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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109219883B
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN201780030983.5
申请日：2017-07-31
Applicant: 美光科技公司
IPC: H10B12/00
Abstract: 一些实施例包含一种具有第一与第二晶体管，和相对于所述第一与第二晶体管竖直地位移的电容器的存储器胞元。所述电容器具有与所述第一晶体管的源极/漏极区域电耦合的第一节点、与所述第二晶体管的源极/漏极区域电耦合的第二节点和所述第一节点与第二节点之间的电容器介电材料。一些实施例包含一种具有相对于彼此竖直地位移的第一与第二晶体管和所述第一晶体管与第二晶体管之间的电容器的存储器胞元。所述电容器具有与所述第一晶体管的源极/漏极区域电耦合的第一节点、与所述第二晶体管的源极/漏极区域电耦合的第二节点和所述第一节点与第二节点之间的电容器介电材料。
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公开(公告)号：CN109155311A
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201780031447.7
申请日：2017-07-31
Applicant: 美光科技公司
IPC: H01L27/108
Abstract: 一些实施例包含具有第一、第二及第三晶体管的存储器单元，其中所述第二及第三晶体管相对于彼此垂直移位。所述存储器单元具有沿所述第二及第三晶体管延伸的半导体柱，其中所述半导体柱含有所述第二及第三晶体管的沟道区及源极/漏极区。电容器可电耦合在所述第一晶体管的源极/漏极区与所述第二晶体管的栅极之间。
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公开(公告)号：CN115036314A
公开(公告)日：2022-09-09
申请号：CN202111492144.X
申请日：2021-12-08
Applicant: 美光科技公司
IPC: H01L27/108 , H01L21/8242
Abstract: 本申请涉及一种进行电容器连接再分布的集成存储器，以及形成所述集成存储器的方法。一些实施例包含集成组件，其具有在多对电容器接触区之间的数字线接触区。所述电容器接触区布置有呈大体上矩形配置的六个邻近电容器接触区。导电插塞与所述电容器接触区耦合。导电再分布材料与所述导电插塞耦合。所述导电再分布材料的上表面布置成大体上密排六方配置。数字线在所述数字线接触区上方。绝缘区在所述数字线与所述导电插塞之间。所述绝缘区含有空隙和/或低k介电材料。电容器与所述导电再分布材料的所述上表面耦合。
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公开(公告)号：CN114121801A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202110989713.5
申请日：2021-08-26
Applicant: 美光科技公司
Inventor： G·杨
IPC: H01L21/8234 , H01L27/11507 , H01L27/11514 , H01L27/1159 , H01L27/11597
Abstract: 本申请案涉及用于形成垂直晶体管阵列和存储器单元阵列的方法。一种用于形成垂直晶体管阵列的方法，其包括形成支柱，所述支柱个别地包括上源极/漏极区、在所述上源极/漏极区垂直下方的沟道区，和在所述上源极/漏极区上方的牺牲材料。中介材料围绕所述支柱中的个别者的所述牺牲材料。所述中介材料和所述牺牲材料包括彼此不同的组合物。水平伸长且间隔的导电栅极线可操作地个别形成在所述个别支柱的所述沟道区旁边。移除所述牺牲材料以暴露所述个别支柱的所述上源极/漏极区，且从而在所述中介材料中所述个别支柱的所述上源极/漏极区正上方形成开口。
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公开(公告)号：CN109219883A
公开(公告)日：2019-01-15
申请号：CN201780030983.5
申请日：2017-07-31
Applicant: 美光科技公司
IPC: H01L27/108
Abstract: 一些实施例包含一种具有第一与第二晶体管，和相对于所述第一与第二晶体管竖直地位移的电容器的存储器胞元。所述电容器具有与所述第一晶体管的源极/漏极区域电耦合的第一节点、与所述第二晶体管的源极/漏极区域电耦合的第二节点和所述第一节点与第二节点之间的电容器介电材料。一些实施例包含一种具有相对于彼此竖直地位移的第一与第二晶体管和所述第一晶体管与第二晶体管之间的电容器的存储器胞元。所述电容器具有与所述第一晶体管的源极/漏极区域电耦合的第一节点、与所述第二晶体管的源极/漏极区域电耦合的第二节点和所述第一节点与第二节点之间的电容器介电材料。
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