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公开(公告)号:CN115516624A
公开(公告)日:2022-12-23
申请号:CN202180031629.0
申请日:2021-03-12
Applicant: 株式会社电装
Abstract: 形成在半导体元件的两面上的主电极与对应的热沉连接。发射极电极经由接线柱(60)而与热沉(50)连接。在接线柱(60)中,热沉侧的端面(60b)呈具有平行于X方向的两个边(61a、61b)和平行于Y方向的两个边(61c、61d)的矩形。热沉(50)经由焊料(91)而与接线柱(60)的端面(60b)连接。热沉(50)在与接线柱(60)对置的对置面(50a)上具有与接线柱(60)连接的连接区域(51)和将连接区域(51)包围而收容剩余的焊料(91)的槽(52)。槽(52)设置为,在平面视图下与端面(60b)的4边中的仅一个或仅两个重叠。
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公开(公告)号:CN101996957B
公开(公告)日:2013-02-06
申请号:CN201010258186.2
申请日:2010-08-18
Applicant: 株式会社电装
CPC classification number: H01L23/3192 , H01L23/4334 , H01L23/492 , H01L24/01 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/05599 , H01L2224/05644 , H01L2224/16 , H01L2224/48491 , H01L2224/73253 , H01L2924/00014 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01022 , H01L2924/01033 , H01L2924/0105 , H01L2924/01052 , H01L2924/01068 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/13055 , H01L2924/3512 , H01L2924/00
Abstract: 一种半导体设备包括用于覆盖第一金属布线(18)的第一保护膜(25)。第二保护膜(26)布置于第一保护膜(25)上,第二保护膜(26)由焊料层(29)覆盖。即使在焊料层(29)形成于第二保护膜(26)上之前裂纹产生于第二保护膜(26)中,也限制裂纹行进入第一保护膜(25)。
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公开(公告)号:CN114503255A
公开(公告)日:2022-05-13
申请号:CN202080069629.5
申请日:2020-09-25
Applicant: 株式会社电装
Abstract: 半导体装置具备在表面形成有发射极电极、在背面形成有集电极电极的半导体元件(30)。集电极电极与配置于半导体元件(30)的背面侧的散热器(40)经由焊料(80)连接。在焊料接合部设有多个线片(90)。所有的线片(90)接合于散热器(40)的安装面(40a),朝向半导体元件(30)突起。焊料(80)具有在俯视时与包含元件中心(30c)的半导体元件(30)的中央部分重叠的中央区域(80a)与将中央区域(80a)包围的外周区域(80b)。在外周区域,至少与半导体元件(30)的四角分别对应地配置有四个以上的线片。线片中的至少一个在俯视时朝向元件中心延伸。
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公开(公告)号:CN108604579A
公开(公告)日:2018-09-28
申请号:CN201780009036.8
申请日:2017-03-13
Applicant: 株式会社电装
Abstract: 一种电子装置及其制造方法。电子装置中,信号端子(25)的内引线(250)具有使用金属材料形成的基材(252)、和在基材的表面中的内引线的接合面(250a)侧的表面上形成的被膜(253)。被膜具有形成在基材的表面上、在一部分上连接着接合线的金属薄膜(254),和由与金属薄膜的主成分的金属相同的金属的氧化物构成、在金属薄膜上、除了接合线的连接区域(250b)以外的部分的至少一部分上形成的氧化膜(255)。氧化膜包括对金属薄膜照射脉冲振荡的激光而形成、表面连续而呈现凹凸的凹凸氧化膜(256)。凹凸氧化膜被形成在接合面中的前端区域(250e)的至少一部分上。
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公开(公告)号:CN106158839B
公开(公告)日:2020-03-03
申请号:CN201610305651.0
申请日:2016-05-10
Applicant: 株式会社电装
Inventor: 福冈大辅
IPC: H01L25/07 , H01L23/495
Abstract: 半导体器件包括半导体芯片(11)、金属构件(13)和端子(14)。所述半导体芯片(11)具有电极(12)。所述金属构件(13)电连接至电极(12)。所述端子从要连接至外部连接构件的所述金属构件(13)延伸。所述端子在从所述端子的连接至所述金属构件的第一端开始的预定区域中具有宽度增加的部分(141a、143a)。
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公开(公告)号:CN101996957A
公开(公告)日:2011-03-30
申请号:CN201010258186.2
申请日:2010-08-18
Applicant: 株式会社电装
CPC classification number: H01L23/3192 , H01L23/4334 , H01L23/492 , H01L24/01 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/05599 , H01L2224/05644 , H01L2224/16 , H01L2224/48491 , H01L2224/73253 , H01L2924/00014 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01022 , H01L2924/01033 , H01L2924/0105 , H01L2924/01052 , H01L2924/01068 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/13055 , H01L2924/3512 , H01L2924/00
Abstract: 一种半导体设备包括用于覆盖第一金属布线(18)的第一保护膜(25)。第二保护膜(26)布置于第一保护膜(25)上,第二保护膜(26)由焊料层(29)覆盖。即使在焊料层(29)形成于第二保护膜(26)上之前裂纹产生于第二保护膜(26)中,也限制裂纹行进入第一保护膜(25)。
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公开(公告)号:CN108604579B
公开(公告)日:2022-03-18
申请号:CN201780009036.8
申请日:2017-03-13
Applicant: 株式会社电装
Abstract: 一种电子装置及其制造方法。电子装置中,信号端子(25)的内引线(250)具有使用金属材料形成的基材(252)、和在基材的表面中的内引线的接合面(250a)侧的表面上形成的被膜(253)。被膜具有形成在基材的表面上、在一部分上连接着接合线的金属薄膜(254),和由与金属薄膜的主成分的金属相同的金属的氧化物构成、在金属薄膜上、除了接合线的连接区域(250b)以外的部分的至少一部分上形成的氧化膜(255)。氧化膜包括对金属薄膜照射脉冲振荡的激光而形成、表面连续而呈现凹凸的凹凸氧化膜(256)。凹凸氧化膜被形成在接合面中的前端区域(250e)的至少一部分上。
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公开(公告)号:CN111133573A
公开(公告)日:2020-05-08
申请号:CN201880062126.8
申请日:2018-08-01
Applicant: 株式会社电装
Abstract: 半导体模块(10)具备:密封构成上下臂的多个半导体元件(11H、11L)的密封树脂体(13);具有正极侧端子(22p)以及负极侧端子(22n)的电源端子(22);以及输出端子(23)。电源端子以及输出端子从密封树脂体的相同的侧面(13c)突出。正极侧端子、负极侧端子以及输出端子各自的突出部分以输出端子配置于一方的端部的方式排列配置。而且,配置于与输出端子相反的端部的电源端子的突出长度比配置于正中的电源端子的突出长度短。由此,即使不以避开端部的电源端子的方式配置与配置于正中的电源端子相连的汇流条,也能够使其在排列方向上延伸设置。
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公开(公告)号:CN106158839A
公开(公告)日:2016-11-23
申请号:CN201610305651.0
申请日:2016-05-10
Applicant: 株式会社电装
Inventor: 福冈大辅
IPC: H01L25/07 , H01L23/495
Abstract: 半导体器件包括半导体芯片(11)、金属构件(13)和端子(14)。所述半导体芯片(11)具有电极(12)。所述金属构件(13)电连接至电极(12)。所述端子从要连接至外部连接构件的所述金属构件(13)延伸。所述端子在从所述端子的连接至所述金属构件的第一端开始的预定区域中具有宽度增加的部分(141a、143a)。
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