公开(公告)号：CN111490015A

公开(公告)日：2020-08-04

申请号：CN201911182337.8

申请日：2019-11-27

Applicant: 美光科技公司

Inventor： D·D·史莱伦 ,  S·萨普雷 ,  M·R·拉斯卡尔 ,  D·F·范 ,  J·A·伊莫尼吉

IPC: H01L21/8242

Abstract: 本申请案涉及半导体结构的形成方法。描述与减少开口的侧壁上的渐缩相关的方法、设备及系统。实例方法包含在半导体结构上形成包括梯度硼磷硅玻璃BPSG堆叠的硅酸盐材料。所述实例方法进一步包含蚀刻所述硅酸盐材料的部分以在所述硅酸盐材料内形成具有侧壁的开口，其中所述梯度BSPG堆叠包括变化浓度的硼及磷以响应于所述蚀刻而减少所述侧壁的渐缩。

公开(公告)号：CN114256335A

公开(公告)日：2022-03-29

申请号：CN202111090814.5

申请日：2021-09-17

Applicant: 美光科技公司

Inventor： 刘鸿威 ,  V·N·安东诺夫 ,  A·A·恰范 ,  D·F·范 ,  J·B·赫尔 ,  A·A·卡恩德卡尔 ,  M·R·拉斯卡尔 ,  A·廖 ,  X-F·林 ,  M·纳哈尔 ,  I·V·瓦西里耶沃

IPC: H01L29/10 ,  H01L29/78 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/092 ,  H01L27/11507 ,  H01L27/11509 ,  H01L27/1159

Abstract: 本申请案的实施例涉及一种垂直晶体管、集成电路，以及形成垂直晶体管及集成电路的方法。一种形成垂直晶体管的方法，所述垂直晶体管包括顶部源极/漏极区、底部源极/漏极区、垂直地位于所述顶部与底部源极/漏极区之间的沟道区，以及可操作地横向邻近所述沟道区的栅极，所述方法包括在多个时间间隔的微波退火步骤中，使至少所述沟道区微波退火。所述多个时间间隔的微波退火步骤使所述沟道区中的元素形式H的平均浓度从其在所述多个时间间隔的微波退火步骤开始之前的情况降低。元素形式H的所述降低的平均浓度为0.005到小于1原子百分比。本发明揭示结构实施例。

公开(公告)号：CN115568226A

公开(公告)日：2023-01-03

申请号：CN202210727981.4

申请日：2022-06-23

Applicant: 美光科技公司

Inventor： F·A·席赛克-艾吉 ,  M·R·拉斯卡尔 ,  N·R·塔皮亚斯 ,  D·F·范

IPC: H10B53/30 ,  H10B12/00

Abstract: 本申请涉及用于存储器装置的单晶晶体管。在一些实例中，空腔可穿过一或多种电介质材料的至少部分形成，所述电介质材料可沉积在存储器单元的叠组上方。所述空腔可包含锥度，例如朝向一点的锥度，或具有在一范围内的夹角的锥度，或从横截面积到所述横截面积的某一部分的锥度，以及其它实例。半导体材料可沉积在所述空腔中以及在所述一或多种电介质材料上方，并且基于加热和冷却所沉积半导体材料而以单结晶布置形成。晶体管的一或多个部分，例如晶体管的沟道部分，可至少部分地通过掺杂所述半导体材料的所述单结晶布置来形成。

公开(公告)号：CN114207834A

公开(公告)日：2022-03-18

申请号：CN202080054273.8

申请日：2020-07-27

Applicant: 美光科技公司

Inventor： M·纳哈尔 ,  V·N·安东诺夫 ,  D·F·范 ,  A·莫巴尔利

IPC: H01L29/12 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 一种晶体管包括顶部源极/漏极区、底部源极/漏极区、竖直处于所述顶部与底部源极/漏极区之间的沟道区，以及以操作方式侧向邻近于所述沟道区的栅极。上部材料在下部材料正上方。所述上部材料在所述顶部源极/漏极区、所述底部源极/漏极区和所述沟道区中的至少一者中。所述下部材料在所述顶部源极/漏极区、所述底部源极/漏极区和所述沟道区中的至少一者中。所述上部材料包括1原子百分比到10原子百分比的元素形式H和0总原子百分比到小于0.1总原子百分比的一或多个惰性元素。所述下部材料包括0原子百分比到小于1原子百分比的元素形式H和0.1总原子百分比到10总原子百分比的一或多个惰性元素。公开了其它实施例，包含方法。

公开(公告)号：CN114188481A

公开(公告)日：2022-03-15

申请号：CN202111073577.1

申请日：2021-09-14

Applicant: 美光科技公司

Inventor： 陈卓 ,  I·V·瓦西里耶沃 ,  D·F·范 ,  K·K·穆图克里希南

IPC: H01L49/02 ,  H01L27/108 ,  H01L27/11507 ,  H01L21/8242

Abstract: 本申请涉及集成组合件和形成集成组合件的方法。一些实施例包含一种形成集成组合件的方法。将半导体材料图案化为一种配置，所述配置包含通过第一间隙彼此间隔开的第一向上突出结构的集合和通过第二间隙与所述集合间隔开的第二向上突出结构。所述第二间隙大于所述第一间隙。沿着所述第一向上突出结构和所述第二向上突出结构且在所述第一间隙和所述第二间隙内形成导电材料。在所述第二间隙内的所述导电材料的区域上方形成保护材料的第一片段和第二片段，且接着利用蚀刻将所述导电材料图案化为所述第一间隙内的第一导电结构且图案化为所述第二间隙内的第二导电结构。一些实施例包含集成组合件。

公开(公告)号：CN110858539A

公开(公告)日：2020-03-03

申请号：CN201910792787.2

申请日：2019-08-26

Applicant: 美光科技公司

Inventor： M·纳哈尔 ,  D·F·范

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L29/16 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明涉及包含第一及第二区的层压件的半导体结构及形成半导体结构的方法。一些实施例包含一种具有层压件的半导体结构，所述层压件具有与第二区交替的第一区。所述第一区包含硅，且所述第二区包含锗。一些实施例包含一种形成半导体结构的方法。所述半导体结构可对应于晶体管的有源区的至少一部分。第一半导体材料用第一沉积工艺沉积。所述第一半导体材料包含硅。所述第一沉积工艺间歇中断以蚀刻所述经沉积第一半导体材料的表面及用第二沉积工艺沉积第二半导体材料。所述第二半导体材料包含锗。所述半导体结构是至少部分结晶的。