-
公开(公告)号：CN115050774A
公开(公告)日：2022-09-13
申请号：CN202110844730.X
申请日：2021-07-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/22
Abstract: 提供了一种记忆体装置、半导体装置和制造半导体装置的方法，半导体装置其包括半导体基板和互连件结构。半导体基板包括晶体管，其中晶体管具有源极区域和漏极区域。互连件结构设置在半导体基板上方，其中互连件结构包括多个层间介电质层、第一导孔、和记忆体单元。多个层间介电质层在半导体基板上方。第一导孔嵌入在多个层间介电质层中的至少两个层间介电质层内，并且与晶体管的漏极区域电性连接。记忆体单元设置在多个层间介电质层中的至少两个层间介电质层上方，并且与第一导孔电性连接。
-
公开(公告)号：CN112310275A
公开(公告)日：2021-02-02
申请号：CN202010696355.4
申请日：2020-07-20
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本公开的各种实施例涉及一种存储器装置，所述存储器装置包括上覆在自旋轨道扭矩(SOT)层之上的分流层。磁隧道结(MTJ)结构上覆在半导体衬底之上。磁隧道结结构包括自由层、参考层及设置在自由层与参考层之间的隧道障壁层。底部电极通孔(BEVA)位于磁隧道结结构之下，其中底部电极通孔从磁隧道结结构横向偏移一横向距离。自旋轨道扭矩层垂直设置在底部电极通孔与磁隧道结结构之间，其中自旋轨道扭矩层沿所述横向距离连续延伸。分流层延伸跨过自旋轨道扭矩层的上表面，且延伸跨过所述横向距离的至少一部分。
-
公开(公告)号：CN111129288A
公开(公告)日：2020-05-08
申请号：CN201911036404.5
申请日：2019-10-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 自旋轨道转矩(Spin-Orbit-Torque，SOT)磁性装置，包含底金属层、第一磁性层、间隙壁层及第二磁性层。第一磁性层作为自由磁性层，第一磁性层设置于该底金属层上。间隙壁层设置于第一磁性层上。第二磁性层设置于间隙壁层上。第一磁性层包含下磁性层、中层和上磁性层，且中层是由非磁性层所制成。
-
公开(公告)号：CN112750856B
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202011175899.2
申请日：2020-10-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 一种形成半导体器件的方法，包括：在半导体衬底上方沉积第一介电层；在第一介电层上方沉积第一电极层；蚀刻第一电极层，以形成第一电极，和与第一电极横向地分隔开的第二电极；在第一电极和第二电极上沉积自旋轨道转矩(SOT)材料；在SOT材料上沉积磁隧道结(MTJ)层；在MTJ层上沉积第二电极层；蚀刻SOT材料，以形成从第一电极至第二电极延伸的SOT层；蚀刻MTJ层，以在SOT层上形成MTJ堆叠件；以及蚀刻第二电极层，以在MTJ堆叠件上形成顶部电极。本申请的实施例另一方面提供一种半导体器件。
-
公开(公告)号：CN112445457B
公开(公告)日：2024-03-08
申请号：CN202010895201.8
申请日：2020-08-31
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Inventor： 宋明远
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113299821B
公开(公告)日：2025-01-17
申请号：CN202110476411.8
申请日：2021-04-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 磁存储器件包括自旋轨道扭矩(SOT)感应结构，该结构可以被应变和无种子并形成有垂直磁各向异性。磁隧道结(MTJ)堆叠件设置在SOT感应结构上。间隔层可以使SOT感应结构与MTJ堆叠件之间的层解耦或使MTJ堆叠件内的层解耦。SOT感应结构的一端可以耦合至第一晶体管，而SOT感应结构的另一端耦合至第二晶体管。
-
公开(公告)号：CN111952444B
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN202010412546.3
申请日：2020-05-15
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 一种方法包括沉积多个层，沉积多个层包括沉积自旋轨道耦合层；在自旋轨道耦合层上方沉积介电层；在介电层上方沉积自由层；在自由层上方沉积隧道阻挡层；以及在隧道阻挡层上方沉积参考层。该方法还包括执行第一图案化工艺以图案化多个层；以及执行第二图案化工艺以图案化参考层、隧道阻挡层、自由层和介电层。第二图案化工艺停止在自旋轨道耦合层的顶面上。本发明的实施例还涉及半导体器件及其形成方法。
-
公开(公告)号：CN114447214A
公开(公告)日：2022-05-06
申请号：CN202210031492.5
申请日：2022-01-12
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 半导体器件包括一对有源器件、复合自旋霍尔电极和磁隧道结。复合自旋霍尔电极电连接至一对有源器件。磁隧道结设置在相对于该一对有源器件的复合自旋霍尔电极的相对侧上。自旋霍尔电极包括一对重金属层以及设置在该一对重金属层之间的间隔件层。该一对重金属层由亚稳态的重金属构成。间隔件层包括与该一对重金属层不同的第一材料。本发明的实施例还涉及制造半导体器件的方法、存储器器件。
-
公开(公告)号：CN112750856A
公开(公告)日：2021-05-04
申请号：CN202011175899.2
申请日：2020-10-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 一种形成半导体器件的方法，包括：在半导体衬底上方沉积第一介电层；在第一介电层上方沉积第一电极层；蚀刻第一电极层，以形成第一电极，和与第一电极横向地分隔开的第二电极；在第一电极和第二电极上沉积自旋轨道转矩(SOT)材料；在SOT材料上沉积磁隧道结(MTJ)层；在MTJ层上沉积第二电极层；蚀刻SOT材料，以形成从第一电极至第二电极延伸的SOT层；蚀刻MTJ层，以在SOT层上形成MTJ堆叠件；以及蚀刻第二电极层，以在MTJ堆叠件上形成顶部电极。本申请的实施例另一方面提供一种半导体器件。
-
公开(公告)号：CN112750855A
公开(公告)日：2021-05-04
申请号：CN202011169476.X
申请日：2020-10-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 一种磁性存储器件包括：磁性隧道结(MTJ)堆叠；自旋轨道力矩(SOT)感应配线，设置在MTJ堆叠之上；第一端子，耦合到SOT感应配线的第一端；第二端子，耦合到SOT感应配线的第二端；以及共享选择器层，耦合到第一端子。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
34
records
(took 0.041 seconds)
