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公开(公告)号：CN116420438A
公开(公告)日：2023-07-11
申请号：CN202180074790.6
申请日：2021-10-25
Applicant: 美光科技公司
IPC: H10B43/35
Abstract: 一种电子装置包括交替的介电材料与导电材料的堆叠、垂直延伸穿过所述堆叠的支柱区、在所述支柱区内且横向邻近于所述堆叠的所述介电材料及所述导电材料的氧化物材料及横向邻近于所述氧化物材料且在所述支柱区内的存储节点。所述存储节点的电荷约束区与所述堆叠的所述导电材料水平对准。所述电荷约束区在垂直方向上的高度小于所述堆叠的相应横向邻近导电材料在所述垂直方向上的高度。还公开相关方法及系统。
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公开(公告)号：CN112908393A
公开(公告)日：2021-06-04
申请号：CN202011383593.6
申请日：2020-12-01
Applicant: 美光科技公司
Abstract: 本申请案涉及用于与数据线设置操作同时进行的接种操作的设备和方法。操作存储器的方法以及被配置成执行类似方法的存储器可包含对选择性地连接到第一数据线的第一经串联连接存储器单元串中的特定存储器单元执行感测操作；将第一电压电平施加到所述第一串中的第二存储器单元的所述存取线；将高于所述第一电压电平的第二电压电平施加到所述特定存储器单元的所述存取线；与施加所述第一电压电平同时地并且与施加所述第二电压电平同时地，将第三电压电平施加到所述第一数据线；和与将所述第三电压电平施加到所述第一数据线同时地，将高于所述第三电压电平的第四电压电平施加到选择性地连接到第二经串联连接存储器单元串的第二数据线。
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公开(公告)号：CN113808657A
公开(公告)日：2021-12-17
申请号：CN202110654996.8
申请日：2021-06-11
Applicant: 美光科技公司
Abstract: 本申请案涉及存储器子系统中具有减少的编程干扰的短编程验证恢复。存储器装置中的控制逻辑在所述存储器装置上启动编程操作，所述编程操作包括编程阶段、编程恢复阶段、编程验证阶段和编程验证恢复阶段。所述控制逻辑进一步使负电压信号在所述编程操作的所述编程验证恢复阶段期间被施加到所述存储器装置的数据块的第一多个字线，其中所述第一多个字线中的每一个耦合到所述数据块中的存储器单元串中的第一多个存储器单元的对应存储器单元，所述第一多个字线包括与所述编程操作相关联的所选择字线以及邻近于所述所选择字线的一或多个数据字线。
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公开(公告)号：CN118398038A
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202410098334.0
申请日：2024-01-24
Applicant: 美光科技公司
Abstract: 本公开涉及在编程操作期间减小横向电子场的漏极侧字线电压提升。识别执行编程操作以对与存储器装置的目标字线相关联的一组存储器单元进行编程的请求。在将编程电压施加到所述目标字线期间的第一时间，引起第一经调整通过电压被施加到所述存储器装置的第一组漏极侧字线的第一部分。在将所述编程电压施加到所述目标字线期间的第二时间，引起第二通过电压被施加到所述第一组漏极侧字线的第二部分及所述存储器装置的一或多个源极侧字线，其中所述第一经调整通过电压大于所述第二通过电压。
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公开(公告)号：CN116645995A
公开(公告)日：2023-08-25
申请号：CN202310165712.8
申请日：2023-02-24
Applicant: 美光科技公司
Abstract: 本公开涉及用于编程存储器装置的通过电压的选择性增加和减小。一种存储器装置包括存储器阵列和以操作方式与所述存储器阵列耦合的控制逻辑。所述控制逻辑将进行以下操作：检测指向所述存储器阵列的多个字线中的被选字线的编程操作；在所述编程操作的初始阶段期间，确定正施加到所述被选字线的编程电压是否满足阈值编程电压；响应于所述编程电压不满足所述阈值编程电压，将基础偏移电压添加到初始通过电压以产生较高通过电压，所述初始通过电压是初始编程电压的一百分比；和使所述较高通过电压施加到所述多个字线中除所述被选字线以外的剩余部分。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119446239A
