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公开(公告)号：CN112054030B
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202010332824.4
申请日：2020-04-24
Applicant: 美光科技公司
Abstract: 本申请案涉及存储器单元及竖向延伸的存储器单元串阵列。存储器单元包括沟道材料、绝缘电荷通道材料、可编程材料、控制栅极，及所述可编程材料与所述控制栅极之间的电荷阻挡材料。所述电荷阻挡材料包括非铁电绝缘体材料及包括铪、锆及氧的铁电绝缘体材料。揭示其它实施例。
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公开(公告)号：CN116034069A
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN202180054189.0
申请日：2021-07-21
Applicant: 美光科技公司
Inventor： F·A·席赛克-艾吉 , D·维尔马 , A·夏尔马 , L·斯里拉姆 , T·D·伽韦
IPC: B60W60/00
Abstract: 描述了与具有与道路的位置相关的传感器信息的机器学习(ML)相关的设备和方法。包含处理资源和存储器资源的存储器系统从传感器接收与车辆相关联且与道路上的位置相关的传感器信息。可使用ML算法对从所述车辆的接收到的传感器信息进行操作，且可基于ML算法传输指令。在实例中，一种方法可包含：在处理资源处从传感器接收与第一车辆相关联且与道路上的位置相关的传感器信息；使用存储于能由所述处理资源存取的存储器资源中的ML算法对与所述第一车辆相关联的接收到的传感器信息进行操作；基于由所述ML算法进行操作的与所述第一车辆相关联的所述传感器信息而传输与所述位置相关的指令。
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公开(公告)号：CN112054030A
公开(公告)日：2020-12-08
申请号：CN202010332824.4
申请日：2020-04-24
Applicant: 美光科技公司
IPC: H01L27/11563 , H01L27/11568
Abstract: 本申请案涉及存储器单元及竖向延伸的存储器单元串阵列。存储器单元包括沟道材料、绝缘电荷通道材料、可编程材料、控制栅极，及所述可编程材料与所述控制栅极之间的电荷阻挡材料。所述电荷阻挡材料包括非铁电绝缘体材料及包括铪、锆及氧的铁电绝缘体材料。揭示其它实施例。
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公开(公告)号：CN114526757A
公开(公告)日：2022-05-24
申请号：CN202111371149.7
申请日：2021-11-18
Applicant: 美光科技公司
Abstract: 描述用于操作紧急情况预防传感器系统的方法、系统和装置。装置可包含多个组件，所述多个组件包含传感器组件、处理器和存储器。在实例中，方法可包含：在处理器处从所关注的区域中的多个环境传感装置接收信令，所述多个环境传感装置各自具有至少一个可生物降解组件，其中所述所关注的区域对应于数据库中的特定坐标集；至少部分地基于所述信令而确定与所述所关注的区域相关联的紧急情况的环境特性；和基于所述所确定的特性而确定预防措施。在另一实例中，所述传感装置的数个组件为可生物降解的。
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公开(公告)号：CN112103293B
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN202010325900.9
申请日：2020-04-23
Applicant: 美光科技公司
Abstract: 本申请案涉及存储器单元及集成结构。一种存储器单元按以下次序包括：沟道材料、电荷通路结构、可编程材料、电荷阻挡区域及控制栅极。所述电荷通路结构包括距离所述沟道材料最近的第一材料、距离所述沟道材料最远的第三材料及位于所述第一材料与所述第三材料之间的第二材料。所述第一材料及所述第三材料包括SiO2。所述第二材料具有0.4纳米到5.0纳米的厚度且包括SiOx，其中“x”小于2.0且大于0。本发明揭示其它实施例。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114116551A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202110987895.2
申请日：2021-08-26
Applicant: 美光科技公司
Abstract: 本公开描述了涉及基于输入数据的分类而产生指导性动作的系统、装置和方法。在实例中，一种方法可包含：从边缘装置且在装置的处理资源处接收与以通信方式耦合到所述边缘装置的多个源相关联的多个输入数据，且基于所述多个源中的相关联者将所述多个输入数据中的每一段分类为私有或公共的。所述分类可包含写入每一段数据以及指示其为私有或公共的元数据，和/或选择指示为私有的第一数据路径或指示为公共的第二数据路径。所述方法可包含将分类为私有的所述多个输入数据中的每一段写入到存储器资源的专用缓冲区或专用地址空间。
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公开(公告)号：CN114116551B
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN202110987895.2
申请日：2021-08-26
Applicant: 美光科技公司
Abstract: 本公开描述了涉及基于输入数据的分类而产生指导性动作的系统、装置和方法。在实例中，一种方法可包含：从边缘装置且在装置的处理资源处接收与以通信方式耦合到所述边缘装置的多个源相关联的多个输入数据，且基于所述多个源中的相关联者将所述多个输入数据中的每一段分类为私有或公共的。所述分类可包含写入每一段数据以及指示其为私有或公共的元数据，和/或选择指示为私有的第一数据路径或指示为公共的第二数据路径。所述方法可包含将分类为私有的所述多个输入数据中的每一段写入到存储器资源的专用缓冲区或专用地址空间。
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公开(公告)号：CN112103293A
公开(公告)日：2020-12-18
申请号：CN202010325900.9
申请日：2020-04-23
Applicant: 美光科技公司
IPC: H01L27/11563 , H01L27/11568
Abstract: 本申请案涉及存储器单元及集成结构。一种存储器单元按以下次序包括：沟道材料、电荷通路结构、可编程材料、电荷阻挡区域及控制栅极。所述电荷通路结构包括距离所述沟道材料最近的第一材料、距离所述沟道材料最远的第三材料及位于所述第一材料与所述第三材料之间的第二材料。所述第一材料及所述第三材料包括SiO2。所述第二材料具有0.4纳米到5.0纳米的厚度且包括SiOx，其中“x”小于2.0且大于0。本发明揭示其它实施例。
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公开(公告)号：CN114694721A
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN202111622421.4
申请日：2021-12-28
Applicant: 美光科技公司
Inventor： A·夏尔马
Abstract: 本申请涉及具有动态编程验证电平的存储器装置。存储器装置可包含存储器单元阵列和配置成存取所述存储器单元阵列的控制器。所述控制器可感测选定存储器单元的第一阈值电压。响应于所述经感测第一阈值电压在第一预编程验证电平和第一编程验证电平之间，所述控制器可将所述选定存储器单元偏置用于SSPC编程。所述第一预编程验证电平可小于最终预编程验证电平，且所述第一编程验证电平可小于最终编程验证电平。响应于所述经感测第一阈值电压小于所述第一预编程验证电平，所述控制器可将所述选定存储器单元偏置用于非SSPC编程。响应于所述经感测第一阈值电压大于所述第一编程验证电平，所述控制器可禁止所述选定存储器单元进行编程。
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公开(公告)号：CN114077230A
公开(公告)日：2022-02-22
申请号：CN202110916757.5
申请日：2021-08-11
Applicant: 美光科技公司
IPC: G05B19/418
Abstract: 描述了涉及制造中的过程控制的方法、装置和系统。在一个实例中，一种方法可以包含：从粘附到第一类型的第一制造工具的第一过程控制装置接收数据；通过粘附到不同于所述第一类型的第二类型的第二制造工具的第二过程控制装置的第二处理资源来标识所述数据的一或多个属性；响应于标识所述数据的所述一或多个属性而通过所述第二处理资源确定所述第二制造工具的一或多个设置；以及从所述第二过程控制装置向所述第二制造工具发送包含所述一或多个设置的命令。
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