公开(公告)号：CN1656623A

公开(公告)日：2005-08-17

申请号：CN03812317.7

申请日：2003-05-29

Applicant: 独立行政法人产业技术综合研究所

Inventor： 秋山守人 ,  上野直广 ,  立山博 ,  砂川佳敬 ,  梅内芳浩 ,  地主启一郎

IPC: H01L41/08 ,  H01L41/24

CPC classification number: H01L41/316 ,  Y10T29/42

Abstract: 一种使用超高取向氮化铝薄膜的压电元件及其制造方法。本发明的目的在于，提供一种在玻璃基板等廉价的基板上不介入密接层而直接由W层形成下部电极，由此形成没有隆起或裂纹或剥离、而且构成c轴超高取向的氮化铝薄膜的高性能的压电元件。本发明的使用超高取向氮化铝薄膜的压电元件具有在基板上顺序形成下部电极、压电体薄膜、上部电极的叠层结构，并且没有隆起、裂纹或剥离，其特征在于，下部电极由W的(111)面与基板面平行的取向性W层形成，而且压电体薄膜由摇摆曲线半价宽度(RCFWHM)为小于等于2.5°的c轴取向氮化铝薄膜形成。