公开(公告)号：CN112750855A

公开(公告)日：2021-05-04

申请号：CN202011169476.X

申请日：2020-10-28

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 宋明远 ,  林世杰 ,  李乾铭 ,  葛卫伦

IPC: H01L27/22 ,  H01L43/06 ,  H01L43/08 ,  H01L43/14 ,  G11C11/16

Abstract: 一种磁性存储器件包括：磁性隧道结(MTJ)堆叠；自旋轨道力矩(SOT)感应配线，设置在MTJ堆叠之上；第一端子，耦合到SOT感应配线的第一端；第二端子，耦合到SOT感应配线的第二端；以及共享选择器层，耦合到第一端子。

公开(公告)号：CN112310275A

公开(公告)日：2021-02-02

申请号：CN202010696355.4

申请日：2020-07-20

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 葛卫伦 ,  林世杰 ,  宋明远

IPC: H01L43/08 ,  H01L43/06 ,  H01L43/02 ,  H01L43/04 ,  H01L43/12 ,  H01L43/14

Abstract: 本公开的各种实施例涉及一种存储器装置，所述存储器装置包括上覆在自旋轨道扭矩(SOT)层之上的分流层。磁隧道结(MTJ)结构上覆在半导体衬底之上。磁隧道结结构包括自由层、参考层及设置在自由层与参考层之间的隧道障壁层。底部电极通孔(BEVA)位于磁隧道结结构之下，其中底部电极通孔从磁隧道结结构横向偏移一横向距离。自旋轨道扭矩层垂直设置在底部电极通孔与磁隧道结结构之间，其中自旋轨道扭矩层沿所述横向距离连续延伸。分流层延伸跨过自旋轨道扭矩层的上表面，且延伸跨过所述横向距离的至少一部分。

公开(公告)号：CN113129955B

公开(公告)日：2024-05-28

申请号：CN202011608336.8

申请日：2020-12-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 宋明远 ,  林世杰 ,  葛卫伦 ,  野口紘希

IPC: G11C11/16 ,  H10N50/10 ,  H10N50/01

Abstract: 一种磁存储器器件包括：磁隧道结(MTJ)堆叠件；自旋轨道扭矩(SOT)感应布线，设置在MTJ堆叠件上方；第一端子，耦合至SOT感应布线的第一端；第二端子，耦合至SOT感应布线的第二端；以及选择器层，耦合至第一端子。本发明的实施例还涉及磁存储器及其制造方法。

公开(公告)号：CN113540148A

公开(公告)日：2021-10-22

申请号：CN202110726349.3

申请日：2021-06-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林世杰 ,  李乾铭 ,  野口紘希 ,  宋明远 ,  黄彦霖 ,  葛卫伦

IPC: H01L27/22

Abstract: 本申请的实施例提供了一种半导体器件，包括：衬底，具有第一侧和第二侧；第一晶体管，包括位于第一突起上方的第一栅极以及插入第一突起的第一源极区域和第一漏极区域；第一掩埋接触件，设置为与第一突起相邻并具有延伸到衬底中的至少一部分；第一接触塞，设置在第一漏极区域上方；第一导线，设置在第一接触塞上方并通过第一接触塞电连接至第一漏极区域；第一通孔，穿过衬底并连接第一掩埋接触件；以及第二导线，设置在衬底的第二侧上方并电连接至第一通孔。第一掩埋接触件电连接到第一源极区域或第一栅极。根据本申请的其他实施例，还提供了形成半导体器件的方法。

公开(公告)号：CN113540148B

公开(公告)日：2024-02-09

申请号：CN202110726349.3

申请日：2021-06-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林世杰 ,  李乾铭 ,  野口紘希 ,  宋明远 ,  黄彦霖 ,  葛卫伦

IPC: H10B61/00

Abstract: 本申请的实施例提供了一种半导体器件，包括：衬底，具有第一侧和第二侧；第一晶体管，包括位于第一突起上方的第一栅极以及插入第一突起的第一源极区域和第一漏极区域；第一掩埋接触件，设置为与第一突起相邻并具有延伸到衬底中的至少一部分；第一接触塞，设置在第一漏极区域上方；第一导线，设置在第一接触塞上方并通过第一接触塞电连接至第一漏极区域；第一通孔，穿过衬底并连接第一掩埋接触件；以及第二导线，设置在衬底的第二侧上方并电连接至第一通孔。第一掩埋接触件电连接到第一源极区域或第一栅极。根据本申请的其他实施例，还提供了形成半导体器件的方法。

公开(公告)号：CN113129955A

公开(公告)日：2021-07-16

申请号：CN202011608336.8

申请日：2020-12-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 宋明远 ,  林世杰 ,  葛卫伦 ,  野口紘希

IPC: G11C11/16 ,  H01L43/08 ,  H01L43/12

Abstract: 一种磁存储器器件包括：磁隧道结(MTJ)堆叠件；自旋轨道扭矩(SOT)感应布线，设置在MTJ堆叠件上方；第一端子，耦合至SOT感应布线的第一端；第二端子，耦合至SOT感应布线的第二端；以及选择器层，耦合至第一端子。本发明的实施例还涉及磁存储器及其制造方法。

公开(公告)号：CN112750947A

公开(公告)日：2021-05-04

申请号：CN202011176938.0

申请日：2020-10-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 葛卫伦

IPC: H01L43/12 ,  H01L43/08 ,  H01L27/22

Abstract: 一些实例涉及一种用于形成半导体装置的方法。所述方法包括在衬底上方形成图案界定堆叠，图案界定堆叠包括转移层、布置在转移层上方的中间层以及布置在中间层上方的图案化层。所述方法更包括在图案化层中形成第一开口以暴露出中间层的上部表面，以及穿过第一开口用至少部分各向同性刻蚀剂来刻蚀中间层以形成凹进空腔。所述方法更包括在中间层和图案化层上方形成保形层以填充第一开口，以及利用各向异性刻蚀来刻蚀保形层和转移层以在转移层中形成第二开口。所述方法还包括在第二开口中沉积硬掩模材料。