的缺陷。所述处理装置响应于所计算的W2R(基于所述写入时间戳)不期望所述BER条件来发起所述缺陷检测操作。所述处理装置能够使用ERF条件和所述写入时间戳来确定是否进行所述缺陷检测操作。所述处理装置响应于所计算的W2R(基于所述写入时间戳)不期望所述ERF条件来发起所述缺陷检测操作。
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公开(公告)号：CN113272904A
公开(公告)日：2021-08-17
申请号：CN201980087884.X
申请日：2019-12-05
申请人： 美光科技公司
摘要： 本文中所描述的是涉及存储器系统的存储器组件上的单向错误恢复流程(ERF)操作的实施例。处理装置确定来自读操作的数据由于所述数据的部分写而未被成功解码。所述部分写起因于数个存储器单元被作为第一状态写入且被作为第二状态读取。所述处理装置通过在第一方向上从第一离散读电压电平向第二读电压电平单调地调整用于一或多个重读操作的读电压电平，直到来自所述一或多个重读操作的数据被成功解码为止，来对所述存储器单元执行单向ERF。所述第一方向对应于所述部分写的状态移位的相反方向。如果需要，所述处理装置还可以确定方向性EBC并执行刷新写。
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公开(公告)号：CN117636922A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202311111732.3
申请日：2023-08-31
申请人： 美光科技公司
摘要： 描述存储器装置，所述存储器装置产生表征相对于电压分布施加的读取电压电平的元数据。实例存储器子系统包括：存储器装置，其包括多个存储器单元；及控制器，其耦合到所述存储器装置，所述控制器用于执行操作，包括：使用读取电压电平相对于所述多个存储器单元的子集执行读取选通；及从所述存储器装置接收一或多个元数据值，所述元数据值表征相对于所述多个存储器单元的所述子集的阈值电压分布的所述读取电压电平，其中所述一或多个元数据值反映连接到所述多个存储器单元的所述子集的一或多个位线的导电状态。
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公开(公告)号：CN113496744B
公开(公告)日：2022-11-04
申请号：CN202110357854.5
申请日：2021-04-01
申请人： 美光科技公司
摘要： 本申请涉及用于存储器装置的元数据感知回拷。在一些实例中公开提供用于加扰和/或更新元数据的实现高效内部回拷操作的技术的方法、系统、装置及机器可读媒体。在一些实例中，为了更新所述元数据，分离所述元数据及主机数据，且仅将所述元数据发送到控制器以在经修改内部回拷操作期间更新。所述主机数据并不发射到所述控制器。尽管发送所述元数据利用所述存储器裸片与所述控制器之间的通信链路的资源，但其使用比还发射所述主机数据时少得多的资源。
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公开(公告)号：CN115202923A
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN202210373021.2
申请日：2022-04-11
申请人： 美光科技公司
摘要： 本公开涉及非易失性存储器中的奇偶校验保护。公开了一种方法，其包含：将多个码字写入存储器装置的多个存储器块，其中所述多个码字中的每一者具有与其中写入每一码字的相应存储器块对应的物理码字索引；以及将虚拟码字索引分配到所述多个码字中的每一者以提供多个虚拟码字索引，其中将所述虚拟码字索引分配到所述多个码字中的每一者至少部分地基于存储器单元的多个虚拟块当中的虚拟块中的位置，所述存储器单元的多个虚拟块对应于所述多个码字当中的每一码字的所述物理码字索引。
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公开(公告)号：CN116343894A
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202211642443.1
申请日：2022-12-20
申请人： 美光科技公司
摘要： 本申请涉及具有经减小时延的存储器装置的校正性读取。存储器系统可基于存取存储器装置而识别读取错误，并且可基于与存取的存储器装置相关联的数据保持条件而选择用于执行校正性读取操作的微调设定。此类数据保持条件可与数据保持持续时间或交叉温度条件以及其它标准或其组合相关联。在一些实施方案中，所述存储器系统可以从可与相关工艺角相关联的可能微调设定子集中进行选择。例如，所述存储器系统可在与相对较大的交叉温度和相对较短的数据保持持续时间相关联的第一微调设定和与相对较小的交叉温度和相对较长的数据保持持续时间相关联的第二微调设定之间进行选择。
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