公开(公告)号：CN112436012A

公开(公告)日：2021-03-02

申请号：CN202010825265.0

申请日：2020-08-17

Applicant: 美光科技公司

Inventor： 胡怡 ,  R·M·阿卜杜勒拉哈曼 ,  N·比利克 ,  D·比林斯利 ,  柏振宇 ,  J·M·卡什 ,  M·J·金 ,  A·李 ,  D·诺伊迈耶 ,  W·Y·吴 ,  Y·K·朴 ,  C·蒂瓦里 ,  王宜平 ,  L·威廉森 ,  张晓松

IPC: H01L27/11524 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/1157 ,  H01L27/11582

Abstract: 本申请涉及存储器阵列和用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法。一种包括存储器单元串的存储器阵列包括个别地包括竖直堆叠的横向间隔开的存储器块，所述竖直堆叠包括交替的绝缘层和导电层。存储器单元的操作性沟道材料串延伸穿过所述绝缘层和所述导电层。居间材料在横向上处于横向紧邻的所述存储器块之间且在纵向上沿着所述存储器块。所述居间材料包括其中个别地具有竖直伸长接缝的纵向交替的第一和第二区域。所述竖直伸长接缝在所述第一区域中比在所述第二区域中长。公开包含方法的额外实施例。