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公开(公告)号：CN104347573B
公开(公告)日：2017-06-20
申请号：CN201410350640.5
申请日：2014-07-22
IPC: H01L23/495 , H02M7/00 , H02M1/00
CPC classification number: H01L23/49562 , H01L23/49575 , H01L24/48 , H01L24/85 , H01L24/89 , H01L2224/48247 , H01L2224/85001 , H01L2924/00014 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/181 , H01L2924/00012 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 本发明涉及引线框架、电力变换装置、半导体设备及其制造方法。根据本公开，提供一种引线框架，包括：并排地布置的第一岛和第二岛；外周框架；第一引线，第一引线在与第一方向垂直的第二方向上延伸；第二引线，第二引线在第二方向上延伸；第一联结部分，第一联结部分将第一引线联结到框架；第二联结部分，第二联结部分将第二引线联结到框架；中间部分，中间部分在第一方向上形成在第一和第二联结部分之间使得中间部分在第二方向上延伸以在第一和第二岛之间的空间之前终止；和变形抑制部分，变形抑制部分被形成或者设置在第一引线、第二引线、第一和第二联结部分中的至少一个之中，并且被构造成抑制在模制过程期间第一和第二引线的变形。
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公开(公告)号：CN106165202A
公开(公告)日：2016-11-23
申请号：CN201580012762.6
申请日：2015-01-19
Abstract: 端子连接构造具备：阳端子及具有弹性以从两侧夹住上述阳端子的方式与上述阳端子嵌合的阴端子，上述阳端子包括：母材、覆盖上述母材的第一基底层、覆盖上述第一基底层的第二基底层及覆盖上述第二基底层的最表层，上述第一基底层和上述第二基底层硬度不同。
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公开(公告)号：CN105518841A
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201480048461.4
申请日：2014-08-29
IPC: H01L21/60 , H01L25/07 , H01L23/051 , H01L23/492 , H01L23/495
CPC classification number: H01L23/49568 , H01L23/051 , H01L23/3107 , H01L23/36 , H01L23/3672 , H01L23/49513 , H01L23/49524 , H01L23/49537 , H01L23/49548 , H01L23/49562 , H01L23/49575 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/33 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/83 , H01L25/072 , H01L29/7397 , H01L29/861 , H01L2224/2612 , H01L2224/26175 , H01L2224/29111 , H01L2224/32014 , H01L2224/32057 , H01L2224/32245 , H01L2224/33 , H01L2224/33181 , H01L2224/40137 , H01L2224/45124 , H01L2224/45147 , H01L2224/48247 , H01L2224/49171 , H01L2224/73215 , H01L2224/73265 , H01L2224/83007 , H01L2224/83101 , H01L2224/83203 , H01L2224/83385 , H01L2224/83439 , H01L2224/83444 , H01L2224/83815 , H01L2224/92242 , H01L2224/92247 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2224/83 , H01L2224/85 , H01L2924/00
Abstract: 一种半导体装置(20)，其包括：对置的第一金属板(36、56)和第二金属板(34、54)；多个半导体元件(26、28、30、32、206、208、210、212、306、308、310、312)，它们每个介于第一金属板(36、56)和第二金属板(34、54)之间；金属块(44、50、314、316)，其介于第一金属板(36、56)和每个半导体元件(26、28、30、32、206、208、210、212、306、308、310、312)之间；焊料构件(46、52)，其介于第一金属板(36、56)和金属块(44、50、314、316)之间并且将第一金属板(36、56)连接至金属块(44、50、314、316)；以及注塑树脂(74)，其密封半导体元件(26、28、30、32、206、208、210、212、306、308、310、312)和金属块(44、50、314、316)。第一金属板(36、56)的一面，其为金属块(44、50、314、316)经由焊料构件(46、52)连接至第一金属板(36、56)的一面的对置侧，暴露于注塑树脂(74)外。第一金属板(36、56)具有沿着其中设置有焊料构件(46、52)的区域的外周形成的凹槽(70、72)，凹槽(70、72)共同围绕焊料构件(46、52)，以便防止焊料构件(46、52)在第一金属板(36、56)的黏结面上散布。每个半导体元件(26、30、206、210、306、310)可以是功率半导体开关元件，诸如绝缘栅双极晶体管(IGBT)，其在转换电功率时进行开关操作，以及每个半导体元件(28、32、208、212、308、312)可以是为了在中断对应的一个半导体元件(26、30、206、210、306、310)时循环电流所需要的回流二极管。
