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公开(公告)号：CN106062238A
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201580011354.9
申请日：2015-03-02
Applicant: 株式会社村田制作所 , 独立行政法人产业技术综合研究所
IPC: C23C14/06 , H01L41/083 , H01L41/187 , H01L41/27 , H01L41/316 , H01L41/39 , H03H3/02 , H03H9/17
CPC classification number: H01L41/18 , C04B35/581 , C04B35/62218 , C04B2235/3865 , C04B2235/40 , C23C14/0042 , C23C14/0617 , C23C14/0641 , C23C14/14 , C23C14/3435 , C23C14/3464 , G10K9/125 , H01L41/0805 , H01L41/081 , H01L41/0831 , H01L41/0973 , H01L41/187 , H01L41/27 , H01L41/316 , H03H3/02 , H03H9/02015 , H03H9/588 , H03H2003/023
Abstract: 本发明提供一种氮化铝压电薄膜及其制造方法、压电材、压电部件。可得出呈氮极性且量产性优越的氮化铝压电薄膜。提供使含有锗的氮化铝压电薄膜(3)以及在基材(2)上通过溅射而含有锗的氮化铝压电薄膜生长的氮化铝压电薄膜的制造方法。
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公开(公告)号：CN103998568B
公开(公告)日：2015-10-14
申请号：CN201280062378.3
申请日：2012-11-01
Applicant: 独立行政法人产业技术综合研究所
Inventor： 秋山守人
CPC classification number: C03C14/008 , C03C4/02 , C03C2204/00 , C03C2214/08 , C03C2214/17 , C09K11/602 , C09K11/625 , C09K11/646 , C09K11/666 , C09K11/676 , C09K11/685 , C09K11/698 , C09K11/706 , C09K11/7442 , C09K11/757 , C09K11/7734 , C09K11/7774 , G03C1/725
Abstract: 本发明提供一种毒性较低，且在可见光区域表现优异的感光性，且变色较深、退色速度较慢，且还具有化学稳定及热稳定性而耐久性优异的光致变色物质。该光致变色物质具有由“Ba(a-b)CabMgcSidOe:FefMgM'h”所表达的组分(式中，1.8≤a≤2.2，0≤b≤0.1，1.4≤c≤3.5，1.8≤d≤2.2，e＝(a+c+2d)，0.0001≤f，0.0001≤g，0≤h，M为Al及Eu中的至少1种元素，M'为选自由Na、K、Nd、Li、S、C、Ti、V、Mn、Cr、Cu、Ni、Co、Ge、Zn、Ga、Zr、Y、Nb、In、Ag、Mo、Sn、Sb、Bi、Ta、W、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Gd、Er、Ho、Tb、Tm、Yb、Lu、P、Cd及Pb所组成的群中的至少1种元素)。
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公开(公告)号：CN1656623A
公开(公告)日：2005-08-17
申请号：CN03812317.7
申请日：2003-05-29
Applicant: 独立行政法人产业技术综合研究所
CPC classification number: H01L41/316 , Y10T29/42
Abstract: 一种使用超高取向氮化铝薄膜的压电元件及其制造方法。本发明的目的在于，提供一种在玻璃基板等廉价的基板上不介入密接层而直接由W层形成下部电极，由此形成没有隆起或裂纹或剥离、而且构成c轴超高取向的氮化铝薄膜的高性能的压电元件。本发明的使用超高取向氮化铝薄膜的压电元件具有在基板上顺序形成下部电极、压电体薄膜、上部电极的叠层结构，并且没有隆起、裂纹或剥离，其特征在于，下部电极由W的(111)面与基板面平行的取向性W层形成，而且压电体薄膜由摇摆曲线半价宽度(RCFWHM)为小于等于2.5°的c轴取向氮化铝薄膜形成。
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公开(公告)号：CN102474234B
公开(公告)日：2015-06-17
申请号：CN201080028605.1
申请日：2010-06-30
Applicant: 独立行政法人产业技术综合研究所 , 株式会社电装
CPC classification number: H03H3/02 , C23C14/0036 , C23C14/0617 , C23C14/0641 , H01L41/316 , Y10T428/24355
Abstract: 本发明的具备含钪的氮化铝薄膜的压电体薄膜的制造方法包含在至少含有氮气的环境下用钪和铝进行溅射的溅射工序。在本发明的制造方法的溅射工序中，在基板温度为5℃～450℃的范围下，以使钪含有率处于0.5原子％～50原子％的范围内的形式，进行溅射。
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公开(公告)号：CN103998568A
公开(公告)日：2014-08-20
申请号：CN201280062378.3
申请日：2012-11-01
Applicant: 独立行政法人产业技术综合研究所
Inventor： 秋山守人
CPC classification number: C03C14/008 , C03C4/02 , C03C2204/00 , C03C2214/08 , C03C2214/17 , C09K11/602 , C09K11/625 , C09K11/646 , C09K11/666 , C09K11/676 , C09K11/685 , C09K11/698 , C09K11/706 , C09K11/7442 , C09K11/757 , C09K11/7734 , C09K11/7774 , G03C1/725
