公开(公告)号：CN113097128A

公开(公告)日：2021-07-09

申请号：CN202110017616.X

申请日：2021-01-07

Applicant: 美光科技公司

Inventor： J·K·琼斯拉曼 ,  K·什罗尔特里 ,  M·J·金

IPC: H01L21/768

Abstract: 本申请案涉及包含阶梯结构的微电子装置以及相关电子装置及方法。微电子装置包括：堆叠结构，其包括布置成层级的交替的导电结构及绝缘结构，所述层级中的每一者个别地包括所述导电结构中的一者及所述绝缘结构中的一者；阶梯结构，其在所述堆叠结构内且具有包括所述层级的边缘的梯级；及掺杂电介质材料，其邻近所述阶梯结构的所述梯级且包括掺杂有硼、磷、碳及氟中的一或多者的二氧化硅，所述掺杂电介质材料具有比硼磷硅玻璃更大的Si‑O‑Si键与水的比率。还揭示形成微电子装置及相关电子系统的相关方法。

公开(公告)号：CN113097128B

公开(公告)日：2024-04-19

申请号：CN202110017616.X

申请日：2021-01-07

Applicant: 美光科技公司

Inventor： J·K·琼斯拉曼 ,  K·什罗尔特里 ,  M·J·金

IPC: H01L21/768

Abstract: 本申请案涉及包含阶梯结构的微电子装置以及相关电子装置及方法。微电子装置包括：堆叠结构，其包括布置成层级的交替的导电结构及绝缘结构，所述层级中的每一者个别地包括所述导电结构中的一者及所述绝缘结构中的一者；阶梯结构，其在所述堆叠结构内且具有包括所述层级的边缘的梯级；及掺杂电介质材料，其邻近所述阶梯结构的所述梯级且包括掺杂有硼、磷、碳及氟中的一或多者的二氧化硅，所述掺杂电介质材料具有比硼磷硅玻璃更大的Si‑O‑Si键与水的比率。还揭示形成微电子装置及相关电子系统的相关方法。