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公开(公告)号：CN112753101B
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN201980063390.8
申请日：2019-09-02
Applicant: 株式会社电装
Abstract: 半导体装置具备：半导体芯片(12)，在SiC基板中形成有元件，在一面及背面分别形成有主电极；配置在一面侧的第1散热片(16)及配置在背面侧的第2散热片(24)；接线部(20)，介于第2散热片与半导体芯片之间，将背面侧的主电极和第2散热片电中继；以及接合部件(18、22、26)，分别配置在一面侧的主电极与第1散热片之间、背面侧的主电极与接线部之间、接线部与第2散热片之间。接线部在板厚方向上层叠有多种金属层(20a、20b、20c、20d)，至少与板厚方向正交的方向的线膨胀系数被设为比半导体芯片大且比第2散热片小的范围内；在接线部中，多种金属层在
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公开(公告)号：CN116134164A
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN202180060389.7
申请日：2021-06-14
Applicant: 株式会社电装
IPC: C22C13/02
Abstract: 半导体装置具备：半导体芯片(30)，在SiC衬底中形成有元件；热沉(40、50)及接线端(60)，是以夹着半导体芯片(30)的方式配置的散热部件；以及焊料(90、91、92)，介于半导体芯片与散热部件之间而形成接合部。焊料(90、91)是以下的合金组分的无铅焊料：以3.2～3.8质量％包含Ag，以0.6～0.8质量％包含Cu，以0.01～0.2质量％包含Ni；并且，如果设Sb的含量为x质量％，设Bi的含量为y质量％，则以满足x+2y≤11质量％、x+14y≤42质量％及x≥5.1质量％的方式包含Sb和Bi；进而，以0.001～0.3质量％包含Co，以0.001～0.2质量％包含P；其余部分由Sn构成。
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公开(公告)号：CN117083877A
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN202280025434.X
申请日：2022-03-17
Applicant: 株式会社电装
IPC: H04R1/34
Abstract: 功率模块具备元件(3)以及具有层叠部的绝缘电路基板(2)。层叠部包含第一金属层(21)、夹设于元件(3)与第一金属层(21)之间的接合层、第二金属层(23)、以及夹设于第一金属层(21)与第二金属层(23)之间的树脂层(22)。绝缘电路基板(2)具备以夹持元件(3)的方式设置的一对层叠部。层叠部构成为从第二金属层(23)之外向元件(3)发出的超声波脉冲成为以下那样的检测时间的关系。超声波脉冲在第二金属层(23)中往返两次的时间，比超声波脉冲在从第二金属层(23)至元件(3)的范围往返一次的时间长。
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公开(公告)号：CN112753101A
公开(公告)日：2021-05-04
申请号：CN201980063390.8
申请日：2019-09-02
Applicant: 株式会社电装
Abstract: 半导体装置具备：半导体芯片(12)，在SiC基板中形成有元件，在一面及背面分别形成有主电极；配置在一面侧的第1散热片(16)及配置在背面侧的第2散热片(24)；接线部(20)，介于第2散热片与半导体芯片之间，将背面侧的主电极和第2散热片电中继；以及接合部件(18、22、26)，分别配置在一面侧的主电极与第1散热片之间、背面侧的主电极与接线部之间、接线部与第2散热片之间。接线部在板厚方向上层叠有多种金属层(20a、20b、20c、20d)，至少与板厚方向正交的方向的线膨胀系数被设为比半导体芯片大且比第2散热片小的范围内；在接线部中，多种金属层在板厚方向上对称配置。
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