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公开(公告)号：CN109075147B
公开(公告)日：2021-09-17
申请号：CN201780022959.7
申请日：2017-03-24
Applicant: 株式会社电装
Abstract: 在具备电子部件(12)、密封树脂体(11)、至少一部分配置于密封树脂体的内部的第1部件(19)、以及在密封树脂体的内部经由软钎料(21、22)与第1部件连接的第2部件(16、25)的电子装置中，第1部件具有使用金属材料形成的基材(191c)、以及在基材的表面中的至少第1部件的与对置面(191a)相反的背面(191b)侧的表面上设置的覆膜(191d)，该对置面(191a)与第2部件对置。覆膜具有在基材的表面设置的金属薄膜(191e)、以及设置于金属薄膜上并由与金属薄膜的主成分的金属相同的金属的氧化物形成的凹凸氧化膜(191f)。凹凸氧化膜在第1部件的背面被设置成在第1部件、软钎料、以及第2部件的层叠方向上的投影视下，至少与第1部件的对置面上的与软钎料连接的连接区域(194)的全域重叠。
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公开(公告)号：CN109075147A
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201780022959.7
申请日：2017-03-24
Applicant: 株式会社电装
Abstract: 在具备电子部件(12)、密封树脂体(11)、至少一部分配置于密封树脂体的内部的第1部件(19)、以及在密封树脂体的内部经由软钎料(21、22)与第1部件连接的第2部件(16、25)的电子装置中，第1部件具有使用金属材料形成的基材(191c)、以及在基材的表面中的至少第1部件的与对置面(191a)相反的背面(191b)侧的表面上设置的覆膜(191d)，该对置面(191a)与第2部件对置。覆膜具有在基材的表面设置的金属薄膜(191e)、以及设置于金属薄膜上并由与金属薄膜的主成分的金属相同的金属的氧化物形成的凹凸氧化膜(191f)。凹凸氧化膜在第1部件的背面被设置成在第1部件、软钎料、以及第2部件的层叠方向上的投影视下，至少与第1部件的对置面上的与软钎料连接的连接区域(194)的全域重叠。
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公开(公告)号：CN110383464B
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN201880015263.6
申请日：2018-02-05
Applicant: 株式会社电装
Abstract: 半导体装置，具备：具有电极(121)的半导体芯片(12)；包含金属基材(186)、在与电极对置的对置面具有半导体芯片的安装部(182)和将安装部包围的周围部(183)的导电部件(18)；介于电极与安装部之间、将电极和导电部件连接的焊料(16)；以及将半导体芯片、导电部件的至少对置面以及焊料一体地密封的密封树脂体(14)。导电部件，作为周围部，以将安装部包围的方式设置，具有与密封树脂体密接的密接部(184)和设置在安装部与密接部之间并且不连接焊料、与密接部相比对密封树脂体的密接性较低的非密接部(185)。
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公开(公告)号：CN108604579B
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN201780009036.8
申请日：2017-03-13
Applicant: 株式会社电装
Abstract: 一种电子装置及其制造方法。电子装置中，信号端子(25)的内引线(250)具有使用金属材料形成的基材(252)、和在基材的表面中的内引线的接合面(250a)侧的表面上形成的被膜(253)。被膜具有形成在基材的表面上、在一部分上连接着接合线的金属薄膜(254)，和由与金属薄膜的主成分的金属相同的金属的氧化物构成、在金属薄膜上、除了接合线的连接区域(250b)以外的部分的至少一部分上形成的氧化膜(255)。氧化膜包括对金属薄膜照射脉冲振荡的激光而形成、表面连续而呈现凹凸的凹凸氧化膜(256)。凹凸氧化膜被形成在接合面中的前端区域(250e)的至少一部分上。
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公开(公告)号：CN105722633B
公开(公告)日：2017-08-15
申请号：CN201480060594.3
申请日：2014-11-10
Applicant: 株式会社电装
IPC: B23K26/00 , B23K26/359 , H01L21/50 , H01L21/52
CPC classification number: B23K26/359 , B23K26/00 , B23K26/0006 , B23K26/0626 , B23K26/354 , B23K26/355 , B23K26/3584 , B23K2101/40 , B23K2103/08 , H01L21/4821 , H01L23/3107 , H01L23/3142 , H01L23/49513 , H01L23/49541 , H01L23/49548 , H01L23/49582 , H01L24/32 , H01L2224/291 , H01L2224/29139 , H01L2224/29144 , H01L2224/29155 , H01L2224/29164 , H01L2224/2919 , H01L2224/32245 , H01L2224/83385 , H01L2224/83439 , H01L2224/83444 , H01L2224/83455 , H01L2224/83464 , H01L2924/40102 , H01L2924/014 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明的目的在于通过较以往为低能量密度的能量束来形成能够确保金属构件与其他构件的密合性的粗糙面或者可以抑制金属构件中的软钎料的扩散的粗糙面。本发明的基材(21)的表面上设有金属薄膜(22)的金属构件(2)的表面加工方法具有通过对所述金属薄膜的表面(22a)以脉冲宽度为1μ秒以下照射能量密度为100J/cm2以下的脉冲振荡的激光束、从而使所述金属薄膜的表面部分熔融或蒸发、在所述熔融或蒸发之后使所述金属薄膜的表面部分凝固、从而将所述金属薄膜的表面进行粗糙化，所述金属薄膜由以Ni、Au、Pd、Ag中的至少1种为主成分的材料所构成。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110383464A
