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公开(公告)号：CN112436012A
公开(公告)日：2021-03-02
申请号：CN202010825265.0
申请日：2020-08-17
Applicant: 美光科技公司
Inventor： 胡怡 , R·M·阿卜杜勒拉哈曼 , N·比利克 , D·比林斯利 , 柏振宇 , J·M·卡什 , M·J·金 , A·李 , D·诺伊迈耶 , W·Y·吴 , Y·K·朴 , C·蒂瓦里 , 王宜平 , L·威廉森 , 张晓松
IPC: H01L27/11524 , H01L27/11556 , H01L27/1157 , H01L27/11582
Abstract: 本申请涉及存储器阵列和用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法。一种包括存储器单元串的存储器阵列包括个别地包括竖直堆叠的横向间隔开的存储器块，所述竖直堆叠包括交替的绝缘层和导电层。存储器单元的操作性沟道材料串延伸穿过所述绝缘层和所述导电层。居间材料在横向上处于横向紧邻的所述存储器块之间且在纵向上沿着所述存储器块。所述居间材料包括其中个别地具有竖直伸长接缝的纵向交替的第一和第二区域。所述竖直伸长接缝在所述第一区域中比在所述第二区域中长。公开包含方法的额外实施例。
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公开(公告)号：CN118116425A
公开(公告)日：2024-05-31
申请号：CN202311622812.5
申请日：2023-11-29
Applicant: 美光科技公司
Abstract: 本申请案涉及动态读取校准。一种系统包含：存储器装置，其具有多个单元；及处理装置，其用以执行包含以下的操作：识别各自连接到单元的子集的字线群组；及将指定电荷损失分类值指派给所述群组。所述操作还可包含选择页面级别、选择第一组单元、针对所述第一组单元确定第一数据状态度量的值、识别经充电到指定电荷状态的第二组单元及确定第二数据状态度量的值。所述操作还可包含维持所述第二数据状态度量的偏斜计数器、识别并更新读取参考电压偏移以及在读取操作中应用经更新读取参考电压偏移。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113675207A
公开(公告)日：2021-11-19
申请号：CN202110510311.2
申请日：2021-05-11
Applicant: 美光科技公司
IPC: H01L27/11565 , H01L27/1157 , H01L27/11582
Abstract: 本发明涉及集成组件以及形成集成组件的方法。一些实施例包含一种集成组件，其具有含有半导体材料的第一结构，且具有接触所述第一结构的第二结构。所述第一结构具有沿着与所述第二结构的界面的组成物。所述组成物包含浓度在约1018原子/cm3到约1021原子/cm3范围内的添加剂。所述添加剂包含碳、氧、氮和硫中的一或多种。一些实施例包含形成集成组件的方法。
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公开(公告)号：CN113675207B
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202110510311.2
申请日：2021-05-11
Applicant: 美光科技公司
Abstract: 本发明涉及集成组件以及形成集成组件的方法。一些实施例包含一种集成组件，其具有含有半导体材料的第一结构，且具有接触所述第一结构的第二结构。所述第一结构具有沿着与所述第二结构的界面的组成物。所述组成物包含浓度在约1018原子/cm3到约1021原子/cm3范围内的添加剂。所述添加剂包含碳、氧、氮和硫中的一或多种。一些实施例包含形成集成组件的方法。
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公开(公告)号：CN117631982A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202311104916.7
申请日：2023-08-30
Applicant: 美光科技公司
IPC: G06F3/06
Abstract: 本公开涉及用于减小存储器装置中的位错误率的有效定期后端刷新读取。存储器子系统中的处理装置以所定义的扫描/读取刷新频率遍历存储器装置的多个管理单元。对于所述多个管理单元中的每个管理单元，所述处理装置识别满足最低感测开销准则的页，并且在不将所识别的页的数据传送出所述存储器装置的情况下感测所述数据。非暂时性计算机可读媒体包含程序指令，所述程序指令在由处理装置执行时使得所述处理装置以所定义的扫描/读取刷新频率遍历存储器装置的多个管理单元。对于每个管理单元，所述处理装置识别满足最低感测开销准则的页，并且在不将所识别的页的数据传送出所述存储器装置的情况下感测所述数据。
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公开(公告)号：CN117296465A
公开(公告)日：2023-12-26
申请号：CN202280033473.4
申请日：2022-04-01
Applicant: 美光科技公司
IPC: H10B41/35
Abstract: 一种存储器阵列包括个别地包括包含交替的绝缘阶层及导电阶层的垂直堆叠的横向隔开的存储器块。存储器单元的沟道材料串延伸穿过所述绝缘阶层及所述导电阶层。所述横向隔开的存储器块在所述导电阶层的下导电阶层中包括靠近所述横向隔开的存储器块的横向外侧沿着所述横向隔开的存储器块纵向延伸的元素形式金属。金属硅化物或金属锗化合物在所述下导电阶层中直接抵靠所述元素形式金属的横向内侧且在所述下导电阶层中沿着所述横向隔开的存储器块纵向延伸。所述金属硅化物或所述金属锗化合物的金属相同于所述元素形式金属的金属。公开其它实施例，包含方法。
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公开(公告)号：CN114051654A
公开(公告)日：2022-02-15
申请号：CN202080048262.9
申请日：2020-07-21
Applicant: 美光科技公司
IPC: H01L27/11556 , H01L27/11582 , H01L27/11524 , H01L27/1157 , H01L21/02 , H01L21/285
Abstract: 一些实施例包含一种具有延伸到集成配置中的开口的结构。第一材料位于所述开口内且经配置以产生相对于所述开口的侧壁的波状构形。所述波状构形具有由平均粗糙度参数Rmean特征化的表面粗糙度，所述Rmean是沿所述波状构形的平均峰谷距离。所述Rmean是至少约4nm。第二材料位于所述开口内且沿所述波状构形的至少一部分。所述第一材料及所述第二材料在组成上彼此不同。一些实施例包含集成组合件。一些实施例包含形成集成组合件的方法。
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