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公开(公告)号：CN105814686A
公开(公告)日：2016-07-27
申请号：CN201480067494.3
申请日：2014-12-09
IPC: H01L23/495
CPC classification number: H01L23/49562 , H01L23/051 , H01L23/3107 , H01L23/3114 , H01L23/4334 , H01L23/49513 , H01L23/49568 , H01L23/49575 , H01L24/33 , H01L29/7395 , H01L29/861 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/181 , H02M7/003 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 一种半导体装置包括：第一开关元件(20)；第二开关元件(30)；第一金属构件(50)；第二金属构件(54)；第一端子(40)，其具有在高电位侧上的电位；第二端子(42)，其具有在低电位侧上的电位；第三端子(44)，其具有中点电位；以及树脂部(66)。第一电位部(P)具有与所述第一端子的电位相等的电位。第二电位部(N)具有与所述第二端子的电位相等的电位。第三电位部(O)具有与所述第三端子的电位相等的电位。第一电位部和第二电位部之间的第一爬电距离大于第一电位部和第三电位部之间的第二爬电距离与第二电位部和第三电位部之间的第三爬电距离中的最小值。
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公开(公告)号：CN104025291A
公开(公告)日：2014-09-03
申请号：CN201280064492.X
申请日：2012-12-21
IPC: H01L23/433
CPC classification number: H01L23/3672 , H01L23/3142 , H01L23/4334 , H01L24/33 , H01L2224/32245 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/181 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 一种半导体装置包括：多个半导体元件，每个半导体元件具有正面和背面；正面侧散热板，所述正面侧散热板定位在所述半导体元件的正面侧，并对由所述半导体元件产生的热进行散热；背面侧散热板，所述背面侧散热板定位在所述半导体元件的背面侧，并对由所述半导体元件产生的热进行散热；密封材料，所述密封材料覆盖除了所述正面侧散热板的正面和所述背面侧散热板的背面之外的所述半导体装置；底涂剂，所述底涂剂涂覆在所述正面侧散热板和所述背面侧散热板中的至少一者上，并且改善与所述密封构件的接触；凸部，所述凸部在所述多个半导体元件之间定位在所述正面侧散热板的背面和所述背面侧散热板的正面中的至少一者上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102315181B
公开(公告)日：2014-04-09
申请号：CN201110185855.2
申请日：2011-06-30
Applicant: 株式会社电装
IPC: H01L23/473 , H01L23/48 , H01L23/367
CPC classification number: H01L23/473 , H01L23/3672 , H01L23/3736 , H01L23/427 , H01L23/4334 , H01L23/46 , H01L24/06 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/33 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L2224/06181 , H01L2224/29111 , H01L2224/2929 , H01L2224/29299 , H01L2224/29339 , H01L2224/29347 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/33181 , H01L2224/48227 , H01L2224/73215 , H01L2224/73265 , H01L2924/00013 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01082 , H01L2924/0132 , H01L2924/014 , H01L2924/06 , H01L2924/1301 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/1517 , H01L2924/1579 , H01L2924/181 , H01L2924/1815 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2224/29099 , H01L2224/29199 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 本发明提供一种包括封装(100)和冷却器(200)的半导体器件。所述半导体封装包括半导体元件(10)、金属构件(20、30)以及用于将所述半导体元件和所述金属构件包封在其中的模制构件(60)。所述金属构件(60)具有热连接到所述半导体元件的金属部(21、31)、在所述金属部上的电绝缘层(22、32)以及在所述绝缘层上的传导层(23、33)。所述传导层至少部分地暴露在所述模制构件的外部并且用作用于辐射所述半导体元件的热的辐射表面。冷却器(200)具有通过其使冷却剂(202)循环的冷却剂通道(201)，以冷却所述传导层。所述传导层和所述冷却器电连接在一起。
