-
公开(公告)号：CN119856225A
公开(公告)日：2025-04-18
申请号：CN202380065151.2
申请日：2023-08-25
Applicant: 美光科技公司
Inventor： 陈洁薇 , M·K·拉玛萨哈亚米 , T·O·伊瓦萨基 , 李濬 , L·武
Abstract: 存储器装置中的控制逻辑致使通过电压被施加到所述存储器装置的存储器阵列的块的多条字线，所述块包括多个子块，且所述通过电压将所述多个子块中的每一者的沟道电位升压到升压电压。所述控制逻辑进一步根据表示待编程到所述多个子块的相应存储器单元的位序列的数据模式从所述多个子块中的一或多者选择性地放电所述升压电压。另外，所述控制逻辑致使单个编程脉冲被施加到所述块的所述多条字线中的选定字线以根据所述数据模式对所述多个子块的所述相应存储器单元进行编程。
-
公开(公告)号：CN119028405A
公开(公告)日：2024-11-26
申请号：CN202410637904.9
申请日：2024-05-22
Applicant: 美光科技公司
Abstract: 本申请涉及用以在对四电平单元QLC存储器进行编程时减少系统缓冲要求的预编程遍次。一种存储器装置包含：存储器阵列，其经配置为四电平单元QLC存储器；及控制逻辑，其可操作地耦合到所述存储器阵列。所述控制逻辑识别QLC逻辑状态的特定页面的前两个位。所述控制逻辑使所述存储器阵列的存储器单元以对应于所述前两个位的多电平单元MLC逻辑状态的阈值电压分布进行粗略编程。所述控制逻辑从所述存储器单元读取所述MLC逻辑状态且从高速缓存缓冲器读取后两个位以确定所述QLC逻辑状态。所述控制逻辑使所述存储器单元以对应于所述QLC逻辑状态的QLC阈值电压分布进行进一步粗略编程。
-
公开(公告)号：CN116343876A
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202211667045.5
申请日：2022-12-22
Applicant: 美光科技公司
Abstract: 本公开涉及存储器子系统中的存储器单元的多阶段擦除操作。存储器装置中的控制逻辑执行编程操作以将一组存储器单元中的存储器单元编程到编程电平。执行第一擦除子操作以将所述存储器单元擦除到第一阈值电压电平，所述第一擦除子操作包含将具有第一擦除电压电平的第一擦除脉冲施加到所述存储器单元。执行第二擦除子操作以将所述存储器单元擦除到第二阈值电压电平，所述第二擦除子操作包含将具有第二擦除电压电平的第二擦除脉冲施加到所述存储器单元，其中所述第一擦除脉冲的所述第一擦除电压电平低于所述第二擦除脉冲的所述第二擦除电压电平。
-
公开(公告)号：CN115295050A
公开(公告)日：2022-11-04
申请号：CN202210480392.0
申请日：2022-05-05
Applicant: 美光科技公司
Abstract: 本发明描述了用于减小存储器编程操作中的最大编程电压的系统和方法。实例存储器装置包括：存储器阵列，其包括电耦合到多个字线和多个位线的多个存储器单元；以及控制器，其耦合到所述存储器阵列，所述控制器执行包括以下各项的操作：识别用于执行存储器编程操作的一或多个存储器单元，其中所述存储器单元电耦合到目标字线和一或多个目标位线；使所述存储器阵列的漏极侧选择栅极和源极侧选择栅极断开；使所述存储器阵列的未选字线放电到预定义电压电平；以及将一或多个编程电压脉冲施加到所述目标字线。
-
公开(公告)号：CN114341815A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202080059089.2
申请日：2020-08-19
Applicant: 美光科技公司
Abstract: 描述与例如固态驱动器的存储器或存储系统或子系统中的媒体管理有关的系统、设备和方法，所述媒体管理包含“垃圾收集”。举例来说，可接收指示来自控制器的将有效数据从第一数据块迁移到第二数据块的请求的信令。举例来说，所述第一数据块可为多个存储器单元的配置成单层级单元(SLC)存储器的数据块。所述第二数据块可配置成多层级单元(MLC)存储器。数据迁移操作可包含使用存储器组件执行的错误控制操作，所述错误控制操作不包含将所述数据传送到所述控制器。在使用所述存储器组件执行所述错误控制操作之后，所述数据可从配置成SLC存储器的所述第一数据块迁移到配置成MLC存储器的所述第二数据块。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113129982B
