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公开(公告)号：CN116367534A
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN202211663910.9
申请日：2022-12-23
Applicant: 美光科技公司
Inventor： F·A·席赛克-艾吉 , 何源
Abstract: 本申请大体上涉及微电子装置、相关电子系统和形成微电子装置的方法。一种微电子装置包括第一微电子装置结构，其包括堆叠结构、在堆叠结构内的阶梯结构以及存储器单元的竖直堆叠，堆叠结构包括与绝缘结构竖直交替的导电结构。每个存储器单元的竖直堆叠单独地包括电容器结构的竖直堆叠、各自单独地与电容器结构中的一个电容器结构相邻的晶体管结构，以及竖直延伸穿过晶体管结构的导电柱结构。微电子装置进一步包括第二微电子装置结构，其附接到第一微电子装置结构并包括子字线驱动器区，子字线驱动器区包括竖直覆在阶梯结构的水平区域上面及其内的互补金属氧化物半导体CMOS电路；以及导电接触结构，其在阶梯结构的台阶与子字线驱动器区之间竖直延伸。
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公开(公告)号：CN116034069A
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN202180054189.0
申请日：2021-07-21
Applicant: 美光科技公司
Inventor： F·A·席赛克-艾吉 , D·维尔马 , A·夏尔马 , L·斯里拉姆 , T·D·伽韦
IPC: B60W60/00
Abstract: 描述了与具有与道路的位置相关的传感器信息的机器学习(ML)相关的设备和方法。包含处理资源和存储器资源的存储器系统从传感器接收与车辆相关联且与道路上的位置相关的传感器信息。可使用ML算法对从所述车辆的接收到的传感器信息进行操作，且可基于ML算法传输指令。在实例中，一种方法可包含：在处理资源处从传感器接收与第一车辆相关联且与道路上的位置相关的传感器信息；使用存储于能由所述处理资源存取的存储器资源中的ML算法对与所述第一车辆相关联的接收到的传感器信息进行操作；基于由所述ML算法进行操作的与所述第一车辆相关联的所述传感器信息而传输与所述位置相关的指令。
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公开(公告)号：CN114724597A
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN202111491290.0
申请日：2021-12-08
Applicant: 美光科技公司
Inventor： 何源 , F·A·席赛克-艾吉
Abstract: 一些实施例包含集成组合件，其具有在竖直延伸的字线正下方的字线驱动器电路系统。所述字线驱动器电路系统在水平延伸的子字线驱动器SWD单元之间细分。存储器单元在基底上方且布置在竖直延伸的行中。所述存储器单元中的每一个包含存取装置及与所述存取装置耦合的存储元件。字线沿着所述行竖直地延伸。所述SWD单元中的每一个与所述字线中的至少两个相关联，且经配置以同时激活所述相关联字线。
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公开(公告)号：CN119451103A
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202410980287.2
申请日：2024-07-22
Applicant: 美光科技公司
Inventor： F·A·席赛克-艾吉 , D·A·戴寇克 , C·K·莫尔扎诺
Abstract: 本申请案涉及包含竖直间隔的晶体管及存储装置的微电子装置及存储器装置以及相关的电子系统。一种微电子装置包括：第一晶体管结构，其包括沟道区的多个竖直层阶；第二晶体管结构，其与所述第一晶体管结构相邻并且包括沟道区的额外多个竖直层阶；存储装置，其竖直上覆于所述第一晶体管结构及所述第二晶体管结构；第一导电接触结构，其接触所述第一晶体管结构；以及第二导电接触结构，其接触所述第二晶体管结构。
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公开(公告)号：CN109219883B
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN201780030983.5
申请日：2017-07-31
Applicant: 美光科技公司
IPC: H10B12/00
Abstract: 一些实施例包含一种具有第一与第二晶体管，和相对于所述第一与第二晶体管竖直地位移的电容器的存储器胞元。所述电容器具有与所述第一晶体管的源极/漏极区域电耦合的第一节点、与所述第二晶体管的源极/漏极区域电耦合的第二节点和所述第一节点与第二节点之间的电容器介电材料。一些实施例包含一种具有相对于彼此竖直地位移的第一与第二晶体管和所述第一晶体管与第二晶体管之间的电容器的存储器胞元。所述电容器具有与所述第一晶体管的源极/漏极区域电耦合的第一节点、与所述第二晶体管的源极/漏极区域电耦合的第二节点和所述第一节点与第二节点之间的电容器介电材料。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115568226A