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202410993987.5
申请日：2024-07-24
Applicant: 美光科技公司
Abstract: 描述用于在读取恢复中施加读取电压过驱动的设备、系统及方法。一个实例设备可包含存储器单元阵列及耦合到所述存储器单元阵列的控制器，其中所述控制器经配置以将通过电压施加到所述存储器单元阵列中的字线，将读取电压施加到所述字线，且将大于所述读取电压且小于或等于所述通过电压的读取电压过驱动施加到所述字线。
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公开(公告)号：CN113808657B
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202110654996.8
申请日：2021-06-11
Applicant: 美光科技公司
Abstract: 本申请案涉及存储器子系统中具有减少的编程干扰的短编程验证恢复。存储器装置中的控制逻辑在所述存储器装置上启动编程操作，所述编程操作包括编程阶段、编程恢复阶段、编程验证阶段和编程验证恢复阶段。所述控制逻辑进一步使负电压信号在所述编程操作的所述编程验证恢复阶段期间被施加到所述存储器装置的数据块的第一多个字线，其中所述第一多个字线中的每一个耦合到所述数据块中的存储器单元串中的第一多个存储器单元的对应存储器单元，所述第一多个字线包括与所述编程操作相关联的所选择字线以及邻近于所述所选择字线的一或多个数据字线。
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公开(公告)号：CN116312696A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202211642325.0
申请日：2022-12-20
Applicant: 美光科技公司
Abstract: 本公开涉及预编程和编程阶段期间的偏置电压方案。控制逻辑可执行包含以下的操作：对于一组虚设字线中的每一虚设字线，获得相应的一组升压电压参数，其中每一组升压电压参数包含对应于所述虚设字线的阶跃比，且根据所述相应的一组升压电压参数，使相对于所述一组虚设字线中的每一虚设字线的偏置电压斜变到相应的编程禁止偏置电压。另外或替代地，控制逻辑可执行包含以下的存储器操作：在预编程阶段的种子设定起初子阶段期间，使相对于每一虚设字线的偏置电压斜变到电源电压，且在所述预编程阶段的整个位线设置子阶段期间，将第一虚设字线的所述偏置电压保持在第一虚设字线种子电压。
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公开(公告)号：CN115223638A
公开(公告)日：2022-10-21
申请号：CN202210404464.3
申请日：2022-04-18
Applicant: 美光科技公司
Abstract: 本申请涉及用于降低存储器单元中的快速电荷损失的双重验证。一种存储器装置包含存储器单元的存储器阵列。页缓冲器用于在编程验证操作期间将第一电压或高于所述第一电压的第二电压施加到位线。以操作方式与所述页缓冲器耦合的控制逻辑用于执行包含以下各项的操作：使得多个存储器单元以第一编程脉冲进行编程；测量所述存储器单元的阈值电压；根据经测量阈值电压形成阈值电压分布；基于所述阈值电压分布，将所述存储器单元的第一子集分类为具有比所述存储器单元的第二子集的快速电荷损失更快的快速电荷损失；及响应于所述分类，使得所述页缓冲器在对存储器单元的所述第一子集中的任一者执行的编程验证操作期间将所述第二电压施加到所述位线。
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公开(公告)号：CN114649043A
公开(公告)日：2022-06-21
申请号：CN202111570240.1
申请日：2021-12-21
Applicant: 美光科技公司
Abstract: 本公开涉及用于防止快速电荷损失的方法和装置。存储器装置中的处理逻辑起始存储器阵列上的编程操作，所述编程操作包括编程阶段和编程校验阶段。所述处理逻辑进一步致使在所述编程操作的所述编程校验阶段期间将负电压信号施加到所述存储器阵列的块的第一选定字线，其中所述第一选定字线耦合到所述块中的存储器单元串中的第一多个存储器单元的相应第一存储器单元，其中所述第一选定字线与所述编程操作相关联。
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