公开(公告)号：CN114927613A

公开(公告)日：2022-08-19

申请号：CN202210396003.6

申请日：2022-04-15

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林毓超 ,  陈佑升 ,  卡罗斯·H·迪亚兹 ,  邱大秦

IPC: H01L45/00 ,  H01L27/24

Abstract: 本发明实施例是有关于一种存储单元、具有存储单元的半导体器件及制造存储单元的方法。一种存储单元包括底部电极、存储元件层、第一缓冲层以及顶部电极。存储元件层设置在底部电极之上。第一缓冲层插入在存储元件层与底部电极之间，其中第一缓冲层的热导率小于存储元件层的热导率。顶部电极设置在存储元件层之上，其中存储元件层设置在顶部电极与第一缓冲层之间。

公开(公告)号：CN112750475A

公开(公告)日：2021-05-04

申请号：CN202011143863.6

申请日：2020-10-23

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 卡罗斯·H·迪亚兹 ,  江宏礼 ,  陈自强 ,  王奕

IPC: G11C7/10 ,  G11C5/14

Abstract: 一种用于存储电路的读取方法，其中存储电路包括存储胞元及电耦合到存储胞元的选择器。所述读取方法包括：对选择器施加第一电压，其中第一电压的第一电压电平大于与选择器对应的电压阈值；以及在施加第一电压之后，对选择器施加第二电压，以感测存储在存储胞元中的一个或多个位值，其中第二电压的第二电压电平是恒定的且小于电压阈值，其中施加第一电压的第一持续时间小于施加第二电压的第二持续时间，其中所述第二电压是在第一持续时间结束之后施加。

公开(公告)号：CN115050774A

公开(公告)日：2022-09-13

申请号：CN202110844730.X

申请日：2021-07-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 卡罗斯·H·迪亚兹 ,  林世杰 ,  宋明远

IPC: H01L27/22

Abstract: 提供了一种记忆体装置、半导体装置和制造半导体装置的方法，半导体装置其包括半导体基板和互连件结构。半导体基板包括晶体管，其中晶体管具有源极区域和漏极区域。互连件结构设置在半导体基板上方，其中互连件结构包括多个层间介电质层、第一导孔、和记忆体单元。多个层间介电质层在半导体基板上方。第一导孔嵌入在多个层间介电质层中的至少两个层间介电质层内，并且与晶体管的漏极区域电性连接。记忆体单元设置在多个层间介电质层中的至少两个层间介电质层上方，并且与第一导孔电性连接。

公开(公告)号：CN112133823A

公开(公告)日：2020-12-25

申请号：CN202010337594.0

申请日：2020-04-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林毓超 ,  卡罗斯·H·迪亚兹 ,  余绍铭 ,  李东颖

IPC: H01L45/00 ,  H01L43/08 ,  H01L43/12 ,  H01L27/11507

Abstract: 本发明实施例提供一种存储单元和其形成方法。存储单元包含底部电极、蚀刻停止层、可变电阻层以及顶部电极。蚀刻停止层安置在底部电极上。可变电阻层嵌入在蚀刻停止层中且与底部电极接触。顶部电极安置在可变电阻层上。还提供一种具有存储单元的半导体器件。