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公开(公告)号：CN113272905A
公开(公告)日：2021-08-17
申请号：CN201980088355.1
申请日：2019-12-10
申请人： 美光科技公司
IPC分类号： G11C29/12
摘要： 本文描述了与具有时变位错误率的存储器系统的存储器组件中的缺陷检测相关的实施例。处理装置进行错误恢复流程(ERF)以恢复数据单元，所述数据单元包括数据和指示何时写入所述数据单元的写入时间戳。所述处理装置使用对应于所述读取操作的位错误率(BER)和所述数据单元中的所述写入时间戳来确定是否进行缺陷检测操作以检测所述存储器组件中的缺陷。所述处理装置响应于所计算的W2R(基于所述写入时间戳)不期望所述BER条件来发起所述缺陷检测操作。所述处理装置能够使用ERF条件和所述写入时间戳来确定是否进行所述缺陷检测操作。所述处理装置响应于所计算的W2R(基于所述写入时间戳)不期望所述ERF条件来发起所述缺陷检测操作。
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公开(公告)号：CN118366533A
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202410071081.8
申请日：2024-01-17
申请人： 美光科技公司
发明人： S·K·米拉瓦拉普
摘要： 本申请案涉及通过存储器系统进行错误跟踪。一种存储器系统传输损坏数据的指示而不存储(例如，在内部存储)所述指示。在一些实例中，存储器系统能够(例如，从相关联存储器装置)读取数据且检测所述数据中的错误。所述存储器系统能够产生所述错误的指示且能够向主机装置传输所述指示。在其它实例中，主机装置能够传输损坏数据与损坏数据的指示。所述存储器系统能够存储所述损坏数据(例如，所述损坏数据的反转版本)，且在接收到后续读取命令时，能够向所述主机系统传输速所述损坏数据与所述数据损坏的指示。
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公开(公告)号：CN114724616A
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN202111562511.9
申请日：2021-12-20
申请人： 美光科技公司
IPC分类号： G11C29/42 , G11C11/401
摘要： 本公开描述涉及在动态随机存取存储器DRAM中存储奇偶校验数据的方法、装置及系统。在一实例中，方法可包含在控制器处基于排队等待写入到非易失性存储器装置的用户数据而产生奇偶校验数据，在DRAM装置处从所述控制器接收所述奇偶校验数据且将所述奇偶校验数据写入到所述DRAM装置，在非易失性存储器装置处从所述控制器接收所述用户数据且将所述用户数据写入到所述非易失性存储器装置，经由所述控制器从所述非易失性存储器装置读取所述用户数据，及在所述控制器处从所述DRAM装置接收所述奇偶校验数据。
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公开(公告)号：CN118471313A
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202410169684.1
申请日：2024-02-06
申请人： 美光科技公司
发明人： S·K·米拉瓦拉普
摘要： 本申请涉及用于存储器系统的逻辑计数器。存储器系统内的控制器可生成各自对应于存储器裸片的管理计数器的一或多个逻辑计数器。所述控制器可在与所述存储器系统相关联的逻辑地址空间处存储所述逻辑计数器。所述逻辑地址空间可对应于所述存储器裸片的存储器阵列内的物理位置。所述控制器可周期性地读取管理计数器的值，并将所述值存储到所述逻辑计数器。在一些实例中，如果所述存储器系统检测到所述管理计数器的错误条件，那么所述存储器系统可执行存储在所述存储器裸片处的数据的恢复操作。
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