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公开(公告)号：CN103650137B
公开(公告)日：2017-09-29
申请号：CN201280034222.4
申请日：2012-07-05
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H01L23/28 , H01L23/3121 , H01L23/3135 , H01L23/36 , H01L23/3735 , H01L25/072 , H01L25/18 , H01L2224/48227 , H01L2224/49111 , H01L2224/4917 , H01L2224/49175 , H01L2924/12032 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/181 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 在将Si半导体元件和宽能带隙半导体元件配置于相同的功率半导体模块内的情况下，将宽能带隙半导体元件的温度上升抑制得较低，抑制宽能带隙半导体元件的芯片总面积的增大，得到能够低成本地制造的功率半导体模块。Si制开关元件（4）配置于功率半导体模块（100）的中央区域中，SiC制二极管元件（5）配置于功率半导体模块（100）的中央区域的两侧或者包围中央区域的周边部。
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公开(公告)号：CN100517902C
公开(公告)日：2009-07-22
申请号：CN03152349.8
申请日：2003-07-29
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H02H11/00
CPC classification number: H03K17/08128 , H03K17/168
Abstract: 在适用于耐压高的IGBT(1)的情况下，产生把耐压高的二极管(5)串联连接成多级的需要，存在导致成本高或者可靠性降低的课题，另外，由集电极电压检测电路(6)进行的短路探测显著滞后，存在有时不能够保护IGBT(1)的课题，解决的方法是抽样电路(16)在允许栅极电压(Vge)的检测处理期间中，检测该栅极电压(Vge)，如果该栅极电压(Vge)超过基准值，则认定在IGBT(11)中发生了异常。
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公开(公告)号：CN101421910B
公开(公告)日：2011-06-08
申请号：CN200780010820.7
申请日：2007-04-04
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 本发明提供一种当在半导体元件(1)的栅电压未下降完毕的状态下，栅开启的命令来到时，防止半导体元件(1)异常的误检测的装置，仅在与向控制电路(2)输入了开启信号时的半导体元件(1)的控制量Qon相对应的期间内允许对半导体元件(1)的控制量(栅电压)进行检测处理，将在该期间内检测的检测控制量Qt和根据上述控制量Qon设定的控制量比较值Qs进行比较来输出异常信号，并以比正常遮断时的速度慢的速度遮断半导体元件(1)。
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公开(公告)号：CN1476136A
公开(公告)日：2004-02-18
申请号：CN03152349.8
申请日：2003-07-29
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H02H11/00
CPC classification number: H03K17/08128 , H03K17/168
Abstract: 在适用于耐压高的IGBT1的情况下，产生把耐压高的二极管5串联连接成多级的需要，存在导致成本高或者可靠性降低的课题，另外，由集电极电压检测电路6进行的短路探测显著滞后，存在有时不能够保护IGBT1的课题，解决的方法是抽样电路16在允许栅极电压Vge的检测处理期间中，检测该栅极电压Vge，如果该栅极电压Vge超过基准值，则认定在IGBT11中发生了异常。
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公开(公告)号：CN109166833A
公开(公告)日：2019-01-08
申请号：CN201810998767.6
申请日：2011-01-12
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 本发明涉及一种电力用半导体模块。为了得到将由Si半导体制作的开关元件的温度上升抑制为较低且能够提高模块的冷却效率的电力用半导体模块，具备由Si半导体制作的开关元件(4)和由宽禁带半导体制作的二极管(5)，二极管(5)配置在电力用半导体模块(100)的中央区域，开关元件(4)配置在电力用半导体模块(100)的中央区域的两侧或周边。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103650137A
公开(公告)日：2014-03-19
申请号：CN201280034222.4
申请日：2012-07-05
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H01L23/28 , H01L23/3121 , H01L23/3135 , H01L23/36 , H01L23/3735 , H01L25/072 , H01L25/18 , H01L2224/48227 , H01L2224/49111 , H01L2224/4917 , H01L2224/49175 , H01L2924/12032 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/181 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 在将Si半导体元件和宽能带隙半导体元件配置于相同的功率半导体模块内的情况下，将宽能带隙半导体元件的温度上升抑制得较低，抑制宽能带隙半导体元件的芯片总面积的增大，得到能够低成本地制造的功率半导体模块。Si制开关元件（4）配置于功率半导体模块（100）的中央区域中，SiC制二极管元件（5）配置于功率半导体模块（100）的中央区域的两侧或者包围中央区域的周边部。
