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发明公开
EUV掩模及其形成方法审中-实审

公开(公告)号：CN119310792A

公开(公告)日：2025-01-14

申请号：CN202411302090.X

申请日：2024-09-18

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈立峯 , 陈彦良 , 李乾铭 , 戴国伦 , 林世杰

IPC: G03F1/24 , G03F1/54 , G03F1/76 , G03F1/72 , G03F1/80

Abstract: EUV光刻掩模包括：衬底；图案化吸收层，包括第一材料和第二材料。在一些实施例中，第一材料是第二行过渡金属，并且第二材料是第一行过渡金属或第二行过渡金属。所公开的EUV光刻掩模减小了不期望的掩模3D效应。本申请的实施例还涉及EUV掩模及其形成方法。

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