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公开(公告)号：CN117457626A
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202311259047.5
申请日：2023-09-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/538 , H01L23/48 , H01L23/498 , H01L23/12 , H01L23/31 , H10B80/00 , H01L21/60 , H01L21/56 , H01L21/50
Abstract: 一种封装结构，包括：衬底；多个管芯，位于衬底上；以及存储器桥接管芯，包括连接至多个管芯的第一半导体管芯的第一输入/输出结构，和连接至多个管芯的第二半导体管芯的第二输入/输出结构。第一半导体管芯通过存储器桥接管芯连接至第二半导体管芯。本发明的实施例还提供了形成封装结构的方法。
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公开(公告)号：CN117460259A
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202311259030.X
申请日：2023-09-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H10B80/00 , H01L23/522 , H01L23/48 , H01L23/488 , H01L23/498 , H01L21/60
Abstract: 提供了一种芯片组装结构及其形成方法，该结构包括第一含芯片结构和第二含芯片结构。第一含芯片结构包括后端制程(BEOL)存储器管芯，其包括存储器单元阵列和电连接到存储器单元阵列的对应节点的金属互连结构。BEOL存储器管芯没有任何半导体材料部分或者BEOL存储器管芯内的每个半导体材料部分的横向范围小于存储器单元阵列内的每个存储器单元的横向范围。第一含芯片结构包括第一接合结构，并且第一接合结构的子集电连接到BEOL存储器管芯中的金属互连结构。第二含芯片结构包括控制电路，该控制电路包括配置为控制存储器单元阵列的操作的场效应晶体管并且还包括第二接合结构。第二接合结构通过金属对金属接合或衬底贯通孔介导接合而接合到第一接合结构。
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公开(公告)号：CN113540148B
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN202110726349.3
申请日：2021-06-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H10B61/00
Abstract: 本申请的实施例提供了一种半导体器件，包括：衬底，具有第一侧和第二侧；第一晶体管，包括位于第一突起上方的第一栅极以及插入第一突起的第一源极区域和第一漏极区域；第一掩埋接触件，设置为与第一突起相邻并具有延伸到衬底中的至少一部分；第一接触塞，设置在第一漏极区域上方；第一导线，设置在第一接触塞上方并通过第一接触塞电连接至第一漏极区域；第一通孔，穿过衬底并连接第一掩埋接触件；以及第二导线，设置在衬底的第二侧上方并电连接至第一通孔。第一掩埋接触件电连接到第一源极区域或第一栅极。根据本申请的其他实施例，还提供了形成半导体器件的方法。
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公开(公告)号：CN117457627A
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202311259194.2
申请日：2023-09-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/538 , H01L23/522 , H01L23/528 , H01L23/48 , H01L21/60 , H01L21/768 , H10B80/00
Abstract: 实施例半导体器件可以包括半导体管芯堆叠件，半导体管芯堆叠件具有包括第一前侧互连结构和第一背侧互连结构的第一半导体管芯以及包括第二前侧互连结构和第二背侧互连结构的第二半导体管芯，从而使得第一背侧互连结构电连接至第二前侧互连结构。第一半导体管芯可以包括设置在第一前侧互连结构和第一背侧互连结构之间的第一中心部分，第二半导体管芯可以包括设置在第二前侧互连结构和第二背侧互连结构之间的第二中心部分，并且第一中心部分和第二中心部分的每个可以包括形成在半导体衬底中或上的电路元件。第一前侧互连结构和第二前侧互连结构以及第一背侧互连结构和第二背侧互连结构的每个可以包括形成在介电层内的互连件。本申请的实施例还涉及半导体封装结构和形成半导体器件的方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113129955A
公开(公告)日：2021-07-16
申请号：CN202011608336.8
申请日：2020-12-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 一种磁存储器器件包括：磁隧道结(MTJ)堆叠件；自旋轨道扭矩(SOT)感应布线，设置在MTJ堆叠件上方；第一端子，耦合至SOT感应布线的第一端；第二端子，耦合至SOT感应布线的第二端；以及选择器层，耦合至第一端子。本发明的实施例还涉及磁存储器及其制造方法。
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公开(公告)号：CN113129955B
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202011608336.8
申请日：2020-12-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 一种磁存储器器件包括：磁隧道结(MTJ)堆叠件；自旋轨道扭矩(SOT)感应布线，设置在MTJ堆叠件上方；第一端子，耦合至SOT感应布线的第一端；第二端子，耦合至SOT感应布线的第二端；以及选择器层，耦合至第一端子。本发明的实施例还涉及磁存储器及其制造方法。
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公开(公告)号：CN116107933A
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN202210812368.2
申请日：2022-07-11
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G06F13/16 , G06F12/02 , G11C11/41 , G11C11/413
Abstract: 本发明的实施例提供了存储器接口电路、存储器器件及存储器接口方法。存储器接口电路包括被配置为接收指令信号和地址信号的请求解码器。请求解码器被配置为对指令信号和地址信号进行解码以生成数据计数信号和开始地址信号。突发计数器耦合到请求解码器，并且突发计数器被配置为在每次存取存储器之后更新数据计数信号。地址生成器耦合到请求解码器。地址生成器用以接收开始地址信号，并在每次存取存储器后根据开始地址信号生成后续存储器地址信号。
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公开(公告)号：CN115862716A
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202210813384.3
申请日：2022-07-11
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G11C17/18
Abstract: 本申请的实施例提供了计算器件、存储器接口电路及其方法。存储器接口电路包括指令解码器，指令解码器被配置为从处理器接收指令以生成对应的控制码。执行电路被配置为接收来自指令解码器的控制码，并且根据控制码存取存储器并生成算术结果。
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公开(公告)号：CN113540148A
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN202110726349.3
申请日：2021-06-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/22
Abstract: 本申请的实施例提供了一种半导体器件，包括：衬底，具有第一侧和第二侧；第一晶体管，包括位于第一突起上方的第一栅极以及插入第一突起的第一源极区域和第一漏极区域；第一掩埋接触件，设置为与第一突起相邻并具有延伸到衬底中的至少一部分；第一接触塞，设置在第一漏极区域上方；第一导线，设置在第一接触塞上方并通过第一接触塞电连接至第一漏极区域；第一通孔，穿过衬底并连接第一掩埋接触件；以及第二导线，设置在衬底的第二侧上方并电连接至第一通孔。第一掩埋接触件电连接到第一源极区域或第一栅极。根据本申请的其他实施例，还提供了形成半导体器件的方法。
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