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公开(公告)号：CN103733321B
公开(公告)日：2016-11-30
申请号：CN201280037004.6
申请日：2012-07-27
Applicant: 日产自动车株式会社 , 住友金属矿山株式会社 , 三垦电气株式会社 , 富士电机株式会社
Abstract: 包括下述工序：分别准备半导体元件（1）、至少表面的主要元素为Cu的基板（2）、形状比所述半导体元件小的ZnAl共晶焊料片（3’）；以各自的接合面彼此相对的方式配置所述半导体元件和所述基板，在该基板和半导体元件之间夹设所述ZnAl共晶焊料片；一边对夹设在所述基板和所述半导体元件之间的所述ZnAl共晶焊料片施加载荷（31），一边进行升温，使所述ZnAl共晶焊料片融解而形成ZnAl焊料层；以及一边对所述ZnAl焊料层施加载荷一边进行降温。
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公开(公告)号：CN103620962A
公开(公告)日：2014-03-05
申请号：CN201280022689.7
申请日：2012-05-11
IPC: H03K17/16 , H01L29/12 , H01L29/78 , H02M1/08 , H03K17/687 , H03K17/695
CPC classification number: H01L27/0629 , H01L27/0682 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/49111 , H01L2924/19105 , H02M1/08 , H03K17/04123 , H03K17/166 , H01L2924/00014
Abstract: 开关电路包括：第1开关元件(Q1)；在该开关元件的控制电极(G)和对该开关元件进行开关控制的控制电路(13)之间插入的电阻(11)；以及在第1开关元件(Q1)的控制电极G和第1开关元件(Q1)的低电位侧电极(S)之间所连接的第1电容器(15)和第2开关元件(14)。第2开关元件(14)的高电位侧电极连接到第1开关元件(Q1)的控制电极G，第2开关元件(14)的低电位侧电极连接到第1电容器(15)的一个电极，第1电容器(15)的另一个电极连接到第1开关元件(Q1)的低电位侧电极(S)，第2开关元件(14)的控制电极连接到电阻(11)的与控制电路(13)连接一侧的电极。
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公开(公告)号：CN103733321A
公开(公告)日：2014-04-16
申请号：CN201280037004.6
申请日：2012-07-27
Applicant: 日产自动车株式会社 , 住友金属矿山株式会社 , 三垦电气株式会社 , 富士电机株式会社
CPC classification number: H01L29/1602 , B23K1/0016 , B23K1/008 , B23K1/19 , B23K1/206 , B23K35/007 , B23K35/025 , B23K35/282 , B23K35/286 , B23K2101/34 , B23K2101/40 , B23K2101/42 , C22C18/04 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/83 , H01L29/1608 , H01L29/2003 , H01L2224/29118 , H01L2224/32225 , H01L2224/83001 , H01L2224/83203 , H01L2224/83447 , H01L2224/83815 , H01L2924/01322 , H01L2924/10254 , H01L2924/10272 , H01L2924/1033 , H01L2924/15747 , H01L2924/15787 , H01L2924/01013 , H01L2924/0103 , H01L2924/00
Abstract: 本发明包括下述工序：分别准备半导体元件（1）、至少表面的主要元素为Cu的基板（2）、形状比所述半导体元件小的ZnAl共晶焊料片（3’）；以各自的接合面彼此相对的方式配置所述半导体元件和所述基板，在该基板和半导体元件之间夹设所述ZnAl共晶焊料片；一边对夹设在所述基板和所述半导体元件之间的所述ZnAl共晶焊料片施加载荷（31），一边进行升温，使所述ZnAl共晶焊料片融解而形成ZnAl焊料层；以及一边对所述ZnAl焊料层施加载荷一边进行降温。
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公开(公告)号：CN103620962B
公开(公告)日：2016-06-22
申请号：CN201280022689.7
申请日：2012-05-11
IPC: H03K17/16 , H01L29/12 , H01L29/78 , H02M1/08 , H03K17/687 , H03K17/695
CPC classification number: H01L27/0629 , H01L27/0682 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/49111 , H01L2924/19105 , H02M1/08 , H03K17/04123 , H03K17/166 , H01L2924/00014
