-
公开(公告)号：CN118380029A
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN202410095304.4
申请日：2024-01-23
Applicant: 美光科技公司
Abstract: 本公开涉及用于改进读取干扰的下层级字线上的低通过电压。存储器装置可包含与控制逻辑耦合的存储器阵列。所述控制逻辑对布置于一或多个层级中的多个存储器单元中的一或多个存储器单元启动读取操作。所述控制逻辑能够进一步引起读取电压在所述读取操作期间被施加到耦合到所述一或多个存储器单元的选定字线。所述控制逻辑能够引起第一电压在所述读取操作期间被施加到耦合到所述一或多个层级中的第一层级中的存储器单元的第一组未选定字线。所述控制逻辑能够引起第二电压在所述读取操作期间被施加到耦合到所述一或多个层级中的第二层级中的存储器单元的第二组未选定字线，其中所述第二电压小于所述第一电压。
-
公开(公告)号：CN114694729A
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN202111639768.X
申请日：2021-12-29
Applicant: 美光科技公司
Abstract: 本申请涉及包含对关联于存储器块的扩散区的电压控制的存储器装置。一些实施例包含设备和操作所述设备的方法。所述设备中的一个包含：第一存储器块，其包含用于所述第一存储器块的相应第一存储器单元的第一控制栅极；第二存储器块，其包含用于所述第二存储器块的相应第二存储器单元的第二控制栅极；第一扩散区，其耦合到所述第一控制栅极；第二扩散区，其邻近所述第一扩散区，所述第二扩散区耦合到所述第二控制栅极；和电路，其用以在对所述第一存储器块进行的写入操作中将电压施加到所述第二扩散区。
-
公开(公告)号：CN118351918A
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN202410042056.7
申请日：2024-01-11
Applicant: 美光科技公司
Abstract: 本公开涉及实施全局字线偏置电压以进行读取状态转变。一种存储器装置包含：存储器阵列；及控制逻辑，其可操作地耦合到所述存储器阵列，以执行包含以下的操作：识别与所述存储器装置相关的一组参数；基于所述一组参数来选择将在所述存储器装置的块从瞬态到稳态的读取状态转变期间被施加到全局字线的偏置电压的量值；及致使所述偏置电压被施加到所述全局字线。
-
-
Search Results
3
records
(took 0.017 seconds)
