公开(公告)号：CN112436012A

公开(公告)日：2021-03-02

申请号：CN202010825265.0

申请日：2020-08-17

Applicant: 美光科技公司

Inventor： 胡怡 ,  R·M·阿卜杜勒拉哈曼 ,  N·比利克 ,  D·比林斯利 ,  柏振宇 ,  J·M·卡什 ,  M·J·金 ,  A·李 ,  D·诺伊迈耶 ,  W·Y·吴 ,  Y·K·朴 ,  C·蒂瓦里 ,  王宜平 ,  L·威廉森 ,  张晓松

IPC: H01L27/11524 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/1157 ,  H01L27/11582

Abstract: 本申请涉及存储器阵列和用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法。一种包括存储器单元串的存储器阵列包括个别地包括竖直堆叠的横向间隔开的存储器块，所述竖直堆叠包括交替的绝缘层和导电层。存储器单元的操作性沟道材料串延伸穿过所述绝缘层和所述导电层。居间材料在横向上处于横向紧邻的所述存储器块之间且在纵向上沿着所述存储器块。所述居间材料包括其中个别地具有竖直伸长接缝的纵向交替的第一和第二区域。所述竖直伸长接缝在所述第一区域中比在所述第二区域中长。公开包含方法的额外实施例。

公开(公告)号：CN114342076A

公开(公告)日：2022-04-12

申请号：CN202080062149.6

申请日：2020-09-11

Applicant: 美光科技公司

Inventor： C·史密斯 ,  R·M·阿卜杜勒拉哈曼 ,  S·博尔萨里 ,  C·M·卡尔森 ,  D·戴寇克 ,  M·J·金 ,  吕瑾

IPC: H01L27/11519 ,  H01L27/11524 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/11565 ,  H01L27/1157 ,  H01L27/11582 ,  H01L23/522

Abstract: 一种用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法包括形成包括垂直交替的第一阶层及第二阶层的堆叠。将水平伸长的沟槽形成到所述堆叠中以形成横向间隔开的存储器块区域。在横向介于所述存储器块区域中的横向紧邻者之间的所述沟槽中的个别者中形成壁。所述壁的所述形成包括用包括绝缘氮化物及元素形式硼中的至少一者的绝缘材料加衬里于所述沟槽的侧。在所述沟槽中形成核心材料以在所述绝缘氮化物与所述元素形式硼中的所述至少一者之间横向跨越。还公开独立于方法的结构。

公开(公告)号：CN115918289A

公开(公告)日：2023-04-04

申请号：CN202180038932.3

申请日：2021-06-02

Applicant: 美光科技公司

Inventor： R·M·阿卜杜勒拉哈曼 ,  J·J·吴 ,  C·蒂瓦里 ,  K·舍罗特瑞 ,  S·伦加德

IPC: H10B43/27 ,  H10B43/30 ,  H01L29/792 ,  H01L29/66

Abstract: 一些实施例包含一种具有交替的绝缘层级与导电层级的竖直堆叠的集成式组合件。所述绝缘层级具有彼此相同的主要组合物。所述绝缘层级中的至少一者相对于所述绝缘层级中的其它者在组成上不同，这是由于所述绝缘层级中的所述至少一者包含分散在所述主要组合物内的掺杂剂。开口竖直地延伸穿过所述堆叠。一些实施例包含形成集成式组合件的方法。