Abstract: 开关电路包括：第1开关元件(Q1)；在该开关元件的控制电极(G)和对该开关元件进行开关控制的控制电路(13)之间插入的电阻(11)；以及在第1开关元件(Q1)的控制电极G和第1开关元件(Q1)的低电位侧电极(S)之间所连接的第1电容器(15)和第2开关元件(14)。第2开关元件(14)的高电位侧电极连接到第1开关元件(Q1)的控制电极G，第2开关元件(14)的低电位侧电极连接到第1电容器(15)的一个电极，第1电容器(15)的另一个电极连接到第1开关元件(Q1)的低电位侧电极(S)，第2开关元件(14)的控制电极连接到电阻(11)的与控制电路(13)连接一侧的电极。
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公开(公告)号：CN103782380A
公开(公告)日：2014-05-07
申请号：CN201280039872.8
申请日：2012-08-24
Abstract: 一种半导体模块，其具有：一对半导体元件（16，18），它们具有与第1电力系统（BT）电气连接的第1端子（12，14）、和与第2电力系统（M）电气连接的第2端子（13），彼此串联连接；散热器（7）；第1电极（10），其分别与所述第1端子的一个第1端子（12）、和所述一对半导体元件中的一个半导体元件（16）的一个电极电气连接；输出电极（11），其分别与所述第2端子（13）、和所述一对半导体元件中的另一个半导体元件（18）的一个电极电气连接；以及第2电极（9），其与所述第1端子的另一个第1端子（14）电气连接，所述第2电极（9）经由第1绝缘部件（8a）与所述散热器（7）连接，所述输出电极（11）经由第2绝缘部件（8b）与所述第2电极（9）连接。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104798185B
公开(公告)日：2018-04-10
申请号：CN201380059808.0
申请日：2013-11-13
IPC: H01L21/52
CPC classification number: H01L23/49513 , H01L21/4853 , H01L23/3735 , H01L23/4827 , H01L23/488 , H01L23/492 , H01L23/49548 , H01L23/49562 , H01L23/49582 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/75 , H01L24/83 , H01L2224/0345 , H01L2224/04026 , H01L2224/05082 , H01L2224/05155 , H01L2224/05166 , H01L2224/05639 , H01L2224/2732 , H01L2224/291 , H01L2224/29144 , H01L2224/32059 , H01L2224/3207 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/32505 , H01L2224/7501 , H01L2224/75102 , H01L2224/75251 , H01L2224/75756 , H01L2224/83011 , H01L2224/83022 , H01L2224/83048 , H01L2224/83075 , H01L2224/8309 , H01L2224/83101 , H01L2224/8321 , H01L2224/83385 , H01L2224/83439 , H01L2224/83444 , H01L2224/83447 , H01L2224/83455 , H01L2224/83457 , H01L2224/83815 , H01L2924/01322 , H01L2924/12042 , H01L2924/15747 , H01L2924/15787 , H01L2924/35121 , H01L2924/3651 , H01L2924/01032 , H01L2924/01014 , H01L2924/0105 , H01L2924/014 , H01L2924/00014 , H01L2924/01027 , H01L2924/01015 , H01L2924/00012 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的半导体装置在半导体元件(1)和以Cu为主要原料的Cu基板(2)之间夹持有Au系钎料层(3)，且在Cu基板(2)和Au系钎料层(3)之间配设有具有以在俯视时成为规定形状的方式构图的微细槽(24)的致密金属膜(23)，分别在Cu基板(2)、Au系钎料层(3)及致密金属膜(23)的微细槽(24)埋设有以Cu和Au为主要元素的微小哑铃截面构造体(4)。
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公开(公告)号：CN104254909B
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：CN201380021910.1
申请日：2013-04-24
