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公开(公告)号：CN110010759B
公开(公告)日：2023-04-25
申请号：CN201811393096.7
申请日：2018-11-21
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明的实施例提供了由半导体器件形成的磁性隧道结单元的MRAM器件及其形成方法。在制造半导体器件的方法中，形成磁性随机存取存储器(MRAM)单元结构。MRAM单元结构包括底部电极、磁性隧道结(MTJ)堆叠件和顶部电极。在MRAM单元结构上方形成第一绝缘覆盖层。在第一绝缘覆盖层上方形成第二绝缘覆盖层。形成层间介电(ILD)层。在ILD层中形成接触开口，由此暴露第二绝缘覆盖层。去除第二绝缘覆盖层的部分和第一绝缘覆盖层的部分，由此暴露顶部电极。在与顶部电极接触的开口中形成导电层。
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公开(公告)号：CN110010759A
公开(公告)日：2019-07-12
申请号：CN201811393096.7
申请日：2018-11-21
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明的实施例提供了由半导体器件形成的磁性隧道结单元的MRAM器件及其形成方法。在制造半导体器件的方法中，形成磁性随机存取存储器(MRAM)单元结构。MRAM单元结构包括底部电极、磁性隧道结(MTJ)堆叠件和顶部电极。在MRAM单元结构上方形成第一绝缘覆盖层。在第一绝缘覆盖层上方形成第二绝缘覆盖层。形成层间介电(ILD)层。在ILD层中形成接触开口，由此暴露第二绝缘覆盖层。去除第二绝缘覆盖层的部分和第一绝缘覆盖层的部分，由此暴露顶部电极。在与顶部电极接触的开口中形成导电层。
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公开(公告)号：CN109786546A
公开(公告)日：2019-05-21
申请号：CN201811307722.6
申请日：2018-11-05
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本揭露描述一种磁隧道接面结构形成方法，利用离子束蚀刻制程而非反应性离子蚀刻制程的方法，用以形成磁隧道接面(magnetic tunnel junction；MTJ)结构。例如，此方法包括在互连层上形成磁隧道接面结构层，互连层包括第一区域及第二区域。此方法进一步包括沉积遮罩层于第一区域中的磁隧道接面结构层上方，及形成遮蔽结构于第二区域中的磁隧道接面结构层上方。此方法亦包括以离子束蚀刻制程蚀刻遮蔽结构之间的磁隧道接面结构层，以在互连层的第二区域中的介层孔上方形成磁隧道接面结构；及利用离子束蚀刻制程移除互连层的第一区域中的遮罩层、顶部电极、磁隧道接面堆叠，及底部电极的一部分。
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公开(公告)号：CN113299821B
公开(公告)日：2025-01-17
申请号：CN202110476411.8
申请日：2021-04-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 磁存储器件包括自旋轨道扭矩(SOT)感应结构，该结构可以被应变和无种子并形成有垂直磁各向异性。磁隧道结(MTJ)堆叠件设置在SOT感应结构上。间隔层可以使SOT感应结构与MTJ堆叠件之间的层解耦或使MTJ堆叠件内的层解耦。SOT感应结构的一端可以耦合至第一晶体管，而SOT感应结构的另一端耦合至第二晶体管。
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公开(公告)号：CN119310792A
公开(公告)日：2025-01-14
申请号：CN202411302090.X
申请日：2024-09-18
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: EUV光刻掩模包括：衬底；图案化吸收层，包括第一材料和第二材料。在一些实施例中，第一材料是第二行过渡金属，并且第二材料是第一行过渡金属或第二行过渡金属。所公开的EUV光刻掩模减小了不期望的掩模3D效应。本申请的实施例还涉及EUV掩模及其形成方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114447214A
公开(公告)日：2022-05-06
申请号：CN202210031492.5
申请日：2022-01-12
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 半导体器件包括一对有源器件、复合自旋霍尔电极和磁隧道结。复合自旋霍尔电极电连接至一对有源器件。磁隧道结设置在相对于该一对有源器件的复合自旋霍尔电极的相对侧上。自旋霍尔电极包括一对重金属层以及设置在该一对重金属层之间的间隔件层。该一对重金属层由亚稳态的重金属构成。间隔件层包括与该一对重金属层不同的第一材料。本发明的实施例还涉及制造半导体器件的方法、存储器器件。
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公开(公告)号：CN112750855A
公开(公告)日：2021-05-04
申请号：CN202011169476.X
申请日：2020-10-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 一种磁性存储器件包括：磁性隧道结(MTJ)堆叠；自旋轨道力矩(SOT)感应配线，设置在MTJ堆叠之上；第一端子，耦合到SOT感应配线的第一端；第二端子，耦合到SOT感应配线的第二端；以及共享选择器层，耦合到第一端子。
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公开(公告)号：CN108385071B
公开(公告)日：2020-08-21
申请号：CN201710063581.7
申请日：2017-02-03
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: C23C14/35 , C23C14/08 , C23C16/455 , H01L43/12
Abstract: 一种气体供应装置，包含一气体供应头、一第一盘体、一第二盘体以及一旋转致动器。第一盘体具有至少一开口。第一盘体的开口与第二盘体在气体供应头上的投影是重叠的。第二盘体包含多个扇形区域。该些扇形区域是沿着该第二盘体的角向方向排列的，该些扇形区域内的气孔分布不同。旋转致动器用以驱动第一盘体、第二盘体或其组合，使得第一盘体与第二盘体在角向方向上相对旋转。
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公开(公告)号：CN114664882A
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：CN202210087798.2
申请日：2022-01-25
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/24
Abstract: 一个存储器装置包括衬底、设置在衬底之上的晶体管、设置在晶体管之上且电性连接至晶体管的内连线结构，以及设置在内连线结构的两个相邻的金属化层之间的存储器堆叠。存储器堆叠包括设置在衬底之上且电性连接到位线的底部电极、设置在底部电极之上的存储器层、设置在存储器层之上的选择器层，以及设置在选择器层之上且电性连接到字线的顶部电极。此外，至少一个防潮层提供为与选择器层相邻并实体接触选择器层，且至少一个防潮层包括非晶材料。
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公开(公告)号：CN113314666A
公开(公告)日：2021-08-27
申请号：CN202110476211.2
申请日：2021-04-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 磁存储器件包括自旋轨道扭矩(SOT)感应自旋霍尔电极和设置在自旋霍尔电极上的磁隧道结(MTJ)堆叠件的自由层，自由层是合成反铁磁结构。自由层具有磁矩，该磁矩相对于MTJ堆叠件的长轴倾斜，并且相对于电流流过自旋霍尔电极的方向倾斜。MTJ堆叠件内部产生磁场以切换自由层的状态。自由层包括通过间隔层与第二层隔开的第一层，其中第一层和第二层可以具有相同或不同的晶体结构。本申请的实施例提供了磁存储器件及其形成方法。
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