Abstract: 本发明提供一种毒性较低，且在可见光区域表现优异的感光性，且变色较深、退色速度较慢，且还具有化学稳定及热稳定性而耐久性优异的光致变色物质。该光致变色物质具有由“Ba(a-b)CabMgcSidOe:FefMgM'h”所表达的组分(式中，1.8≤a≤2.2，0≤b≤0.1，1.4≤c≤3.5，1.8≤d≤2.2，e＝(a+c+2d)，0.0001≤f，0.0001≤g，0≤h，M为Al及Eu中的至少1种元素，M'为选自由Na、K、Nd、Li、S、C、Ti、V、Mn、Cr、Cu、Ni、Co、Ge、Zn、Ga、Zr、Y、Nb、In、Ag、Mo、Sn、Sb、Bi、Ta、W、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Gd、Er、Ho、Tb、Tm、Yb、Lu、P、Cd及Pb所组成的群中的至少1种元素)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106062238B
公开(公告)日：2018-09-04
申请号：CN201580011354.9
申请日：2015-03-02
Applicant: 株式会社村田制作所 , 独立行政法人产业技术综合研究所
IPC: C23C14/06 , H01L41/083 , H01L41/187 , H01L41/27 , H01L41/316 , H01L41/39 , H03H3/02 , H03H9/17
CPC classification number: H01L41/18 , C04B35/581 , C04B35/62218 , C04B2235/3865 , C04B2235/40 , C23C14/0042 , C23C14/0617 , C23C14/0641 , C23C14/14 , C23C14/3435 , C23C14/3464 , G10K9/125 , H01L41/0805 , H01L41/081 , H01L41/0831 , H01L41/0973 , H01L41/187 , H01L41/27 , H01L41/316 , H03H3/02 , H03H9/02015 , H03H9/588 , H03H2003/023
Abstract: 本发明提供一种氮化铝压电薄膜及其制造方法、压电材、压电部件。可得出呈氮极性且量产性优越的氮化铝压电薄膜。提供使含有锗的氮化铝压电薄膜(3)以及在基材(2)上通过溅射而含有锗的氮化铝压电薄膜生长的氮化铝压电薄膜的制造方法。
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公开(公告)号：CN105765751B
公开(公告)日：2018-09-04
申请号：CN201480064741.4
申请日：2014-11-20
Applicant: 株式会社村田制作所 , 独立行政法人产业技术综合研究所
IPC: H01L41/187 , C23C14/34 , H01L41/09 , H01L41/113 , H01L41/316 , H03H3/02 , H03H9/17 , H04R17/02
CPC classification number: H01L41/183 , C23C14/0036 , C23C14/3414 , C23C14/3464 , C23C16/34 , H01L41/187 , H01L41/316 , H03H3/02 , H03H9/17 , H04R17/02 , H04R2307/027
Abstract: 本发明提供一种由含有钪以外的廉价元素且压电常数得到提高的氮化铝构成的压电薄膜。所述压电薄膜是由含有镁和铌的氮化铝构成的压电薄膜，其中，相对于上述镁100原子％，含有上述铌31～120原子％，上述镁和铌的合计含量相对于上述镁、铌及铝的含量的总和在10～67原子％的范围。
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公开(公告)号：CN105765751A
公开(公告)日：2016-07-13
申请号：CN201480064741.4
申请日：2014-11-20
Applicant: 株式会社村田制作所 , 独立行政法人产业技术综合研究所
IPC: H01L41/187 , C23C14/34 , H01L41/09 , H01L41/113 , H01L41/316 , H03H3/02 , H03H9/17 , H04R17/02
CPC classification number: H01L41/183 , C23C14/0036 , C23C14/3414 , C23C14/3464 , C23C16/34 , H01L41/187 , H01L41/316 , H03H3/02 , H03H9/17 , H04R17/02 , H04R2307/027
Abstract: 本发明提供一种由含有钪以外的廉价元素且压电常数得到提高的氮化铝构成的压电薄膜。所述压电薄膜是由含有镁和铌的氮化铝构成的压电薄膜，其中，相对于上述镁100原子％，含有上述铌31～120原子％，上述镁和铌的合计含量相对于上述镁、铌及铝的含量的总和在10～67原子％的范围。
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公开(公告)号：CN105229810A
公开(公告)日：2016-01-06
申请号：CN201480026406.5
申请日：2014-05-22
Applicant: 株式会社电装 , 独立行政法人产业技术综合研究所
IPC: H01L41/316 , C23C14/06 , H01L41/187
CPC classification number: H01L41/18 , C23C14/0052 , C23C14/06 , C23C14/0641 , C23C14/18 , C23C14/185 , C23C14/34 , C23C14/3464 , C23C14/46 , H01L41/187 , H01L41/316
Abstract: 一种压电体薄膜(1)，其是通过溅射得到的并且由钪铝氮化物制成的。其碳原子含有率为2.5原子％以下。在压电体薄膜(1)的制造时，在至少含有氮气的气氛下，从碳原子含有率为5原子％以下的钪铝合金靶材(10)向基板上(21)同时溅射钪和铝。另外，也可以对合金靶材的相对面倾斜地照射离子束(31)来进行溅射。另外，也可以从Sc靶材和Al靶材向基板上同时溅射铝和钪。由此，能够提供可发挥优良的压电特性的压电体薄膜及其制造方法。
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公开(公告)号：CN101322258B
公开(公告)日：2010-10-20
申请号：CN200480002472.5
申请日：2004-01-21
Applicant: 独立行政法人产业技术综合研究所
CPC classification number: H01L41/316
Abstract: 本发明在石英玻璃基板或不锈钢基板上形成下部电极。在下部电极上用溅射法通过制作薄膜状氮化铝和/或氧化锌，形成压电体薄膜，使其偶极子取向度在55％以上。然后，在压电体薄膜上形成上部电极。压电元件的压电层由氮化铝和/或氧化锌构成。具有晶体结构的氮化铝或氧化锌由于其晶体结构不存在对称性，故原来就具备压电性，并且像铁电体那样不存在居里温度，即使在高温下也不产生磁位错，故直至晶体熔解或升华，都不会失去压电性。
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