CPC classification number: H01L24/83 , B23K37/0426 , H01L24/05 , H01L24/29 , H01L24/75 , H01L24/97 , H01L2224/04026 , H01L2224/05082 , H01L2224/05155 , H01L2224/05166 , H01L2224/05639 , H01L2224/2732 , H01L2224/291 , H01L2224/29118 , H01L2224/29144 , H01L2224/75101 , H01L2224/75305 , H01L2224/7531 , H01L2224/75314 , H01L2224/75315 , H01L2224/75317 , H01L2224/7532 , H01L2224/75756 , H01L2224/7598 , H01L2224/75981 , H01L2224/83022 , H01L2224/83048 , H01L2224/83075 , H01L2224/83101 , H01L2224/832 , H01L2224/83211 , H01L2224/83444 , H01L2224/83447 , H01L2224/83801 , H01L2224/83815 , H01L2224/97 , H01L2924/01322 , H01L2924/014 , H01L2924/10253 , H01L2924/10254 , H01L2924/10272 , H01L2924/1033 , H01L2924/1037 , H01L2924/1067 , H01L2924/12032 , H01L2924/12036 , H01L2924/13062 , H01L2924/13091 , H01L2924/15724 , H01L2924/15747 , H01L2924/15787 , H01L2924/3656 , H05K3/34 , H05K3/3431 , H05K13/0465 , H05K2203/0195 , H05K2203/0278 , H01L2924/00 , H01L2924/0542 , H01L2924/0103 , H01L2924/00014 , H01L2924/01042 , H01L2924/01032 , H01L2924/01014 , H01L2924/01013 , H01L2224/05655 , H01L2224/83 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明的隔热负荷夹具(11)在电路基板(13)的耐热温度～100℃以下的范围内具有熔点或固相线温度的焊料材料(14)，在该状态的半导体芯片(13)的上部设置热绝缘体(17)，在热绝缘体(17)的上部配置金属锤(16)，在使焊料材料(14)熔解而固化的期间，对半导体芯片(13)施加负荷。(12)和半导体芯片(13)之间夹着在半导体芯片
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公开(公告)号：CN104798185A
公开(公告)日：2015-07-22
申请号：CN201380059808.0
申请日：2013-11-13
IPC: H01L21/52
CPC classification number: H01L23/49513 , H01L21/4853 , H01L23/3735 , H01L23/4827 , H01L23/488 , H01L23/492 , H01L23/49548 , H01L23/49562 , H01L23/49582 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/75 , H01L24/83 , H01L2224/0345 , H01L2224/04026 , H01L2224/05082 , H01L2224/05155 , H01L2224/05166 , H01L2224/05639 , H01L2224/2732 , H01L2224/291 , H01L2224/29144 , H01L2224/32059 , H01L2224/3207 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/32505 , H01L2224/7501 , H01L2224/75102 , H01L2224/75251 , H01L2224/75756 , H01L2224/83011 , H01L2224/83022 , H01L2224/83048 , H01L2224/83075 , H01L2224/8309 , H01L2224/83101 , H01L2224/8321 , H01L2224/83385 , H01L2224/83439 , H01L2224/83444 , H01L2224/83447 , H01L2224/83455 , H01L2224/83457 , H01L2224/83815 , H01L2924/01322 , H01L2924/12042 , H01L2924/15747 , H01L2924/15787 , H01L2924/35121 , H01L2924/3651 , H01L2924/01032 , H01L2924/01014 , H01L2924/0105 , H01L2924/014 , H01L2924/00014 , H01L2924/01027 , H01L2924/01015 , H01L2924/00012 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的半导体装置在半导体元件(1)和以Cu为主要原料的Cu基板(2)之间夹持有Au系钎料层(3)，且在Cu基板(2)和Au系钎料层(3)之间配设有具有以在俯视时成为规定形状的方式构图的微细槽(24)的致密金属膜(23)，分别在Cu基板(2)、Au系钎料层(3)及致密金属膜(23)的微细槽(24)埋设有以Cu和Au为主要元素的微小亚铃截面构造体(4)。