公开(公告)日：2024-02-13
申请号：CN202011620943.6
申请日：2020-12-31
Applicant: 美光科技公司
Inventor： K·C·卡瓦利普拉普 , T·O·伊瓦萨基 , E·E·于 , H-Y·陈 , 徐昀飞
Abstract: 本申请案涉及在存储器子系统中管理子块擦除操作。存储器系统中的处理装置接收擦除存储在存储器装置的数据块处的数据的擦除请求，所述擦除请求识别所述数据块的多个子块中用于擦除的选定子块，所述多个子块中的每一个包括选择栅极装置SGD及数据存储装置。对于所述多个子块中未选定用于擦除的每一子块，所述处理装置在所述相应子块的位线处施加输入电压，且向所述相应子块的多个字线施加多个栅极电压，所述多个字线耦合到所述SGD及所述数据存储装置，施加到所述多个字线中的连续字线的所述多个电压中的每一电压比施加到前一字线的前一电压小等于降压区间的量。
-
公开(公告)号：CN115669257A
公开(公告)日：2023-01-31
申请号：CN202180038271.4
申请日：2021-07-02
Applicant: 美光科技公司
Abstract: 一些实施例包含一种具有通道材料结构且具有沿着所述通道材料结构的存储器单元的组合件。所述存储器单元包含电荷存储材料。线性导电结构与所述通道材料结构垂直偏移，并与所述通道材料结构电耦合。中介区位于所述线性导电结构之间。导电屏蔽结构位于所述中介区内。所述导电屏蔽结构与参考电压源电耦合。
-
公开(公告)号：CN115295044A
公开(公告)日：2022-11-04
申请号：CN202210481807.6
申请日：2022-05-05
Applicant: 美光科技公司
Abstract: 一种存储器系统包含存储器装置，所述存储器装置包括编程缓冲器和内容可寻址存储器CAM块。所述存储器系统进一步包含处理装置，所述处理装置接收待存储在所述存储器装置处的多个数据项且将所述多个数据项存储在所述编程缓冲器的多个页中，所述编程缓冲器的所述多个页中的每一者包括所述多个数据项的相应子集。所述处理装置进一步发起转换操作以将所述多个数据项从所述编程缓冲器复制到所述CAM块。所述转换操作包含从所述编程缓冲器的所述多个页读取所述多个数据项的每个相应子集中的每个数据项的相应部分，且将所述相应部分写入到所述CAM块的相应CAM页。
-
公开(公告)号：CN114391139A
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN202080063890.4
申请日：2020-08-28
Applicant: 美光科技公司
Abstract: 描述与媒体管理有关的系统、设备和方法，所述媒体管理包含存储器或存储系统或子系统(例如，固态驱动器)中的“垃圾收集”。例如，可确定关键性值且将其用作管理数据块上的垃圾收集操作的基础。控制器或所述系统或子系统可确定与执行垃圾收集操作相关联的关键性值满足条件。基于确定满足所述条件，可调整与执行所述垃圾收集操作相关联的参数。使用经调整参数对存储在存储器组件上的所述数据块执行所述垃圾收集操作。
-
公开(公告)号：CN113129982A
公开(公告)日：2021-07-16
申请号：CN202011620943.6
申请日：2020-12-31
Applicant: 美光科技公司
Inventor： K·C·卡瓦利普拉普 , T·O·伊瓦萨基 , E·E·于 , H-Y·陈 , 徐昀飞
Abstract: 本申请案涉及在存储器子系统中管理子块擦除操作。存储器系统中的处理装置接收擦除存储在存储器装置的数据块处的数据的擦除请求，所述擦除请求识别所述数据块的多个子块中用于擦除的选定子块，所述多个子块中的每一个包括选择栅极装置SGD及数据存储装置。对于所述多个子块中未选定用于擦除的每一子块，所述处理装置在所述相应子块的位线处施加输入电压，且向所述相应子块的多个字线施加多个栅极电压，所述多个字线耦合到所述SGD及所述数据存储装置，施加到所述多个字线中的连续字线的所述多个电压中的每一电压比施加到前一字线的前一电压小等于降压区间的量。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
33
records
(took 0.063 seconds)
