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公开(公告)号:CN110520979B
公开(公告)日:2023-11-10
申请号:CN201880024454.9
申请日:2018-03-08
Applicant: 株式会社电装
Abstract: 在具有一面(20a)及与一面(20a)相连的侧面(20c,20d,20f)、并且一面(20a)及侧面(20c,20d,20f)成为被模塑树脂(60)密封的密封区域(23)的基材(20)中,在一面(20a)中的构成密封区域(23)的区域构成一面凹凸区域(25),在侧面(20c,20d,20f)中的构成密封区域(23)的区域构成侧面凹凸区域。
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公开(公告)号:CN114503255A
公开(公告)日:2022-05-13
申请号:CN202080069629.5
申请日:2020-09-25
Applicant: 株式会社电装
Abstract: 半导体装置具备在表面形成有发射极电极、在背面形成有集电极电极的半导体元件(30)。集电极电极与配置于半导体元件(30)的背面侧的散热器(40)经由焊料(80)连接。在焊料接合部设有多个线片(90)。所有的线片(90)接合于散热器(40)的安装面(40a),朝向半导体元件(30)突起。焊料(80)具有在俯视时与包含元件中心(30c)的半导体元件(30)的中央部分重叠的中央区域(80a)与将中央区域(80a)包围的外周区域(80b)。在外周区域,至少与半导体元件(30)的四角分别对应地配置有四个以上的线片。线片中的至少一个在俯视时朝向元件中心延伸。
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公开(公告)号:CN110073035B
公开(公告)日:2021-04-30
申请号:CN201780069366.6
申请日:2017-11-02
Applicant: 株式会社电装
IPC: C23F4/02 , B23K26/00 , B23K26/354 , B29C65/00 , B29C65/70
Abstract: 一种金属构件,其具有金属基材(10)和形成于凹凸层上的网眼状的金属多孔层(12),所述金属基材(10)具有一面(10a),由金属材料构成,并且具有从一面被制成由凹凸形状构成的凹凸层(11)的区域。一种金属构件,其将凹凸层的凹凸形状中的在相对于一面的法线方向上突出的部分设定为凸部,构成凹凸层的多个凸部的平均高度低于100μm。一种金属构件,其将相对于下述切线的法线方向设定为凹凸法线方向,所述切线为相对于凹凸层中的与金属多孔层的界面即凹凸表面(11a)的切线,金属多孔层的凹凸法线方向上的厚度低于1μm。
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公开(公告)号:CN112753101B
公开(公告)日:2023-12-08
申请号:CN201980063390.8
申请日:2019-09-02
Applicant: 株式会社电装
Abstract: 半导体装置具备:半导体芯片(12),在SiC基板中形成有元件,在一面及背面分别形成有主电极;配置在一面侧的第1散热片(16)及配置在背面侧的第2散热片(24);接线部(20),介于第2散热片与半导体芯片之间,将背面侧的主电极和第2散热片电中继;以及接合部件(18、22、26),分别配置在一面侧的主电极与第1散热片之间、背面侧的主电极与接线部之间、接线部与第2散热片之间。接线部在板厚方向上层叠有多种金属层(20a、20b、20c、20d),至少与板厚方向正交的方向的线膨胀系数被设为比半导体芯片大且比第2散热片小的范围内;在接线部中,多种金属层在
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公开(公告)号:CN110073035A
公开(公告)日:2019-07-30
申请号:CN201780069366.6
申请日:2017-11-02
Applicant: 株式会社电装
IPC: C23F4/02 , B23K26/00 , B23K26/354 , B29C65/00 , B29C65/70
Abstract: 一种金属构件,其具有金属基材(10)和形成于凹凸层上的网眼状的金属多孔层(12),所述金属基材(10)具有一面(10a),由金属材料构成,并且具有从一面被制成由凹凸形状构成的凹凸层(11)的区域。一种金属构件,其将凹凸层的凹凸形状中的在相对于一面的法线方向上突出的部分设定为凸部,构成凹凸层的多个凸部的平均高度低于100μm。一种金属构件,其将相对于下述切线的法线方向设定为凹凸法线方向,所述切线为相对于凹凸层中的与金属多孔层的界面即凹凸表面(11a)的切线,金属多孔层的凹凸法线方向上的厚度低于1μm。
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公开(公告)号:CN112753101A
公开(公告)日:2021-05-04
申请号:CN201980063390.8
申请日:2019-09-02
Applicant: 株式会社电装
Abstract: 半导体装置具备:半导体芯片(12),在SiC基板中形成有元件,在一面及背面分别形成有主电极;配置在一面侧的第1散热片(16)及配置在背面侧的第2散热片(24);接线部(20),介于第2散热片与半导体芯片之间,将背面侧的主电极和第2散热片电中继;以及接合部件(18、22、26),分别配置在一面侧的主电极与第1散热片之间、背面侧的主电极与接线部之间、接线部与第2散热片之间。接线部在板厚方向上层叠有多种金属层(20a、20b、20c、20d),至少与板厚方向正交的方向的线膨胀系数被设为比半导体芯片大且比第2散热片小的范围内;在接线部中,多种金属层在板厚方向上对称配置。
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公开(公告)号:CN110520979A
公开(公告)日:2019-11-29
申请号:CN201880024454.9
申请日:2018-03-08
Applicant: 株式会社电装
Abstract: 在具有一面(20a)及与一面(20a)相连的侧面(20c,20d,20f)、并且一面(20a)及侧面(20c,20d,20f)成为被模塑树脂(60)密封的密封区域(23)的基材(20)中,在一面(20a)中的构成密封区域(23)的区域构成一面凹凸区域(25),在侧面(20c,20d,20f)中的构成密封区域(23)的区域构成侧面凹凸区域。
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