公开(公告)号：CN114725280A

公开(公告)日：2022-07-08

申请号：CN202210005309.4

申请日：2022-01-04

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄彦霖 ,  宋明远 ,  李乾铭 ,  林世杰 ,  白奇峰 ,  胡宸瑜 ,  黄兆中 ,  陈冠豪 ,  蔡佳晋 ,  邱郁芳 ,  彭成玮

IPC: H01L43/04 ,  H01L43/08 ,  H01L43/14

Abstract: 本揭露提供一种存储器元件及其制造方法。存储器元件包括磁性穿遂结与自旋霍尔电极。磁性穿遂结包括自由层、参考层以及延伸于自由层与参考层之间的阻障层。自旋霍尔电极接触于磁性穿遂结且经配置以将电荷电流转换为用于写入磁性穿遂结的自旋电流。自旋霍尔电极由包括重金属元素与过渡元素金属的合金构成。重金属元素选自于具有填于5d轨域的一或多个价电子的金属元素，且轻过渡金属元素选自于具有部分填满3d轨域的一或多个价电子的过渡金属元素。