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公开(公告)号：CN101978588B
公开(公告)日：2013-07-17
申请号：CN200980109705.4
申请日：2009-03-18
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H02M7/49 , H02M7/501 , H02M2001/0077 , Y02B70/1483 , Y10T307/707
Abstract: 针对具有高电压的第一直流电源(5)并使用超过1000V的高耐压Vx的Si-IGBT(3)而低频地动作的第一逆变器电路(1)、和具有低电压的电容器(8)并使用低耐压Vy的SiC-MOSFET(6)而通过高频PWM动作的第二逆变器电路(2)，对交流侧进行串联连接而构成电力变换装置，通过第一、第二逆变器电路(1)、(2)的各产生电压之和来输出规定的电压波形的交流电力。
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公开(公告)号：CN1445928A
公开(公告)日：2003-10-01
申请号：CN03101711.8
申请日：2003-01-17
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H03K17/168 , H01L2924/0002 , H03K17/08128 , H01L2924/00
Abstract: 提供一种能抑制过电流状态下、在关断时发生的浪涌电压的功率半导体元件的驱动电路。该电路包括：检测输入控制信号指示了断开，在IGBT10的密勒期间的开始时刻输出取样信号的取样信号发生电路7；按输入取样信号的定时分配检测IGBT10的密勒电压、在其为阈值以上时输出过电流检测信号的栅极电压检测电路9；接收该过电流检测信号、控制IGBT10的栅极电压使IGBT10以比平常慢的速度断开的栅极电压控制电路8。
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公开(公告)号：CN102687270A
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：CN201180005358.8
申请日：2011-01-12
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H01L25/18 , H01L23/24 , H01L23/3135 , H01L23/3735 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L25/072 , H01L29/1608 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/48227 , H01L2224/49111 , H01L2224/49175 , H01L2924/00014 , H01L2924/01004 , H01L2924/10253 , H01L2924/10254 , H01L2924/10272 , H01L2924/1033 , H01L2924/12031 , H01L2924/12032 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/15311 , H01L2924/19107 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 为了得到将由Si半导体制作的开关元件的温度上升抑制为较低且能够提高模块的冷却效率的电力用半导体模块，具备由Si半导体制作的开关元件(4)和由宽禁带半导体制作的二极管(5)，二极管(5)配置在电力用半导体模块(100)的中央区域，开关元件(4)配置在电力用半导体模块(100)的中央区域的两侧或周边。
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公开(公告)号：CN101411050B
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN200780011440.5
申请日：2007-03-08
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H02M7/48 , H02M1/32 , H02M5/45 , H01L23/367 , H01L21/48
CPC classification number: H02M7/003 , H01L2924/0002 , H02M7/487 , H01L2924/00
Abstract: 提供一种电力变换装置，其降低主电路电感，抑制浪涌电压，并且构成为元件被恰当地冷却，同时使装置整体小型、轻量化，进而使制造时、维修时的操作性好。由IGBT模块(1)、(2)以及耦合二极管模块(5)、安装这些模块的冷却板(9)、连接到各模块上的层叠母线(11)构成正侧臂单元(100)，由IGBT模块(3)、(4)以及耦合二极管模块(6)、安装这些模块的冷却板(10)、连接到各模块上的层叠母线(12)构成负侧臂单元(101)，利用层叠母线(13)将两层叠母线(11)、(12)和电容器(7)、(8)进行连接。两冷却板(9)、(10)配置成平行地、使安装面方向相同。
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