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公开(公告)号：CN101996957A
公开(公告)日：2011-03-30
申请号：CN201010258186.2
申请日：2010-08-18
Applicant: 株式会社电装
CPC classification number: H01L23/3192 , H01L23/4334 , H01L23/492 , H01L24/01 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/05599 , H01L2224/05644 , H01L2224/16 , H01L2224/48491 , H01L2224/73253 , H01L2924/00014 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01022 , H01L2924/01033 , H01L2924/0105 , H01L2924/01052 , H01L2924/01068 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/13055 , H01L2924/3512 , H01L2924/00
Abstract: 一种半导体设备包括用于覆盖第一金属布线(18)的第一保护膜(25)。第二保护膜(26)布置于第一保护膜(25)上，第二保护膜(26)由焊料层(29)覆盖。即使在焊料层(29)形成于第二保护膜(26)上之前裂纹产生于第二保护膜(26)中，也限制裂纹行进入第一保护膜(25)。
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公开(公告)号：CN114846601A
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN202080085890.4
申请日：2020-10-14
Applicant: 株式会社电装
Abstract: 以夹着在两面具有主电极的半导体元件的方式配置并与对应的主电极电连接的散热部之一即热沉(51)，在与发射极端子之间形成焊料接合部。热沉(51)在发射极端子侧的面上具有高浸润区域(151b)、以及在板厚方向的平面视图中与高浸润区域(151b)邻接而设置以规定高浸润区域(151b)的外周、与高浸润区域(151b)相比对焊料的浸润性低的低浸润区域(151a)。高浸润区域(151b)在平面视图中具有重叠区域(151c)和与重叠区域(151c)相连的非重叠区域(151d)，重叠区域是与发射极端子的焊料接合部的形成区域重叠的区域，在至少一部分中配置有焊料。非重叠区域(151d)至少包括收容剩余焊料的收容区域(151e)。
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公开(公告)号：CN113597671A
公开(公告)日：2021-11-02
申请号：CN202080021731.8
申请日：2020-02-05
Applicant: 株式会社电装
Abstract: 半导体装置具备：负极金属板(40)，与第1半导体元件(11)及第2半导体元件(12)双方对置配置；正极金属板(30)，在与负极金属板之间配置有第1半导体元件的状态下与负极金属板对置配置；以及输出金属板(70)，在与负极金属板之间配置有第2半导体元件的状态下与负极金属板对置配置。第2半导体元件的集电极电极与输出金属板电连接，发射极电极与负极金属板电连接。第1半导体元件的集电极电极与正极金属板电连接，发射极电极与输出金属板电连接，并且第1半导体元件通过第2绝缘基板(61)而与负极金属板在电绝缘的状态下热连接。
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公开(公告)号：CN105814686B
公开(公告)日：2018-08-03
申请号：CN201480067494.3
申请日：2014-12-09
IPC: H01L23/495
CPC classification number: H01L23/49562 , H01L23/051 , H01L23/3107 , H01L23/3114 , H01L23/4334 , H01L23/49513 , H01L23/49568 , H01L23/49575 , H01L24/33 , H01L29/7395 , H01L29/861 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/181 , H02M7/003 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 种半导体装置包括:第开关元件(20);第二开关元件(30);第金属构件(50);第二金属构件(54);第端子(40),其具有在高电位侧上的电位;第二端子(42),其具有在低电位侧上的电位;第三端子(44),其具有中点电位;以及树脂部(66)。第电位部(P)具有与所述第端子的电位相等的电位。第二电位部(N)具有与所述第二端子的电位相等的电位。第三电位部(O)具有与所述第三端子的电位相等的电位。第电位部和第二电位部之间的第爬电距离大于第电位部和第三电位部之间的第二爬电距离与第二电位部和第三电位部之间的第三爬电距离中的最小值。
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