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公开(公告)号：CN113224150A
公开(公告)日：2021-08-06
申请号：CN202110510096.6
申请日：2013-09-09
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L29/423 , H01L23/64 , H01L29/16 , H01L29/20 , H01L27/06 , H01L27/10 , H01L29/739 , H01L29/78 , H01L21/52 , H01L21/66 , H01L21/8234
Abstract: 一种开关元件、半导体装置、半导体装置的制造方法。本发明涉及的开关元件的特征在于，具有：衬底；第1栅极焊盘，其形成在该衬底；第2栅极焊盘，其形成在该衬底；第1电阻部，其形成在该衬底，将该第1栅极焊盘与该第2栅极焊盘连接；以及单元区域，其形成在该衬底，与该第1栅极焊盘连接。由此，在完成栅极电阻内置型的开关元件之后，能够进行该开关元件的栅极电阻值的测量和栅极电阻的选择。
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公开(公告)号：CN108140640B
公开(公告)日：2021-06-04
申请号：CN201580083502.8
申请日：2015-09-29
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 本发明的目的在于，提供使并联地搭载的半导体元件的个数增加，且抑制了搭载半导体元件的绝缘基板的形状横向变长的半导体装置及具备该半导体装置的半导体模块。本发明涉及的半导体装置(100)具备：绝缘基板(1)；连续的金属图案(2)，其与绝缘基板(1)的一个主面接合；以及多个开关元件(31、32、33、41、42、43)，它们接合于金属图案(2)上的与绝缘基板(1)相反侧的面，多个开关元件在金属图案(2)上配置为行的数量以及列的数量分别大于或等于2的矩阵状。
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公开(公告)号：CN109166833A
公开(公告)日：2019-01-08
申请号：CN201810998767.6
申请日：2011-01-12
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 本发明涉及一种电力用半导体模块。为了得到将由Si半导体制作的开关元件的温度上升抑制为较低且能够提高模块的冷却效率的电力用半导体模块，具备由Si半导体制作的开关元件(4)和由宽禁带半导体制作的二极管(5)，二极管(5)配置在电力用半导体模块(100)的中央区域，开关元件(4)配置在电力用半导体模块(100)的中央区域的两侧或周边。
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公开(公告)号：CN105531814A
公开(公告)日：2016-04-27
申请号：CN201380079465.4
申请日：2013-09-09
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L21/822 , H01L27/04 , H01L29/41 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L29/78
CPC classification number: H01L27/0629 , H01L21/52 , H01L21/823475 , H01L22/14 , H01L22/20 , H01L22/34 , H01L23/5228 , H01L23/528 , H01L27/101 , H01L28/20 , H01L29/1602 , H01L29/1608 , H01L29/2003 , H01L29/4232 , H01L29/7395 , H01L29/7803 , H01L29/7817 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及的开关元件的特征在于，具有：衬底；第1栅极焊盘，其形成在该衬底；第2栅极焊盘，其形成在该衬底；第1电阻部，其形成在该衬底，将该第1栅极焊盘与该第2栅极焊盘连接；以及单元区域，其形成在该衬底，与该第1栅极焊盘连接。由此，在完成栅极电阻内置型的开关元件之后，能够进行该开关元件的栅极电阻值的测量和栅极电阻的选择。
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公开(公告)号：CN103650137A
公开(公告)日：2014-03-19
申请号：CN201280034222.4
申请日：2012-07-05
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H01L23/28 , H01L23/3121 , H01L23/3135 , H01L23/36 , H01L23/3735 , H01L25/072 , H01L25/18 , H01L2224/48227 , H01L2224/49111 , H01L2224/4917 , H01L2224/49175 , H01L2924/12032 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/181 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 在将Si半导体元件和宽能带隙半导体元件配置于相同的功率半导体模块内的情况下，将宽能带隙半导体元件的温度上升抑制得较低，抑制宽能带隙半导体元件的芯片总面积的增大，得到能够低成本地制造的功率半导体模块。Si制开关元件（4）配置于功率半导体模块（100）的中央区域中，SiC制二极管元件（5）配置于功率半导体模块（100）的中央区域的两侧或者包围中央区域的周边部。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111133577A
