公开(公告)号：CN114665008A

公开(公告)日：2022-06-24

申请号：CN202210197132.2

申请日：2022-03-01

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄彦霖 ,  宋明远 ,  李乾铭 ,  林世杰

IPC: H01L43/08 ,  H01L27/22

Abstract: 提供一种存储器装置。存储器装置包括基底、自旋轨道扭矩层和磁性穿隧接面。磁性穿隧接面与自旋轨道扭矩层堆叠于基底之上，且包括合成自由层、阻障层和参考层。合成自由层包括合成反铁磁结构、第一间隔件层和自由层，其中合成反铁磁结构设置在自旋轨道扭矩层和自由层之间。阻障层设置在合成自由层旁。参考层设置在阻障层旁。

公开(公告)号：CN114664879A

公开(公告)日：2022-06-24

申请号：CN202111127724.9

申请日：2021-09-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李乾铭 ,  宋明远 ,  黄彦霖 ,  林世杰 ,  李东颖 ,  鲍新宇

IPC: H01L27/22

Abstract: 提供一种存储器件及其形成方法。存储器件包括：选择器；磁性隧道结(MTJ)结构，设置在选择器上；自旋轨道扭矩(SOT)层，设置在选择器与MTJ结构之间，其中SOT层具有与选择器的侧壁对准的侧壁；晶体管，其中晶体管具有电耦合到MTJ结构的漏极；字线，电耦合到晶体管的栅极；位线，电耦合到SOT层；第一源极线，电耦合到晶体管的源极；以及第二源极线，电耦合到选择器，其中晶体管被配置成控制在位线与第二源极线之间流动的写入信号，且控制在位线与第一源极线之间流动的读取信号。

公开(公告)号：CN113540148A

公开(公告)日：2021-10-22

申请号：CN202110726349.3

申请日：2021-06-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林世杰 ,  李乾铭 ,  野口紘希 ,  宋明远 ,  黄彦霖 ,  葛卫伦

IPC: H01L27/22

Abstract: 本申请的实施例提供了一种半导体器件，包括：衬底，具有第一侧和第二侧；第一晶体管，包括位于第一突起上方的第一栅极以及插入第一突起的第一源极区域和第一漏极区域；第一掩埋接触件，设置为与第一突起相邻并具有延伸到衬底中的至少一部分；第一接触塞，设置在第一漏极区域上方；第一导线，设置在第一接触塞上方并通过第一接触塞电连接至第一漏极区域；第一通孔，穿过衬底并连接第一掩埋接触件；以及第二导线，设置在衬底的第二侧上方并电连接至第一通孔。第一掩埋接触件电连接到第一源极区域或第一栅极。根据本申请的其他实施例，还提供了形成半导体器件的方法。

公开(公告)号：CN113540148B

公开(公告)日：2024-02-09

申请号：CN202110726349.3

申请日：2021-06-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林世杰 ,  李乾铭 ,  野口紘希 ,  宋明远 ,  黄彦霖 ,  葛卫伦

IPC: H10B61/00

Abstract: 本申请的实施例提供了一种半导体器件，包括：衬底，具有第一侧和第二侧；第一晶体管，包括位于第一突起上方的第一栅极以及插入第一突起的第一源极区域和第一漏极区域；第一掩埋接触件，设置为与第一突起相邻并具有延伸到衬底中的至少一部分；第一接触塞，设置在第一漏极区域上方；第一导线，设置在第一接触塞上方并通过第一接触塞电连接至第一漏极区域；第一通孔，穿过衬底并连接第一掩埋接触件；以及第二导线，设置在衬底的第二侧上方并电连接至第一通孔。第一掩埋接触件电连接到第一源极区域或第一栅极。根据本申请的其他实施例，还提供了形成半导体器件的方法。

公开(公告)号：CN114725280A

公开(公告)日：2022-07-08

申请号：CN202210005309.4

申请日：2022-01-04

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄彦霖 ,  宋明远 ,  李乾铭 ,  林世杰 ,  白奇峰 ,  胡宸瑜 ,  黄兆中 ,  陈冠豪 ,  蔡佳晋 ,  邱郁芳 ,  彭成玮

IPC: H01L43/04 ,  H01L43/08 ,  H01L43/14

Abstract: 本揭露提供一种存储器元件及其制造方法。存储器元件包括磁性穿遂结与自旋霍尔电极。磁性穿遂结包括自由层、参考层以及延伸于自由层与参考层之间的阻障层。自旋霍尔电极接触于磁性穿遂结且经配置以将电荷电流转换为用于写入磁性穿遂结的自旋电流。自旋霍尔电极由包括重金属元素与过渡元素金属的合金构成。重金属元素选自于具有填于5d轨域的一或多个价电子的金属元素，且轻过渡金属元素选自于具有部分填满3d轨域的一或多个价电子的过渡金属元素。

公开(公告)号：CN114447214A

公开(公告)日：2022-05-06

申请号：CN202210031492.5

申请日：2022-01-12

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李乾铭 ,  林世杰 ,  黄彦霖 ,  宋明远 ,  李东颖

IPC: H01L43/06 ,  H01L43/08 ,  H01L43/04 ,  H01L43/14 ,  H01L27/22

Abstract: 半导体器件包括一对有源器件、复合自旋霍尔电极和磁隧道结。复合自旋霍尔电极电连接至一对有源器件。磁隧道结设置在相对于该一对有源器件的复合自旋霍尔电极的相对侧上。自旋霍尔电极包括一对重金属层以及设置在该一对重金属层之间的间隔件层。该一对重金属层由亚稳态的重金属构成。间隔件层包括与该一对重金属层不同的第一材料。本发明的实施例还涉及制造半导体器件的方法、存储器器件。