半导体装置
    1.
    发明授权

    公开(公告)号:CN110383464B

    公开(公告)日:2023-06-30

    申请号:CN201880015263.6

    申请日:2018-02-05

    Abstract: 半导体装置,具备:具有电极(121)的半导体芯片(12);包含金属基材(186)、在与电极对置的对置面具有半导体芯片的安装部(182)和将安装部包围的周围部(183)的导电部件(18);介于电极与安装部之间、将电极和导电部件连接的焊料(16);以及将半导体芯片、导电部件的至少对置面以及焊料一体地密封的密封树脂体(14)。导电部件,作为周围部,以将安装部包围的方式设置,具有与密封树脂体密接的密接部(184)和设置在安装部与密接部之间并且不连接焊料、与密接部相比对密封树脂体的密接性较低的非密接部(185)。

    半导体装置及电力变换装置
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN115516624A

    公开(公告)日:2022-12-23

    申请号:CN202180031629.0

    申请日:2021-03-12

    Abstract: 形成在半导体元件的两面上的主电极与对应的热沉连接。发射极电极经由接线柱(60)而与热沉(50)连接。在接线柱(60)中,热沉侧的端面(60b)呈具有平行于X方向的两个边(61a、61b)和平行于Y方向的两个边(61c、61d)的矩形。热沉(50)经由焊料(91)而与接线柱(60)的端面(60b)连接。热沉(50)在与接线柱(60)对置的对置面(50a)上具有与接线柱(60)连接的连接区域(51)和将连接区域(51)包围而收容剩余的焊料(91)的槽(52)。槽(52)设置为,在平面视图下与端面(60b)的4边中的仅一个或仅两个重叠。

    半导体装置
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN110383464A

    公开(公告)日:2019-10-25

    申请号:CN201880015263.6

    申请日:2018-02-05

    Abstract: 半导体装置,具备:具有电极(121)的半导体芯片(12);包含金属基材(186)、在与电极对置的对置面具有半导体芯片的安装部(182)和将安装部包围的周围部(183)的导电部件(18);介于电极与安装部之间、将电极和导电部件连接的焊料(16);以及将半导体芯片、导电部件的至少对置面以及焊料一体地密封的密封树脂体(14)。导电部件,作为周围部,以将安装部包围的方式设置,具有与密封树脂体密接的密接部(184)和设置在安装部与密接部之间并且不连接焊料、与密接部相比对密封树脂体的密接性较低的非密接部(185)。

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