公开(公告)号：CN108122733B

公开(公告)日：2022-04-08

申请号：CN201710386591.4

申请日：2017-05-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 叶凌彦 ,  张智胜 ,  蔡惠铭 ,  林佑明

IPC: H01L21/02 ,  H01L29/12 ,  H01L21/335 ,  H01L29/778

Abstract: 一种半导体元件制造方法。包括场效晶体管(field effect transistor,FET)元件的半导体元件，包括基材与由二维材料形成的通道结构。于通道结构上形成界面层。于界面层上方形成栅极堆叠，栅极堆叠包含栅极电极层与栅极介电层。于界面层中的开口的上方形成源极/漏极接点。源极/漏极接点具有与界面层接触的侧面接点以及与通道结构接触的侧面接点与表面接点。

公开(公告)号：CN108122733A

公开(公告)日：2018-06-05

申请号：CN201710386591.4

申请日：2017-05-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 叶凌彦 ,  张智胜 ,  蔡惠铭 ,  林佑明

IPC: H01L21/02 ,  H01L29/12 ,  H01L21/335 ,  H01L29/778

Abstract: 一种半导体元件制造方法。包括场效晶体管(field effect transistor,FET)元件的半导体元件，包括基材与由二维材料形成的通道结构。于通道结构上形成界面层。于界面层上方形成栅极堆叠，栅极堆叠包含栅极电极层与栅极介电层。于界面层中的开口的上方形成源极/漏极接点。源极/漏极接点具有与界面层接触的侧面接点以及与通道结构接触的侧面接点与表面接点。

公开(公告)号：CN109427877B

公开(公告)日：2022-08-09

申请号：CN201810765977.0

申请日：2018-07-12

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡惠铭 ,  叶凌彦

IPC: H01L29/51 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 在制造负电容结构的方法中，在设置在衬底上方的第一导电层上方形成铁电介电层，并且在铁电介电层上方形成第二导电层。铁电介电层包括非晶层和晶体。本发明实施例涉及半导体器件及其制造方法。

公开(公告)号：CN109427877A

公开(公告)日：2019-03-05

申请号：CN201810765977.0

申请日：2018-07-12

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡惠铭 ,  叶凌彦

IPC: H01L29/51 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 在制造负电容结构的方法中，在设置在衬底上方的第一导电层上方形成铁电介电层，并且在铁电介电层上方形成第二导电层。铁电介电层包括非晶层和晶体。本发明实施例涉及半导体器件及其制造方法。

公开(公告)号：CN111952444B

公开(公告)日：2024-08-27

申请号：CN202010412546.3

申请日：2020-05-15

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡惠铭 ,  宋明远 ,  林世杰

IPC: H10N50/20 ,  G11C13/00 ,  H10N50/01 ,  H10B61/00

Abstract: 一种方法包括沉积多个层，沉积多个层包括沉积自旋轨道耦合层；在自旋轨道耦合层上方沉积介电层；在介电层上方沉积自由层；在自由层上方沉积隧道阻挡层；以及在隧道阻挡层上方沉积参考层。该方法还包括执行第一图案化工艺以图案化多个层；以及执行第二图案化工艺以图案化参考层、隧道阻挡层、自由层和介电层。第二图案化工艺停止在自旋轨道耦合层的顶面上。本发明的实施例还涉及半导体器件及其形成方法。

公开(公告)号：CN111952444A

公开(公告)日：2020-11-17

申请号：CN202010412546.3

申请日：2020-05-15

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡惠铭 ,  宋明远 ,  林世杰

IPC: H01L43/12 ,  H01L43/08 ,  G11C13/00

Abstract: 一种方法包括沉积多个层，沉积多个层包括沉积自旋轨道耦合层；在自旋轨道耦合层上方沉积介电层；在介电层上方沉积自由层；在自由层上方沉积隧道阻挡层；以及在隧道阻挡层上方沉积参考层。该方法还包括执行第一图案化工艺以图案化多个层；以及执行第二图案化工艺以图案化参考层、隧道阻挡层、自由层和介电层。第二图案化工艺停止在自旋轨道耦合层的顶面上。本发明的实施例还涉及半导体器件及其形成方法。

公开(公告)号：CN111952442A

公开(公告)日：2020-11-17

申请号：CN202010405617.7

申请日：2020-05-14

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林世杰 ,  蔡惠铭 ,  宋明远

IPC: H01L43/08 ,  H01L27/22

Abstract: 提供一种存储器堆叠、存储器器件及其形成方法。存储器堆叠包括自旋轨道力矩层、磁性偏置层及自由层。磁性偏置层与自旋轨道力矩层进行实体接触且具有第一磁异向性。自由层靠近自旋轨道力矩层设置且具有与第一磁异向性垂直的第二磁异向性。

公开(公告)号：CN110943157A

公开(公告)日：2020-03-31

申请号：CN201910891688.X

申请日：2019-09-20

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡惠铭 ,  林世杰 ,  宋明远

IPC: H01L43/08 ,  H01L43/12

Abstract: 自旋轨道扭矩(SOT)磁性器件包括：底部金属层；第一磁性层，设置在底部金属层上方；间隔件层，设置在第一磁性层上方；以及第二磁性层，设置在间隔件层上方。用于抑制第一磁性层的金属元素扩散到底部金属层中的扩散阻挡层设置在底部金属层和第一磁性层之间。本发明的实施例还涉及自旋轨道扭矩(SOT)磁性器件的制造方法。