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公开(公告)号：CN115458017A
公开(公告)日：2022-12-09
申请号：CN202210647290.3
申请日：2022-06-08
Applicant: 美光科技公司
Abstract: 本申请案是针对读取恢复期间用以减轻潜在读取干扰的提前放电序列。存储器装置包含存储器阵列及控制逻辑，所述控制逻辑与所述存储器阵列可操作地耦合，以执行包含启动与所述存储器阵列的块相关联的读取恢复过程的操作。所述块包含处于初始电压的字线。所述操作进一步包含致使在所述读取恢复过程期间对所述字线中的第一组字线执行提前放电序列以减轻潜在读取干扰。所述提前放电序列包含将所述第一组字线从所述初始电压斜升到斜升电压，同时将所述字线中的第二组字线维持处于所述初始电压。
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公开(公告)号：CN118380029A
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN202410095304.4
申请日：2024-01-23
Applicant: 美光科技公司
Abstract: 本公开涉及用于改进读取干扰的下层级字线上的低通过电压。存储器装置可包含与控制逻辑耦合的存储器阵列。所述控制逻辑对布置于一或多个层级中的多个存储器单元中的一或多个存储器单元启动读取操作。所述控制逻辑能够进一步引起读取电压在所述读取操作期间被施加到耦合到所述一或多个存储器单元的选定字线。所述控制逻辑能够引起第一电压在所述读取操作期间被施加到耦合到所述一或多个层级中的第一层级中的存储器单元的第一组未选定字线。所述控制逻辑能够引起第二电压在所述读取操作期间被施加到耦合到所述一或多个层级中的第二层级中的存储器单元的第二组未选定字线，其中所述第二电压小于所述第一电压。
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公开(公告)号：CN119446239A
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202410993987.5
申请日：2024-07-24
Applicant: 美光科技公司
Abstract: 描述用于在读取恢复中施加读取电压过驱动的设备、系统及方法。一个实例设备可包含存储器单元阵列及耦合到所述存储器单元阵列的控制器，其中所述控制器经配置以将通过电压施加到所述存储器单元阵列中的字线，将读取电压施加到所述字线，且将大于所述读取电压且小于或等于所述通过电压的读取电压过驱动施加到所述字线。
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公开(公告)号：CN115691626A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202210862665.8
申请日：2022-07-21
Applicant: 美光科技公司
Abstract: 本公开涉及非选定子块源极线和位线进行预充电以减少读取干扰。一种存储器装置，其包含：非选定子块，其包含位线；漏极选择(SGD)晶体管，其与位线耦合；源极电压线；源极选择(SGS)晶体管，其与源极电压耦合；以及字线，其与单元串的栅极耦合，单元串具有耦合在SGS/SGD晶体管之间的沟道。与非选定子块耦合的控制逻辑进行以下操作：在使多个字线从接地电压斜变到与非选定字线相关联的通过电压时，使SGD/SGS晶体管导通以准备读取操作；在使字线斜变时，通过将位线和源极电压线上的电压斜变到大于源极读取电压电平的目标电压来对沟道进行预充电；以及响应于字线达到通过电压，使SGD晶体管和SGS晶体管关断，以使沟道在读取操作期间预充电到目标电压。
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