公开(公告)日：2019-10-25
申请号：CN201880015263.6
申请日：2018-02-05
Applicant: 株式会社电装
Abstract: 半导体装置，具备：具有电极(121)的半导体芯片(12)；包含金属基材(186)、在与电极对置的对置面具有半导体芯片的安装部(182)和将安装部包围的周围部(183)的导电部件(18)；介于电极与安装部之间、将电极和导电部件连接的焊料(16)；以及将半导体芯片、导电部件的至少对置面以及焊料一体地密封的密封树脂体(14)。导电部件，作为周围部，以将安装部包围的方式设置，具有与密封树脂体密接的密接部(184)和设置在安装部与密接部之间并且不连接焊料、与密接部相比对密封树脂体的密接性较低的非密接部(185)。
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公开(公告)号：CN107004662B
公开(公告)日：2019-08-13
申请号：CN201580066323.3
申请日：2015-12-04
Applicant: 株式会社电装
Abstract: 半导体装置具备：半导体芯片(11、11H、11L)，在一面(11a)具有电极(12)；上述半导体芯片的一面侧的第1导电部件(23、23H、23L)；金属部件(18、18H、18L)，具有基材(19a)和被膜(19b)，并夹设于上述半导体芯片与上述第1导电部件之间；上述半导体芯片的电极与上述金属部件之间的第1焊料(17)；以及上述金属部件与上述第1导电部件之间的第2焊料(22)。上述被膜具有上述基材的表面上的金属薄膜(20)和凹凸氧化膜(21、31、32)。上述凹凸氧化膜在上述金属部件的表面中的、将上述第1焊料所连接的第1连接区域(18d)与上述第2焊料所连接的第2连接区域(18e)相连的连接区域(18f)的至少一部分，配置在上述金属薄膜上。
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公开(公告)号：CN108604579A
公开(公告)日：2018-09-28
申请号：CN201780009036.8
申请日：2017-03-13
Applicant: 株式会社电装
Abstract: 一种电子装置及其制造方法。电子装置中，信号端子(25)的内引线(250)具有使用金属材料形成的基材(252)、和在基材的表面中的内引线的接合面(250a)侧的表面上形成的被膜(253)。被膜具有形成在基材的表面上、在一部分上连接着接合线的金属薄膜(254)，和由与金属薄膜的主成分的金属相同的金属的氧化物构成、在金属薄膜上、除了接合线的连接区域(250b)以外的部分的至少一部分上形成的氧化膜(255)。氧化膜包括对金属薄膜照射脉冲振荡的激光而形成、表面连续而呈现凹凸的凹凸氧化膜(256)。凹凸氧化膜被形成在接合面中的前端区域(250e)的至少一部分上。
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公开(公告)号：CN107004662A
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：CN201580066323.3
申请日：2015-12-04
Applicant: 株式会社电装
Abstract: 半导体装置具备：半导体芯片(11、11H、11L)，在一面(11a)具有电极(12)；上述半导体芯片的一面侧的第1导电部件(23、23H、23L)；金属部件(18、18H、18L)，具有基材(19a)和被膜(19b)，并夹设于上述半导体芯片与上述第1导电部件之间；上述半导体芯片的电极与上述金属部件之间的第1焊料(17)；以及上述金属部件与上述第1导电部件之间的第2焊料(22)。上述被膜具有上述基材的表面上的金属薄膜(20)和凹凸氧化膜(21、31、32)。上述凹凸氧化膜在上述金属部件的表面中的、将上述第1焊料所连接的第1连接区域(18d)与上述第2焊料所连接的第2连接区域(18e)相连的连接区域(18f)的至少一部分，配置在上述金属薄膜上。
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公开(公告)号：CN105722633A
公开(公告)日：2016-06-29
申请号：CN201480060594.3
申请日：2014-11-10
Applicant: 株式会社电装
IPC: B23K26/00 , B23K26/359 , H01L21/50 , H01L21/52
CPC classification number: B23K26/359 , B23K26/00 , B23K26/0006 , B23K26/0626 , B23K26/354 , B23K26/355 , B23K26/3584 , B23K2101/40 , B23K2103/08 , H01L21/4821 , H01L23/3107 , H01L23/3142 , H01L23/49513 , H01L23/49541 , H01L23/49548 , H01L23/49582 , H01L24/32 , H01L2224/291 , H01L2224/29139 , H01L2224/29144 , H01L2224/29155 , H01L2224/29164 , H01L2224/2919 , H01L2224/32245 , H01L2224/83385 , H01L2224/83439 , H01L2224/83444 , H01L2224/83455 , H01L2224/83464 , H01L2924/40102 , H01L2924/014 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明的目的在于通过较以往为低能量密度的能量束来形成能够确保金属构件与其他构件的密合性的粗糙面或者可以抑制金属构件中的软钎料的扩散的粗糙面。本发明的基材(21)的表面上设有金属薄膜(22)的金属构件(2)的表面加工方法具有通过对所述金属薄膜的表面(22a)以脉冲宽度为1μ秒以下照射能量密度为100J/cm2以下的脉冲振荡的激光束、从而使所述金属薄膜的表面部分熔融或蒸发、在所述熔融或蒸发之后使所述金属薄膜的表面部分凝固、从而将所述金属薄膜的表面进行粗糙化，所述金属薄膜由以Ni、Au、Pd、Ag中的至少1种为主成分的材料所构成。
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