公开(公告)日：2020-05-08
申请号：CN201780095131.4
申请日：2017-09-28
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 本发明的目的在于，在2合1型斩波器模块中抑制导线的温度循环寿命的下降。本发明的2合1型斩波器模块(141、142、143)具有：开关晶体管(103)；第1二极管(104)，其与开关晶体管(103)反向并联连接；第2二极管(106)，其与开关晶体管(103)及第1二极管(104)串联连接；第1配线图案(115)，其搭载开关晶体管(103)及第1二极管(104)；以及第2配线图案(114)，其搭载第2二极管(106)，开关晶体管(103)与第1二极管(104)的正向通电时的电力损耗大致相同，第2二极管(106)的有效面积大于第1二极管(104)的有效面积。
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公开(公告)号：CN108140631A
公开(公告)日：2018-06-08
申请号：CN201580083447.2
申请日：2015-09-28
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L23/50
Abstract: 本发明的目的在于提供能够提高半导体装置的电气特性及可靠性的技术。半导体装置具备：多个半导体芯片(2)；多个电极(3)，其分别与多个半导体芯片(2)电连接；封装部件(5)；以及连接部(6)。封装部件(5)将多个电极(3)中的与多个半导体芯片(2)连接的部分以及多个半导体芯片(2)覆盖。连接部(6)配置于封装部件(5)的外部，将多个电极(3)中的没有被封装部件(5)覆盖的部分彼此电连接。
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公开(公告)号：CN103650137B
公开(公告)日：2017-09-29
申请号：CN201280034222.4
申请日：2012-07-05
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H01L23/28 , H01L23/3121 , H01L23/3135 , H01L23/36 , H01L23/3735 , H01L25/072 , H01L25/18 , H01L2224/48227 , H01L2224/49111 , H01L2224/4917 , H01L2224/49175 , H01L2924/12032 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/181 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 在将Si半导体元件和宽能带隙半导体元件配置于相同的功率半导体模块内的情况下，将宽能带隙半导体元件的温度上升抑制得较低，抑制宽能带隙半导体元件的芯片总面积的增大，得到能够低成本地制造的功率半导体模块。Si制开关元件（4）配置于功率半导体模块（100）的中央区域中，SiC制二极管元件（5）配置于功率半导体模块（100）的中央区域的两侧或者包围中央区域的周边部。
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公开(公告)号：CN111133577B
公开(公告)日：2023-10-10
申请号：CN201780095131.4
申请日：2017-09-28
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 本发明的目的在于，在2合1型斩波器模块中抑制导线的温度循环寿命的下降。本发明的2合1型斩波器模块(141、142、143)具有：开关晶体管(103)；第1二极管(104)，其与开关晶体管(103)反向并联连接；第2二极管(106)，其与开关晶体管(103)及第1二极管(104)串联连接；第1配线图案(115)，其搭载开关晶体管(103)及第1二极管(104)；以及第2配线图案(114)，其搭载第2二极管(106)，开关晶体管(103)与第1二极管(104)的正向通电时的电力损耗大致相同，第2二极管(106)的有效面积大于第1二极管(104)的有效面积。
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公开(公告)号：CN108140631B
公开(公告)日：2021-02-05
申请号：CN201580083447.2
申请日：2015-09-28
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L23/50
Abstract: 本发明的目的在于提供能够提高半导体装置的电气特性及可靠性的技术。半导体装置具备：多个半导体芯片(2)；多个电极(3)，其分别与多个半导体芯片(2)电连接；封装部件(5)；以及连接部(6)。封装部件(5)将多个电极(3)中的与多个半导体芯片(2)连接的部分以及多个半导体芯片(2)覆盖。连接部(6)配置于封装部件(5)的外部，将多个电极(3)中的没有被封装部件(5)覆盖的部分彼此电连接。
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