公开(公告)日：2023-01-03
申请号：CN202210727981.4
申请日：2022-06-23
Applicant: 美光科技公司
Inventor： F·A·席赛克-艾吉 , M·R·拉斯卡尔 , N·R·塔皮亚斯 , D·F·范
Abstract: 本申请涉及用于存储器装置的单晶晶体管。在一些实例中，空腔可穿过一或多种电介质材料的至少部分形成，所述电介质材料可沉积在存储器单元的叠组上方。所述空腔可包含锥度，例如朝向一点的锥度，或具有在一范围内的夹角的锥度，或从横截面积到所述横截面积的某一部分的锥度，以及其它实例。半导体材料可沉积在所述空腔中以及在所述一或多种电介质材料上方，并且基于加热和冷却所沉积半导体材料而以单结晶布置形成。晶体管的一或多个部分，例如晶体管的沟道部分，可至少部分地通过掺杂所述半导体材料的所述单结晶布置来形成。
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公开(公告)号：CN114828949A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202080086748.1
申请日：2020-11-17
Applicant: 美光科技公司
Abstract: 描述与医疗装置数据分析相关的系统、设备及方法。在一些实例中，将医疗装置植入所述医疗装置的用户中并且所述用户不容易访问由所述医疗装置生成的所述数据。在实例中，控制器可经配置以由耦合到医疗装置的移动装置从所述医疗装置接收数据，其中所述数据是与所述医疗装置相关的基线数据集的一部分。所述控制器可经配置以：从所述医疗装置接收不同数据，其中当所述医疗装置生成所述不同数据时从所述医疗装置接收所述不同数据；分析来自所述医疗装置的所述数据及由所述医疗装置生成的所述不同数据；及基于所述所分析数据及由所述医疗装置生成的所述不同数据执行动作。
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公开(公告)号：CN114526757A
公开(公告)日：2022-05-24
申请号：CN202111371149.7
申请日：2021-11-18
Applicant: 美光科技公司
Abstract: 描述用于操作紧急情况预防传感器系统的方法、系统和装置。装置可包含多个组件，所述多个组件包含传感器组件、处理器和存储器。在实例中，方法可包含：在处理器处从所关注的区域中的多个环境传感装置接收信令，所述多个环境传感装置各自具有至少一个可生物降解组件，其中所述所关注的区域对应于数据库中的特定坐标集；至少部分地基于所述信令而确定与所述所关注的区域相关联的紧急情况的环境特性；和基于所述所确定的特性而确定预防措施。在另一实例中，所述传感装置的数个组件为可生物降解的。
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公开(公告)号：CN112951826A
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN202011039795.9
申请日：2020-09-28
Applicant: 美光科技公司
Inventor： N·考希克 , F·A·席赛克-艾吉 , D·C·潘迪
IPC: H01L27/108 , H01L21/8242
Abstract: 本申请案涉及集成组合件及形成集成组合件的方法。一些实施例包含集成组合件，所述集成组合件具有存储器阵列且具有沿着第一方向延伸穿过所述存储器阵列的数字线。绝缘间隔件沿着所述数字线的侧壁。所述绝缘间隔件沿着所述数字线连续地延伸穿过所述存储器阵列。导电区域通过介入区域与所述数字线横向地间隔开。所述导电区域被配置为沿着所述第一方向彼此间隔开的分段。所述介入区域包含所述绝缘间隔件的区域且包含邻近所述绝缘间隔件的所述区域的空隙区域。所述空隙区域被配置为沿着所述第一方向通过绝缘结构彼此间隔开的空隙区域分段。存储元件与所述导电区域相关联。一些实施例包含形成集成组合件的方法。
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公开(公告)号：CN119383960A
公开(公告)日：2025-01-28
申请号：CN202411003859.8
申请日：2024-07-25
Applicant: 美光科技公司
Inventor： F·A·席赛克-艾吉 , D·T·N·U·德兰
IPC: H10B12/00 , G11C5/02 , G11C5/06 , G11C8/14 , G11C11/401
Abstract: 本申请涉及微电子装置及相关存储器装置及电子系统。微电子装置包括：存储器阵列区，其包括动态随机存取存储器DRAM单元的竖直堆叠，DRAM单元中的每一者包括存储装置的竖直堆叠中的存储装置及存取装置的竖直堆叠中的水平相邻存取装置；及阶梯区，其在第一水平方向上与存储器阵列区基本上水平相邻并包括：第一导电结构的竖直堆叠，其在第一水平方向上水平延伸穿过阶梯区，第一导电结构与第一DRAM单元及第二DRAM单元接触；及子阶梯结构，其个别地包括与第一导电结构接触且在基本上垂直于第一水平方向的第二水平方向上从第一导电结构水平延伸的第二导电结构，子阶梯结构中的每一者个别地包括至少四个台阶，每一台阶界定于界定台阶的第二导电结构的水平边界处。
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