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公开(公告)号：CN104254909A
公开(公告)日：2014-12-31
申请号：CN201380021910.1
申请日：2013-04-24
CPC classification number: H01L24/83 , B23K37/0426 , H01L24/05 , H01L24/29 , H01L24/75 , H01L24/97 , H01L2224/04026 , H01L2224/05082 , H01L2224/05155 , H01L2224/05166 , H01L2224/05639 , H01L2224/2732 , H01L2224/291 , H01L2224/29118 , H01L2224/29144 , H01L2224/75101 , H01L2224/75305 , H01L2224/7531 , H01L2224/75314 , H01L2224/75315 , H01L2224/75317 , H01L2224/7532 , H01L2224/75756 , H01L2224/7598 , H01L2224/75981 , H01L2224/83022 , H01L2224/83048 , H01L2224/83075 , H01L2224/83101 , H01L2224/832 , H01L2224/83211 , H01L2224/83444 , H01L2224/83447 , H01L2224/83801 , H01L2224/83815 , H01L2224/97 , H01L2924/01322 , H01L2924/014 , H01L2924/10253 , H01L2924/10254 , H01L2924/10272 , H01L2924/1033 , H01L2924/1037 , H01L2924/1067 , H01L2924/12032 , H01L2924/12036 , H01L2924/13062 , H01L2924/13091 , H01L2924/15724 , H01L2924/15747 , H01L2924/15787 , H01L2924/3656 , H05K3/34 , H05K3/3431 , H05K13/0465 , H05K2203/0195 , H05K2203/0278 , H01L2924/00 , H01L2924/0542 , H01L2924/0103 , H01L2924/00014 , H01L2924/01042 , H01L2924/01032 , H01L2924/01014 , H01L2924/01013 , H01L2224/05655 , H01L2224/83 , H01L2924/00012 , H01L24/95
Abstract: 本发明的隔热负荷夹具(11)在电路基板(12)和半导体芯片(13)之间夹着在半导体芯片(13)的耐热温度～100℃以下的范围内具有熔点或固相线温度的焊料材料(14)，在该状态的半导体芯片(13)的上部设置热绝缘体(17)，在热绝缘体(17)的上部配置金属锤(16)，在使焊料材料(14)熔解而固化的期间，对半导体芯片(13)施加负荷。
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公开(公告)号：CN104867969A
公开(公告)日：2015-08-26
申请号：CN201510175983.7
申请日：2009-02-27
Applicant: 日产自动车株式会社
IPC: H01L29/45 , H01L29/47 , H01L29/861 , H01L29/872 , H01L29/16 , H01L29/20 , H01L29/22
CPC classification number: H01L29/861 , H01L29/1602 , H01L29/1608 , H01L29/20 , H01L29/2003 , H01L29/22 , H01L29/45 , H01L29/452 , H01L29/456 , H01L29/47 , H01L29/475 , H01L29/872
Abstract: 在接合元件中，通过在半导体层内形成耗尽层，在正向施加电压时存在于电极层的电子无法移动到半导体层。因此，半导体层的大多数空穴不会与半导体层内的传导电子重新结合而消失，而是扩散到半导体层并到达电极层。由此，能够不受电阻值的影响，对空穴发挥良导体的作用，能够流过与由Si、SiC半导体形成的半导体元件相同或者以上的电流。本发明能够适用于金刚石、氧化锌、氮化铝、氮化硼等施主能级和受主能级中的至少一方位于与对应于动作温度的热激发能相比足够深的位置处的所有半导体材料。另外，即使如硅、碳化硅、氮化镓、砷化镓、锗等那样在室温下具有较浅的杂质能级的材料，在热激发能变得足够低的低温条件下使其进行动作时也能够应用本发明。
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